硅光栅技术

制作硅光栅的微细加工工艺可分为体硅工艺和面硅工艺，这些微细加工方法在技术上与微电子及微机械工艺可以兼容，这使得制作集成式微型光谱仪成为可能。硅是一种良好的近红外材料，可以用来制作天文红外光谱仪器的浸没光栅。 本文重点介绍了硅光栅的制作工艺及其在不同领域中的应用。     

硅基薄膜发光材料

硅是微电子技术的基础材料，硅集成技术已高度发展，但硅却是非发光材料。为了发展硅基光电子技术，人们对硅基发光材料作了多方面的探索，其中有“缺陷工程”－在硅中引入作为辐射复合中心的杂技或缺陷，使之发光。“能带结构工程”－利用量子限制效应，利用具有不同能带结构的材料组合，获得硅基发光材料。“异质外延材料”－以硅为基底外延生长具有发光性能的材料。     

多孔硅发光—纳米硅量子海绵中的量子约束

多孔硅的发光是源自其最表面层,该层是非晶态的。本研究揭示其结构是随机分布在此表面的纳米尺度的硅。多孔硅的微结构好象量子海绵,没有观察到“线”状结构,是一种无序材料。多孔硅的发光极象是由于这种纳米硅原子簇中的量子限制。     

硅发光研究与进展

微电子技术的瓶颈和信息技术发展的需求加速了光电子学在硅基材料上实现光信息处理、光电子集成的研究,利用硅基材料制造出高质量的发光器件对光电子学以至整个信息技术均具有重要意义.由于受间接带隙能带结构的限制,天然硅材料具有很低的发光效率,不利于硅光源的实现.通过采用人工改性的方法提高硅的发光效率,多孔硅、硅纳米晶体、掺Er3+硅纳米晶和硅的受激拉曼散射均是目前可实现硅发光甚至硅激光的可行途径.回顾硅发光研究的历史进程,归纳总结了近年来可实现硅发光几种方法的原理、特点以及当前的研究进展.相信随着硅发光效率的提高及器件制备工艺的发展,硅发光研究不久将出现重大突破性成果,并有可能引起新的信息技术革命.     

多孔硅：从发光到发光二极管

硅显微电子革命的核心所在。它比起其它半导体来，其优势完全依赖于其优良的材料和加工性能，以及围绕它发展起来的巨大技术基础。其它半导体不可能代替硅作为诸多电子应用中的所选材料。然而硅是一种效率特低的发光材料，为此，它在诸多光学应用中并不具有同等的优势。很久以来人们就认识到发展一种把光学器件和电子器件既方便而又便宜地集成在一块硅片上的技术的重要性。此类进展会对显示、通讯、计算机和许多相关技术产生重大影响。事实上，把光电子集成在硅片上已经取得一些成功。例如，已能用硅制成高质量光探测器，此外，硅电荷耦合器…     

硅基发光材料研究进展

硅是一种非发光材料,发展光电子集成技术必须大力发展硅基发光材料,在此基础上,研究了各类与硅平面技术兼容的发光器件和集成电路。文章综述各类硅基发光材料、发光机制的研究成果与发展动态。     

纳米集成电路用硅基半导体材料

随着超大规模集成电路设计线宽向纳米尺寸过渡，对半导体硅材料的性能和参数提出了更加严格的要求。本文阐述了绝缘体上硅(SOI)和锗硅(SiGe)等主要硅基半导体材料的研究进展，讨论了这些材料应用于纳米集成电路和微电子、光电子器件的经济技术前景。     

硅基纳米材料发光特性的研究进展

近年,硅基低维材料物理与工艺的研究预示,硅基光电子学将是今后半导体光电子学的一个主要发展方向,而硅基低维发光材料又将成为半导体光电子集成技术的主要基础材料。随着硅基超晶格,量子阱和多孔硅研究的不断深化以及纳米科学技术的日益发展,硅基发光材料正向纳米方向开拓。     

多孔硅的应用研究进展

多孔硅是一种新型的纳米半导体光电材料,室温下具有优异的光致发光、电致发光等特性,易与现有硅技术兼容,极有可能实现硅基光电器件等多个领域的应用．扼要论述了多孔硅在绝缘材料、敏感元件及传感器、照明材料及太阳能电池、光电器件以及作为合成其它材料的模板等多个领域内的应用进展情况,并对其发展前景作了展望。     

硅基发光材料研究进展

阐述了等电子杂质、掺Er硅、硅基量子结构(包括量子阱、量子线和量子点)及多孔硅的发光机理,综述了90年代以来a-Si/SiO2、SiGe/Si等Si基异质结构材料的优异特性和诱人的应用前景,着重介绍了能带工程为Si基异质结构带来的新特性、新功能,重点介绍了硅基量子点的制备和发光机理,综述了半导体量子点材料的最新发展动态和发展趋势。     

碳化硅单晶切割技术研究

碳化硅单晶材料是第三代宽禁带半导体材料的代表,对电子产业的发展起到强有力的支撑。晶片加工技术是器件生产的重要基础和基本保证,任何具有优异特性的材料只有在成功有效的加工技术下才能发挥实际效能。本文介绍了切割工艺,通过工艺实验及对实验结果的分析,确定了切割工艺参数。     

Doping of semiconductors by molecular monolayers: monolayer formation,dopant diffusion and applications

The continuous miniaturization in the semiconductor industry brings electronic devices with higher performance at lower cost. The doping of semiconductor materials plays a crucial role in tuning the electrical properties of the materials. Ion implantation is currently widely used. Yet, this technique faces challenges meeting the requirements for smaller devices. Monolayer doping (MLD) has been proposed as one of the alternative techniques for doping semiconductors. It utilizes dopant-containing organic molecules and grafts them onto semiconductor surfaces. The dopant atoms are subsequently driven into the substrate by high temperature annealing. MLD has shown the capability for ultra-shallow doping and the doping of 3-D structures without causing crystal damage. These features make this technique a promising candidate to dope future electronic devices. In this review the processes for monolayer formation and dopant incorporation by annealing will be discussed, as well as the applications of MLD in device fabrication.     

PDP用烧成炉及烧结工艺技术的研究

本文对几种PDP用烧成炉的结构和特点进行了比较和分析；介绍了烧成炉设计时的气氛控制、加热器分布及电气控制方法。对PDP材料的烧成技术、工艺进行了研究和分析；最后从降低生产成本的角度，探讨了烧成技术的发展方向。     

Slow-trap profiling of NO and N2O nitrided oxides grown on Si and SiC substrates

In this paper, we demonstrate the unique ability of a newly developed slow-trap profiling technique to characterise silicon-based MOS capacitors in strong inversion. We also demonstrate the applicability of the slow-trap profiling technique for the characterisation of oxides grown on SiC. The obtained slow-trap profiles show that NO nitridation eliminates while N₂O creates defects acting as slow traps in the case of both Si and SiC substrates. The corresponding effects of nitridation on interface traps and fixed oxide charge are also discussed.     

Raman characterization of hydroxyl in fused silica and thermally grown SiO2

We developed Raman spectroscopy to characterize the hydroxyl (OH) solubility in fused silica and thermally grown steam SiO₂ from 695 to 1000‡C and 1–10 atm steam pressure. The technique was extended to measure the OH diffusion profiles in bulk v-SiO₂, and the derived diffusion coefficients supplement those published in the literature. Fused silicas processed with higner fictive temperatures display larger initial OH solubilities which decrease with time, but saturations at temperatures as low as 600‡C remove much of the prior thermal history as the glass structurally relaxes. The OH solubility appears to be proportional to the square root of external steam pressure; however, the quasiequilibrium temperature dependence is unresolved. The behavior of OH in fused silica and the thermally grown oxide is very similar when the two materials are identically processed.     

微电子技术中的材料兼容

微电子技术的发展对材料提出了更高的要求。本文评述了硅材料与其它半导体、绝缘物和导体的单片兼容技术及应用。     

硅质红外辐射导电材料的研制

本文根据制备高温红外辐射导电材料的基本原理，探讨了研制硅质红外辐射材料的工艺条件。     

A laser scan technique for electronic materials surface evaluation

A technique utilizing a scanning laser beam has been implemented to examine the surfaces of materials that are used in the form of flat plates or thin deposited films in the field of microelectronics. Unwanted holes in opaque films deposited onto transparent substrates can be detected by sensing the light transmitted through the holes or defects on a reflective surface can be detected by virtue of their light scattering properties. A typical application is the inspection of silicon wafers that have been highly polished preparatory to film deposition for the planar technology of semiconductor device building. Defects as small as one micron can be detected. An entire wafer 5 cm in diameter can be scanned in 40 seconds to give: 1) a total defect count, and 2) a map of defect locations displayed on an oscilloscope screen.     

硅微电子兼容技术的发展

硅微电子兼容技术是微电子技术与其它相关技术相互结合的产物,是微电子学科领域的重要发展方向之一,并使其在性能和应用领域等方面得到进一步的提高和扩展.本文主要介绍GaAs/Si、SiGe/Si、LB/Si、低温微电子、真空微电子和超导/半导兼容技术的新进展和发展趋.