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多层陶瓷电容器的失效与分析 总被引:1,自引:0,他引:1
本文陈述了多层陶瓷电容器的失效模式,分析了造成多层陶瓷电容器失效的内在因素和外在的因素。结合电容的失效模式与实例,进一步阐述多层陶瓷电容器的失效分析方法和几点使用建议。 相似文献
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多层陶瓷电容器的无损检测 总被引:4,自引:0,他引:4
激光扫描声学显微镜是一种新型的无损检测多层陶瓷电容器内部缺陷的测量技术。本文分析计算了该技术用于多层陶瓷电容器的一些设计参数和技术指标,阐述了实际实验系统,最后给出了一些样品的实验结果。 相似文献
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随着片式多层陶瓷电容器(Multilayer Ceramic Capacitor,MLCC)向着微型化、高容量方向的发展,片式多层陶瓷电容器的生产工艺,对设备提出了更高的要求。对目前MLCC生产工艺的主要特点进行了研究,简单阐述了常见的片式多层陶瓷电容器薄膜流延技术,提出了一种实用型的唇式流延技术。同时,对薄膜流延设备的工作原理、总体构成、系统控制,以及关键技术进行了分析和探讨。 相似文献
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片式多层陶瓷电容器(MLCC),又称独石电容器,主要工艺是将内电极材料与陶瓷坯体以多层交替并联叠合.并共烧成一个整体:主要用于各类电子整机中的振荡、耦合、滤波等电路中。由于MLCC率先实现片式化.适应SMT技术需求.大量取代了有机电容器和云母电容器.并开始部分取代钽电解和铝电解电容器。其未来发展趋势包括微型化、高性能/低成本化、高容量化、 相似文献
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Ron Demcko 《今日电子》2009,(11):28-28,30,32
就在不久之前,大多数微波电容器还都基于多层陶瓷烧制技术。在生产过程中,多层高导电性的金属合金电极层和低损耗的陶瓷绝缘层交错排列,从而得到所需要的电容值。然后,将合成的叠层进行高温烧制,将其烧结成单片结构。这一工艺目前仍然很好地满足大容量射频电容器以及大功率电容器的需要。 相似文献
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本文对共烧多层陶瓷基板制造技术作了较为全面的探讨,详细分析和研究了它的工艺物性和材料系统特性。在分析和研究过程中用大量的数据和实例说明共烧多层陶瓷基板技术在微组装领域具有强大的生命力。事实表明,共烧多层陶瓷基板制造技术在未来的微电子封装技术中将发挥重要作用。 相似文献
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通过分析电容器的寄生效应和频率特性,研究电容器等效串联电阻对DC/DC变换器电性能和稳定性的影响;明确了多层陶瓷电容器(MLCC)在DC/DC变换器应用中与其他种类电容器的不同之处;并对多层陶瓷电容器的优化设计方法进行探讨,用具体电路说明了优化设计过程。 相似文献
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降低MLCC等效串联电阻的设计和工艺方法 总被引:1,自引:1,他引:0
随着片式多层陶瓷电容器(MLCC)工作频率的提高,要求其在高频状态下必须保持较低的等效串联电阻(Res)。从片式电容器的设计及工艺方面对降低其Res值进行了系统研究,结果表明丝网设计、介质层数、介质厚度的适当选择和倒角工艺优化能够大大降低Res值。 相似文献
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本文探讨了PMN系多层陶瓷电容器的振动三层镀工艺。分析了工艺参数对MLC电性能的影响,表明振动电镀对MLC的电容量影响不明显,而使MLC绝缘电阻降低,介质损耗增大;和镀Sn相比,镀Ni过程对MLC的性能影响较大。 相似文献
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新型大电容陶瓷片电容器 总被引:1,自引:0,他引:1
刘涌 《电子产品可靠性与环境试验》1995,(4)
日本东芝公司最近开发出一种原型大电容多层陶瓷电容器,它所提供的静电容为2000μF/cm~3,此值相当于普通陶瓷电容器的5倍,与钽电解电容器的一样大。 相似文献
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混合集成电路的组装工艺对片式电容器的性能会带来影响。本文对混合电路中片式电容器经过环境试验后的失效现象进行了分析,并提出了组装片式电容器的合理工艺,以提高其可靠性。 相似文献
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层压是片式多层陶瓷电容器生产过程中一道重要工序,关键是压力的控制,要求压力上升平稳,恒压时间控制精确,且电容巴块在各个方向受压均匀,使其结构致密.根据片式电容器的层压工艺要求,简要介绍了层压设备的结构、功能及工作原理. 相似文献
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<正> 在电子工业中,陶瓷器件的应用正在日益增加,例如:混合电路、多层陶瓷电路,接头,管痤、绝缘子和电容器等。在制作这些产品的过程中通常要求局部镀,有时要求直接镀于陶瓷表面或陶瓷的金属化表面。目前对陶瓷表面和金属化表面的涂敷尚缺乏全面的了解。本文讨论了几种成熟的工艺。对于烧结在陶瓷上的 Mo-Mn、W、Mo、Cu 金属化层采用化学镀 Ni-B 或 Ni-P,能满足电子工业的各种要求。 相似文献
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片式元件是应用最早、产量最大的表面组装元件。它主要有以厚薄膜工艺制造的片式电阻器和以多层厚膜共烧工艺制造的片式独石电容器,这是开发和应用最早和最广泛的片式元件。随着工业和消费类电子产品市场对电子设备小型化、高性能、高可靠性、安全性和电磁兼容性的需求,对电子电路性能不断地提出新的要求, 相似文献