共查询到10条相似文献,搜索用时 31 毫秒
1.
根据红外焦平面读出电路输出缓冲器的大输出摆 幅和大压摆率的特点,设计了一种应用于红外焦平面读出电路的新 型输出缓冲器,由于输出缓冲器需要一个较大的输出摆幅,所以采用轨对轨输入以及AB类输 出的全差分运放,使其在不损失 增益的情况下提高带宽和输出摆幅;并在轨对轨结构中插入恒定跨导电路,使电路更加稳定 ;在输出缓冲器高压摆率的要求下, 输出级插入压摆率提高电路,使电路达到更好的性能。该输出缓冲器采用TSMC 0.18 μm CMOS工艺,50 pF电容负载、100 kΩ 电阻负载,5V工作电压。仿真结果表明,在输入摆幅1~4.8 V的情况 下输出摆幅能到达1~4.8V,增益能达到100.34 dB,带宽 为58 MHz,正负压摆率分别为89 V/μs、-92 V/μs,其他仿真结果也均满足缓冲器的设计要求。 相似文献
2.
3.
设计了一种适合在低电源电压下工作的前馈型输入级放大结构,在全摆幅的动态工作范围内,输入级跨导保持不变,采用负载电流补偿以保证增益近似恒定,输出采用前馈型AB类输结构,实现全摆幅输出。 相似文献
4.
5.
6.
一种低电压全摆幅CMOS运算放大器 总被引:4,自引:0,他引:4
提出了一种工作于 3 V电压、输入输出均为全摆幅的两级 CMOS运算放大器。为使放大器有较小的静态功耗 ,运算放大器的输入级被偏置在弱反型区 ;输出级采用甲乙类共源输出级 ,以达到输出电压的全摆幅。模拟结果显示 ,在 1 0 kΩ负载下 ,运算放大器的直流开环增益为 81 d B,共模抑制比 91 d B;在 3 p F电容负载下 ,其单位增益带宽为 1 .8MHz,相位裕度 5 9° 相似文献
7.
为了提高运算放大器对电源电压的利用率,基于GSMC 0.18 μm CMOS工艺模型,设计了一种高增益恒跨导轨对轨CMOS运算放大器。该运算放大器的输入级采用了互补差分对,并通过3倍电流镜法保证输入级总跨导在整个共模输入范围内恒定;为了获得较大的增益和输出摆幅,中间级采用了折叠式共源共栅结构;输出级采用了AB类输出控制电路,使输出摆幅基本实现了轨对轨。在3.3 V供电电压以及1.6 V输入电压下,该放大器的直流增益为126 dB,单位增益带宽为50 MHz,相位裕度为65°。电路结构简单,易于调试,可大大缩减设计周期和成本。 相似文献
8.
9.
基于双极型集成工艺设计并制作了一种高压摆率、低输入偏置电流、低输入失调电流的运算放大器。输入级采用p沟道结型场效应晶体管(PJFET)共源结构,有利于减小输入偏置电流,提高信号接收的灵敏度,实现高输入阻抗、低偏置电流、低输入失调电流和高压摆率。增益级采用常规的共射放大电路结构。输出级采用互补推挽输出结构,提升了驱动负载的能力,并克服交越失真。测试结果表明:在电源电压±15 V、25℃环境温度下,开环电压增益为114.49 dB,正压摆率为12.33 V/μs,负压摆率为-9.76 V/μs,输入偏置电流为42.52 pA,输入失调电流为4.23 pA,输出电压摆幅为-13.56~14.16 V,共模抑制比为105.56 dB,电源抑制比为107.91 dB。 相似文献