超大规模集成电路气体净化工艺

介绍超大规模集成电路生产所使用的主要气体的净化工艺和装置以及系统设计和安装中应 问题。     

超大规模集成技术

一、什么是超大规模集成电路所谓超大规模集成电路是指集成度比大规模集成电路(LSI)更高级的新型电路。大规模集成和超大规模集成的划分,目前还没有一个很确切而有科学根据的界限。一般的说法是:每个芯片上有100～5000个门或1000～10万个元件的集成电路为大规模集成,门数或元件数     

超大规模集成电路中的可靠性技术应用与发展

论述了大规模 /超大规模集成电路可靠性技术的应用与发展 ,重点强调在大规模 /超大规模集成电路中可靠性技术的地位和作用 ,对“十五”超大规模集成电路可靠性的发展提出了思路     

国外电子束曝光设备的新进展

<正> 一、前言从六十年代末以来,电子束曝光设备在技术上的进展是十分显著的。由于电子束曝光设备具有高分辨率、高精度和使用灵活的特点,在集成电路的制造工艺中,主要用于制版(1×掩模版、10×和5×中间版)和在硅片上直接扫描制作电路图形。目前,电子束曝光设备已经成为大规模集成电路和超大规模集成电路     

集成电路的制版

引言随着超大规模集成电路的飞速发展,制版问题越来越为人们所重视。在超大规模集成电路诸多工艺中,首先引进计算机辅助设计和计算机辅助制版,从而大大地促进了集成电路的迅速发展。大规模集成电路中,制版起着决定性的因素。在集成电路诸多专用设备中,制版的专用设备不断更新换代,其目的就是想方设法解决集成电路的制版问题。     

上海交通大学研制成功LSI/VLSI设计验证测试系统

上海交通大学电子电工学院LSI研究所采用世界上先进的理论和算法,研制成功大规模集成电路(LSI)/超大规模集成电路(VLSI)的计算机辅助设计验证、测试系统,为各种MOS及双极型ECL工艺的     

超纯水管道设计及管材选择

随着半导体、集成电路的发展,特别是大规模集成电路发展到超大规模集成电路阶段,电路线宽已小于1μm以下。对生产过程中所使用的纯水水质更加严格(表1)。水质主要指标是电阻率、微粒、细菌和总有机碳     

微细加工与电子学

今天,电子学正向固体化、微型化、集成化、高可靠方向发展。电子学向这个方向发展的支柱是半导体器件及集成电路。半导体器件及集成电路能起到这种支柱作用,在相当大程度上要归功于平面工艺。平面工艺使半导体器件由分离器件发展成为集成电路、大规模集成电路、超大规模集成电路。平面工艺找到了一整套在硅片上进行微细加工的方法,包括微细线条的制作,金属薄层、介质薄层和掺杂/不掺杂半导体薄层的制     

GLSI多层布线钨插塞CMP表面质量的影响因素分析

随着超大规模集成电路向高集成、高可靠性及低成本的方向发展,对IC工艺中的全局平坦化提出了更高的要求。在特大规模集成电路(GLSI)多层布线化学机械抛光(CMP)过程中,抛光质量对器件的性能有明显影响。研究了多层互连钨插塞材料CMP过程中表面质量的影响因素及控制技术,分析了抛光过程中影响抛光质量的主要因素,确定了获得较高去除速率和较低表面粗糙度的抛光液配比及抛光工艺参数。     

外延迁移技术制作光电子单片集成Si的GaAs/GaAlAs DH LED

描述了采用外延迁移技术制作光电子集成电路的Si衬底砷化镓双异质结发光二极管的工艺过程及实验结果.发光器件是在外延迁移后流片制作的,克服了光子器件与电子器件的对准问题,可与电子器件大规模集成.     

用于制作VLSI器件的难熔金属和金属硅化物

难熔金属和金属硅化物已用于制作超大规模集成电路的接触和互连。硅衬底上的难熔金属的接触电阻率现已可作到低至～10~(-7)Ω·cm~2。采用难熔金属,各种VLSI工艺过程中产生的MOS氧化物陷阱就可用高温退火(≥550℃)予以消除。随着超大规模集成电路的器件继续按比例缩小,寄生电阻对于提高器件性能来说就会是一个主要限制。在MOS器件中,难熔金属硅化物可用来减小源漏电阻和栅电阻。如果栅材料采用纯的硅化物(并非多晶硅难熔金属硅化物),还可以提高CMOS的性能。本文讨论有关使用难熔金属和金属硅化物来提高超大规模集成电路器件性能的一些最新进展。     

超大规模集成电路的作用及展望

本文阐述了初级集成电路至超大规模集成电路的发展概况,介绍了大规模集成电路在通讯、控制系统、信息系统中的应用。还扼要地叙述了大规模集成电路对设备安装技术的影响,且对其在未来的通讯网中将起到越来越大的作用作了恰当的估计及展望。     

大规模集成电路的可靠性与失效机理

本文在介绍了大规模集成电路可靠性重要意义的基础上,阐明影响其可靠性的若干因素。并着重研究和分析了大规模集成电路尤其是超大规模集成电路的失效机理。     

高度集成:挡不住的发展趋势

1959年，Robert Noyce与Jack Kflby共同发明了集成电路，在电子行业内掀起了一场革命。从那之后，集成电路的发展极为迅猛，从SSI（小规模集成电路）起步，经过MSI（中规模集成电路），发展到LSI（大规模集成电路），然后发展到现在的VLSI（超大规模集成电路）及最近的ULSI（特大规模集成电路），甚至发展到将来的GSI（甚大规模集成电路），届时单片集成电路集成的晶体管将超过10亿个。     

磁控溅射设备国外发展趋势及关键技术

<正> 微电子技术在现代化科技中占有极为重要的地位,而微电子技术的核心在于集成电路。集成电路是世界上公认的现代电子信息设备和系统的核心器件。当今大规模、超大规模集成电路已迅速发展,器件功能也日益复杂,芯片直径不断增大,先进国家正向0.2μm、256MDRAM的方向发展。由于集成度的不断提高,图形线宽之不断缩小,工艺的复杂化,对工艺设备提出更新更高的要求。磁控溅射技术是VLSI电路制作的重要技术。     

外延迁移技术制作用于光电子单片集成的Si上GaAs／GaAlAsDHLED

描述了在国内首次采用外延迁移技术研制适合于制作光电子集成电路的硅上硬化镓双异质结发光二极管的工艺过程及实验结果。发光器件是在外延迁移以后流片制作的，克服了光子器件的对准问题，可与电子器件大规模集成。     

VLSI工艺发展现状点滴

随着MOS工艺向超大规模集成电路方向的迅速发展,VLSI的集成度七十年代约每年提高1倍,八十年代预测约2年提高1倍。 在此情况下,原先应用的某些常规工艺或在近来一个时期内出现的某些工艺已渐渐地与超大规模集成电路的发展不相适应了。影响电路集成度、复杂性及电路性能的材料、加工工     

掩模自动检查系统提高了大规模集成电路的成品率、性能和可靠性

在日本,大规模集成电路光刻掩模的缺陷自动检查,现已成为不可缺少的事了。掩模缺陷自动检查设备是四前年投入实际使用的,它的迅速普及已使人们能用到优质的光刻掩模。进而,这又大大提高了大规模集成电路的性能,可靠性和生产成品率。近来,用常规光刻掩模制造高集成度集成电路——超大规模集成电路的可能性也终于得到证实。     

双电荷离子注入技术

一、概述离子注入技术作为半导体集成电路制作工艺中的新型掺杂技术，具有均匀性好、重复往高、分布随意、掺杂精度准确等优点，已被广泛地运用于集成电路制作工艺中。特别是当今集成电路向着大规模、小尺寸方向的迅速发展，更加突出了离子注入技术在电路制作过程中的重要作用。与此同时，离子注入技术自身也在此过程中经历着不断的发展，离子注入技术的各种新应用层出不穷。特别是高能离子束、聚焦离子束技术在集成电路领域的运用已是日趋成熟。国内由于受注入设备局限，这些方面的工作开展较少。我们基于工艺发展需要并结合我们已有的中能…     

大型集成电路ATE系统面临挑战

ATE测试系统进展缓慢集成电路曾使用小规模、中规模、大规模和超大规模来形容其集成度,现在发展到芯片系统,起码集成百万以上的晶体管,堪称超级超大规模集成电路了。芯片系统不但只有逻辑电路,还有存储器和模拟电路。总之,它是一个名副其实可独立运行的小系统,例如数字相