Mg在GaP材料中掺杂行为的SIMS分析

Mg of Gap doping characteristics in MOCVD have been studied by using SIMS (Secondary Ion Mass Spectrometry) measurement. The experimental results show that the Mg incorporation is considered to be limited by Mg revaporization from the growth surface under the higher temperature and the Mg electrical activity decreases with increasing cP2Mg flowrate. The activation energy of Mg in GaP is also respectively obtained.     

EH系统油动机螺栓断裂分析

采用宏、微观检验方法对电液压系统油动机的断裂螺栓进行了分析,确认螺栓机加工不当引起疲劳裂纹的萌生及扩展,加之螺栓受力不均匀加速了疲劳断裂过程,提出了预防螺栓疲劳开裂失效的防范措施及改进建议。     

环氧树脂的飞行时间次级离子质谱仪（TOF—SIMS）分析

用飞行时间次级离子质谱仪结合银离化技术，研究了两种型号的环氧树脂；发现了一些不同结构的成分，指出了其可能的结构，提出了一种测量不端基水解率的方法。     

激光诱导铂硅界面反应

本文用声光调Q Nd:YAG激光二次谐波诱导铂膜与P型Si(111)片在界面上发生的化学反应。     

层状材料二硫化钛单晶的制备

用碘输运法,采用三温区工艺合成和生长 TiS_2单晶。作为高温反应区的中区保持1000℃,两端交替地作为硫冷凝区和供硫区。合成阶段,两端区的温度按一定程序升温,最后直至分别为800℃和900℃。晶体生长阶段,生长区的温度在800℃作±10℃的摆动,用这种温度摆动工艺得到金黄色的片状单晶,最大晶片的面积达10×5毫米~2。晶体经 X 射线衍射分析、扫描电镜观察,看出 TiS_2的特征谱线和六角形层状图象。经化学分析和电子探针微区分析表明符合化学计量比。测得 a 轴和 c 轴的电阻率分别为10~(-3)—10~(-4)和10~(-1)—10~(-2)欧姆·厘米。会聚束电子显微镜作精细结构衍射分析拍得非常清晰的六重对称图案,表明结构完整性很好。制成 Li 电池,能量密度达296瓦·时/公斤,可逆性较好。     

聚焦离子束(FIB)的透射电镜制样

亚微米IC芯片的发展,对于TEM在IC的失效分析和工艺监控过程中所担负的工作提出了越来越高的要求。许多方法和手段被用于解决TEM制样这个问题[1]。FIB技术被证明为现今最有效的精确定位制样的方法[2]。原有TEM制样技术的定位减薄难,单次制样成功率低,且对单一器件的定位能力差的难题,可通过电视监测和聚焦离子磨削的方法加以克服。利用这种技术,可以完成以往难以实现的IC芯片的精密定位制样工作,使透射电镜在亚微米级IC的分析中达到实用性阶段。本文介绍该技术使用的具体方法。实验过程实验所用设备为美国fei.公司所生产的FIB200型…     

稳健估计用于氮化铝金属化工艺的研究

应用化学镀镍的方法实现了氮化铝的金属化。为得到较大的氮化铝金属化层粘附力 ,运用基于稳健估计的神经网络研究氮化铝金属化中化学镀镍的反应参数与金属层粘附力的关系。为使神经网络更加稳健 ,本文根据统计学原理 ,在前馈神经网络基础上 ,采取稳健估计方法改进神经网络。建立了定量预测粘附力性能的模型 ,并进行实验验证。确定金属化工艺中稳定的优化工作区域。结果表明 ,稳健估计方法既有传统神经网络的优点 ,又有较强的抵抗异常值的能力 ,具有较广泛的实用性。     

倒装芯片中铝腐蚀的红外显微镜观测研究

倒装芯片（ｆｌｉｐｃｈｉｐ）是当前电子封装领域中的研究热点之一．本文利用新型的红外显微镜,在不破坏焊点的情况下,首次观测到一种倒装芯片封装器件经过稳态湿热试验后的铝腐蚀模式,并用一种有损失效分析的方法验证了红外显微镜的观测结果．实验发现,该倒装芯片在含有与不含有下部填充料的情况下具有完全不同的铝腐蚀模式和腐蚀机理     

有机印制板上倒装芯片的可靠性研究

对一种有机印制板上倒装芯片（Ｆｌｉｐｃｈｉｐ）进行温度循环试验,测出其失效分布曲线,然后通过扫描声显微镜、红外显微镜和剖面等失效分析手段,发现失效模式主要是合金焊点中的断裂以及下部填充料（Ｕｎｄｅｒｆｉｌ）中的损伤如分层（Ｄｅｌａｍｉｎａｔｉｏｎ）和内部裂缝（Ｃｒａｃｋ）。详细地阐述了倒装芯片中的下部填充料损伤在温度循环试验条件下的产生、发展及它们对合金焊点可靠性的影响。     

聚焦离子束辅助淀积的淀积速率模型

在U.G.Meyer离子与表面吸附气体相互作用模型的基础上,提出了聚焦离子束辅助淀积的淀积速率模型.该模型包含了淀积过程中淀积作用和溅射作用的共同影响,指出在一定的离子束电流和反应气体流量下,影响淀积速率的主要因素是离子束的照射时间和扫描周期.模型的计算结果与实验结果比较取得了较好的吻合,说明该模型比较精确地反映了聚焦离子束辅助淀积的物理过程.