常用表面分析技术名词英文缩写汉译

AES (Auger Electron Spectroscopy) 俄歇电子谱APS (Appearance Potential Spectroscopy) 出现电势谱ASF (Atomic Sensitivity Factor) 原子灵敏度因子     

消隐电势谱及其特性的实验证明

本文介绍自制的消隐电势谱仪及其实验结果。证明消隐电势谱与出现电势谱有所不同,现场分析蒸发钡膜的结果还表明它更为表面灵敏。     

可伐合金表面杂质分析

用共振光电子出现电势谱(RPAPS)对真空封接用可伐合金的表面进行了分析,并与俄歇电子谱(AES)和X射线光电子谱(XPS)进行比较。发现RPAPS可容易地分辨出杂质锰和铬,而AES和XPS则不能。由此可见RPAPS可能是一种重要的分析合金表面杂质的工具。     

铜表面电化学制备黑陶质感转化膜的研究

对铜在无硒电化学发黑液中的行为进行了研究.首先通过试验选择NaOH-H3BO3作为缓冲溶液体系,研究了铜在含0.1 mol/L Na2S的缓冲溶液中的循环伏安行为.根据循环伏安曲线上氧化峰的位置,确定铜电化学发黑的适宜电势.然后在不同电势下通过恒电势氧化或循环氧化-还原等方法制备了发黑膜.采用目视和电化学阻抗谱测量等方法,对发黑膜的色度、均一性、致密性和腐蚀防护性能进行了比较.结果表明,循环氧化-还原不能形成性能优良的发黑膜.在-0.8 V和-0.6 V (vs SCE)下形成的发黑膜颜色不均匀,色泽不佳,而在-0.05 V(vs SCE)条件下进行恒电势氧化则可在铜金属表面形成均匀致密、具有黑陶质感的发黑膜.     

微小电势的精密测量方法

用电位计直接测量0.5μV以下的微小电势,由于检流计零位飘移(简称零位电势)及寄生电势的影响,有时测量误差可达1μV左右。零位电势和寄生电势是随着仪器工作条件的改变而变化的,所以采用电流换向及零电势补偿的方法,都难以消除两者的影响,故不能取得满意的测量结果。下面介绍一种偏差法可以较好地解决这一问题。使用这一方法时,电位计的最小步值应小于或等于0.1μV。测量时,将电位计工作电流标准化以后,调整检流计光电放大倍数,使检流计电压分度值为(0.01～0.001)μV/每格左右,按被测电势大约范围,在测量盘上预置一定数值,并记下检流计偏转格数(称为预置数     

直流比较仪式电桥测量标准电阻时消除寄生电势影响方法的研究

使用直流比较仪式电桥对500Ω及以下电阻测量时,为了能使测量准确度达到百万分之一,必须消除寄生电势影响。文章从理论和操作上对消除寄生电势进行论述,保证了标准电阻测量时消除寄生电势影响和测量的准确性。     

软x射线及俄歇电子出现电势谱复合分析管的研制和应用

本文叙述了软X射线出现电势谱以俄歇电子出现电势谱的各自特点和两者相互复合的必要性和实用性。介绍了本复合分析技术的基本组成,其中着重介绍了复合分析管的结构和特点:并以不锈钢材料和钡钨阴极作为典范,以检测的分析结果表示了本复合技术相辅相成、互为补充的重要优点。     

基于改进型两次平衡对检法的感应分压器自校准方法

介绍了参考电势变压器和指零仪变压器设计原理,分析了屏蔽间泄漏对测量结果的影响;对常规两次平衡参考电势对检法进行了改进,使零平衡和段平衡测量过程中,参考电势和测差电路均可实现等电位保护;对自校准方法进行了推导,校准结果仅与段平衡和零平衡时锁相放大器测量的电压差值相关,与参考电势变压器、指零仪变压器、辅助变压器等的误差无关,屏蔽间泄漏的影响也得到消除。对1kV感应分压器进行了校准实验,并对校准结果进行了测量不确定度分析,其相对扩展不确定度的评估结果为5.4×10^-8(k=2)。     

测温毫伏计检定装置的改进

改进的毫伏计检定装置可以配合各种低阻低电势直流电位差计检定1.0级以下,测量上限小于100 毫伏,满度电流小于250微安的测温毫伏计(现在生产上所用的毫伏计基本上都在这个范围内)。检     

油田热电厂发电机内电势测量装置的应用

我厂在黑龙江省广域动态网监测系统PMU子站工程的建设过程中,分别在#1-3机组的汽轮机低压转子前端加装了发电机内电势测量装置转速探头,为监测系统提供键相脉冲信号,本文介绍了CSFU—107型发电机内电势测量装置在我厂的使用情况以及运行过程中出现的问题及解决方法。     

AEAPS用于电子(束)管闭管无损表面分析

俄歇电子出现电势谱(AEAPS)具有设备简单,谱峰分辩率高,谱线易辩认,能不使用任何能量分析器即能作材料表面成份分析等优点,本文报导了一种利用电子管内电极构成AEAPS谱技术,以检测管内电极表面成份。试验表明这种无损闭管表面分析能监视和跟踪电子管寿命过程中的物理过程,提供有益的信息。本文报导的是利用四极式电子管组成的AEAPS分析仪及其测试结果,对阳极表面成份分析结果表明,铜基底的阳极表面存在有钡、碳和氧等元素。其中钡的M、N系列及O系列的谱峰均清晰可见。     

常压化学气相沉积方法制备非晶硅薄膜及其光致发光性能研究

使用改进的常压化学气相沉积(APCVD)系统制备了非晶硅薄膜,测量了样品的光致发光特性,使用Raman光谱和X射线光电子能谱(XPS)谱测量了薄膜的微结构特征.样品在523 nm出现发光峰,Raman光谱和XPS谱表明制备的薄膜结构中存在富氧相和富硅相的分相现象,分析认为相界面的存在是产生发光的原因.Raman光谱分峰结果表明薄膜中存在纳米晶粒.     

电磁流量计虚电流势的测量

为了减少标定成本,电磁流量计干标定越来越受到重视。干标定理论中虚电流是一个重要的概念。本实验探究了通过实验测量虚电流势的方法。采用去离子水做测量介质,在两电极间施加低频方波电压,测得圆柱形流量计横截面上的电势数据,并与理论电势分布进行对比,验证了理论数据与测量结果的一致性。     

热电偶检定装置中数字电压表的选型探讨

通过对数字电压表测量低电势的综合测量性能指标的计算方法的介绍,为测温仪表的检定或校验装置中的电势测量标准的准确选用提供了一个可行的方法。     

真空技术

一般问题 在来自冷抑制栅的离子轰击下金属表面的浮游电势──《Vacuum》,1978,28,No8/9, 329──331(英文) 在用丝网作冷阴极离子源时,离子束与中性原子,溅射材料以及电子混合一起。介绍了用这种离子束轰击的金属表面浮游电势的测量情况。如果放电电流不太低,则指示的浮游电势在阴极电势的几十伏以内。估算了全部离子和电子流。图4,表1,参考文献3 (翁国屏) 用于红外线强烈的co2激射器脉冲的超高真空的低和高温的硅玻璃槽──《Reviewof.scientific,instruments》,1978,vol,49,Noll,P1571～1573。 本文叙述密封的硅玻璃槽在超高真空 ( 4 …     

铁/聚氯乙烯高能球磨的穆斯堡尔谱研究

用高能球磨法制备了铁 /聚氯乙烯 (PVC)纳米复合材料。穆斯堡尔谱学 (MS)用来测量复合材料中铁化合物的组分和铁的价态 ,结果表明复合材料中存在二价铁 (FeCl2 ·H2 O)、三价铁 ,还有界面谱垒加在原有的铁的六线谱上     

片式ZrO2氧浓差电池的制作及其特性研究

采用共沉淀方法制备YSZ粉料,经低温(1300℃)烧结,得到圆片状YSZ烧结体(Y_2O_3含量8mol%),采用热分解法涂制铂电极,采用新颖的热辐射压封法实现电解质圆片与Al_2O_3管封接,制成了氧浓差电池,测量了固体电解质的密度、电导率以及不同温度、不同氧分压、不同氧流量下浓差电池的电动势,通过电势一氧分压关系曲线和电势-氧流量曲线的实验测量,得到了与固体电解质电质、气体渗透性相关的参数。     

测量高频电桥残余相角及绕在磁心环上测量线圈的高频电阻的方法

测量铁氧体磁性材料高频磁谱(即μ′,μ″～f曲线)常使用高频电桥,但是高频电桥存在残余相角(下简称电桥相角)以及绕在磁心环上测量线圈本身存在的高频电阻(下简称高频电阻)会给测量带来误差,本文以CD5高频阻抗电桥为例,介绍测量电桥相角及高频电阻的简便方法。     

大面积PECVD平行板电极间电势差分布均匀性数值研究

应用二维准平面电路模型对等离子体增强化学气相沉积(PECVD)大面积平行板电极间电势差分布均匀性进行了数值研究.计算结果表明:在等离子体存在的条件下,电极间电势差分布非均匀性与真空下相比大大增加,电极间的电势驻波效应显著增强,在甚高频条件下会有一阶电势驻波节点出现.另外,波长衰减因子对电势差分布非均匀性影响也表明电极间的电势驻波效应在很大程度上是受等离子体辉光条件控制.本文数值计算结果与近来实验报道的相关结果有很好的吻合.     

使用软X射线出现电势谱仪研究不锈钢真空出气特性

木文介绍用国产JWC-1型无油超高真空机组、SJX-1四极分析器和自制软x射线出现电势能谱仪联合装置研究不锈钢的真空出气特性。获得了山不锈钢制做的无油超高真空系统的残余气体分析谱,主要残余气体是H_2O、CO、CO_2、CH_4和H_2。用电子轰击不锈钢样品主要脱出H_2O、CO、CO_2、CH_4、H_2和O_2记录了未经电子轰击处理和轰击处理1小时后的不锈钢中Cr的软x射线出现电势谱。从谱形看出,未经电子轰击处理不锈钢表面主要有Cr_2O_3层(峰高比L_3/L_2≈1),轰击处理1小时后,Cr_2O_3分解,表面主要出现Cr峰(L_3/L_2>1)。这可能是不锈钢在高温下失去抗腐蚀能力和电子轰击脱氧的原因之一。