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茶壶托具有平面金属外壳,里面安放圆型陶瓷底座。在底座的底部有螺旋状小沟,内装加热元件。在加热元件上装配管式线性上升电压发生器。由加热元件和线性上升电压发生器发出的红外辐射,透过透红外的茶壶托顶陶瓷平板。在推出的结构方案中采用了功率分别为500、400和200W的3个加热元件和功率为350W的2个线性上升电压发生器。装置的电路元件可由不同组合的红外辐射器 相似文献
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本文提出了一种非常有发展前途的低温漂固态电场传感器。此传感器是一种恒压惠斯顿电桥,它的电阻是由四个直接栅极SOI MOSFET器件。理论上证明这种传感器的输出信号电压与测量电场成正比,温度漂移等于零。实验结果表明,在300K温度下,传感器的分辨率为3.27 mV/KV/m,大气环境下的温度漂移相当于47V/m的电场,其远小于大气温度下相当于10,000V/m的电流漂移。 相似文献
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制作了一种新型微型结构CO2传感器,该传感器采用Al2O3陶瓷片作为衬底,sol-gel法制备的固体电解质NASICON(sodiumsuperionicconductor)材料为离子导电层,复合碳酸盐Li2CO3-BaCO3(摩尔比为1:1.5)为敏感电极。该传感器在CO2浓度为(500~5000)×10–6体积分数范围内表现出良好的敏感特性,灵敏度达到67.3mV/decade(毫伏/10×10–6体积分数),并且功耗由原来的1.08W降到0.72W。微型元件的响应恢复时间分别为20s和58s。 相似文献
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固体电解质双功能气体传感器的研制 总被引:1,自引:0,他引:1
以sol-gel法合成的NASICON为基体导电层材料,以掺杂C的Cr2O3和ZnO-TiO2分别作为对氨和甲苯敏感的电极材料,制备了一种能同时检测氨和甲苯的新型管式结构固体电解质双功能气体传感器。当工作温度为250~400℃时,传感器对浓度为(50~500)×10–6的氨和(5~50)×10–6的甲苯具有较好的气敏性能,其电动势E值与氨和甲苯浓度的对数呈线性关系,在350℃时,对氨和甲苯的灵敏度分别为–91mV/decade和–60mV/decade。并有较快的响应恢复时间和较好的选择性。 相似文献
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以sol-gel法制备的NASICON(Na3Zr2Si2PO12)为基体材料,掺杂了V2O5的TiO2为辅助电极材料,制备了一种管式结构的固体电解质SO2传感器。当工作温度为300℃时,以V2O5与(V2O5+TiO2)的质量比为5%的材料为辅助电极材料时,传感器对体积分数为(1~50)×10–6的SO2表现出了较好的气敏性能,传感器的电动势E值与SO2浓度的对数呈很好的线性关系,传感器的灵敏度为78mV/decade。同时,传感器对50×10–6的SO2的响应恢复时间分别为10s和35s,且有较好的选择性。 相似文献
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以溶胶-凝胶法制备的NASICON为基体导电层材料,以水热法制备的纳米片状Co3O4为敏感电极材料,制备了一种检测低浓度丙酮的管式结构固体电解质型气体传感器,利用静态配气法对传感器的气敏性能进行了测试,结果表明:当工作温度为300~375℃时,传感器对体积分数为0.5×10–6~100×10–6的丙酮表现出了较好的气敏性能,其检测下限能达到0.5×10–6(体积分数),传感器电动势变化值(?V)与丙酮浓度的对数呈线性关系,在温度为350℃时,传感器对丙酮的灵敏度达到最大值–24.5 mV/decade,另外,该传感器还具有较快的响应恢复速度和较好的选择性。 相似文献
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设计一种基于MSP430系列单片机的低功耗泵吸式CO2气体检测装置。研究设计中根据CO2传感器EMF(输出电势)和浓度曲线图,考虑养殖场的实际需求状况,通过Matlab仿真拟合出EMF和浓度曲线的关系式,将EMF值放大后送入单片机处理,通过12864液晶实时显示出当前的浓度,同时实现声光报警功能。研究中利用MSP430F249单片机低功耗、功能完善的特点,通过对CO2传感器EMF(输出电势)和浓度曲线图拟合,实现了一套功能丰富,结果精确稳定的CO2检测仪。 相似文献
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<正> 一、引言 把敏感元件与信号处理电路集成在一起,实现传感器的集成化,是目前传感器发展的一个重要方向。它不仅可提高传感器的信噪比,还可以提高传感器的性能和接口灵活性。对于集成温度传感器,由于芯片上的信号处理电路与敏感元件必须一起工作在被测环境温度中,这样环境温度的变化会影响传感器中信号处理电路的性能,从而影响整个集成传感器的性能。本文提出一种工作在恒定芯片温度的新型集成温度传感器,其中的信号处理电路不受环境温度的影响,而且还具有传统温度传感器所没有的优点。 相似文献
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为了实现对电真空热管热水锅炉的实时控制,使它更节能、实用,设计了多功能电真空热管热水锅炉控制器。该控制器系统由AT89C51单片机、数字温度传感器DS18B20、语音芯片ISD1420等组成,采用电话线传输信息,在语音提示下进行用户和系统之间的交流,可随时对锅炉进行温度设定与控制、并且可设定报警电话。实践证明,该控制器... 相似文献
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以Cr2O3和(La0.8Sr0.2)2FeNiO6-δ(LsFNiO)为敏感电极材料,经1 200℃烧结制备出了一种具有双敏感电极结构的NOx传感器,并对其气体敏感性进行了测试,最后根据实验结果得出了两敏感电极的电势关于NOx浓度的经验公式。结果表明,两敏感电极的电势均随着NO浓度的增大而减小,NO2浓度的增大而增大。Cr2O3和LsFNiO电极对NO的敏感性分别为–12.198 mV/decade和–16.477 mV/decade,对NO2的敏感性分别为37.083 mV/decade和14.005 mV/decade。两敏感电极的电势与NOx气体浓度的对数呈较好的线性关系。 相似文献
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《Electron Devices, IEEE Transactions on》1981,28(4):390-394
Two Types of GaAlAs heterojunction electroluminescent diodes are compared. In the planar-type diffused diode the p-n homojunction is obtained by zinc diffusion in areas limited by a silicon nitride mask; the p-p heterojunction confines electrons in the bulk and avoids surface recombinations. The epitaxial diode is a conventional double heterojunction; the active area is limited by proton bombardment. The aging behaviors of these two types appear quite different. Diffused diodes degrade relatively fast; under continuous operation at 550 A/cm2(100 mA) the device lifetime (emitted light power falling down to 50 percent of the initial value) is 10 000 to 50 000 h. Epitaxial diodes degrade much more slowly; their device lifetime is estimated at several 105h. The degradation is followed during aging, by using electrical and optical measurements, together with SEM and TEM analyses. It is confirmed that fast degradation occurs with simultaneous growth of dark line defects (DLD) and that these DLD's result from dislocation dipoles of interstitial nature, emitted either from scratches or, more frequently, from previously existing dislocations. It is shown that epitaxial diodes are practically free of dislocations; on the contrary, in the case of planar-type p-n junctions, a large number of dislocation loops are developed at the junction periphery, resulting from the mechanical stress at the edge of the junction during processing. This is the main source of DLD's and fast degradation of planar-type diffused diodes. 相似文献