TSBA8F40等：肖特基势垒二极管

天水天光半导体推出小尺寸的超小型双硅片无引脚封装的TSBA8F40型肖特基势垒二极管，产品采用了标准的01005芯片级封装技术，并推出系列产品：TSB02F30（0201）型、TSB05F20（0402）型、TSB10F40（0502）型、TSB20F40（0603）型DSN-2封装肖特基势垒二极管。     

Vishay发布12个采用不同封装的45V TMBS TrenchMOS势垒肖特基整流器

日前,Vishay Intertechnology,Inc.宣布,推出12款采用3种功率封装、具有10～40A额定电流范围的新型45V器件--V（B,F）T1045BP、V（B,F）T2045BP、V（B,F）T3045BP和V（B,F）T4045BP,     

PLC在脉动灭菌锅中的应用

针对老式的灭菌锅基本进行手动操作,无法进行F0值计算,不能对灭菌温度进行适时监测,时间控制人为因数大,灭菌效果不好.提出了采用TPLC和触摸屏控制系统来改造原有的电气控制系统.     

新书介绍

计算机会计业务技能训练教程：财务业务一体化解决方案（F232）,现代分离方法与技术（TQ028）,六西格玛绿带统计分析（F273．2）     

非晶氟化碳膜的制备与性能研究

采用电子回旋共振等离子体化学气相沉积（ECR-CVD）的方法,以C4F8和CH4为源气体,在不同气体质量流量比R（R=m（CH4）：m（CH4＋C4F8））条件下制备了非晶氟化碳（a-C：F）薄膜.采用X光电子能谱（XPS）和傅里叶变换红外（FTIR）光谱技术分析了a-C：F薄膜的化学结构.FTIR分析表明,a-C：F薄膜中含有CFx（x=1～3）,CF=C以及位于a-C：F交联结构末端的CF2=CF等基团,没有迹象表明有C-H存在.XPS C1s峰各结合态与结合能的对应关系分别为：CF3（295 eV）,CF2（293 eV）,CF（291 eV）,C-O（289 eV）,C-CFx（x=1～3）（287 eV）以及位于a-C：F交联结构末端的C-C（285 eV）.随着气体质量流量比R的增大,a-C：F薄膜中的F含量和位于a-C：F交联结构末端的C-C含量减小,而交联C-CFx含量增大.而且当气体质量流量比R增大时,a-C：F薄膜介电常数随着电子极化减小以及薄膜密度增大从2.1上升到2.4,漏电流随着π价带态和π＊导带态之间带隙的减小而上升,薄膜热稳定性随着破坏薄膜交联结构的CF3和CF2=CF等不稳定成分的减少以及C-CFx交联结构的增多而上升.     

时尚 潮流 方块——FujiFilm FinePix F440数码相机

市面上如卡西欧（CASIO）EXILIM EX Z40、宾得（PENTAX）Optio S4i等精巧时尚的机型层出不穷，富士（Fujifilm)自FinePix F401以来，F4xx系列的F410、截获20均有不错的战绩，而此次新推出的FinePix F440(以下简称F440）则更加小巧、更具杀伤力。     

氟化非晶碳薄膜结构与热稳定性研究

在室温下以C4F8和CH4为前驱气体,用电子回旋共振化学气相沉积（ECR-CVD）的方法生长了氟化非晶碳（α-C：F）薄膜。通过傅立叶变化红外光谱分析（FTIR）和X射线光电子能谱分析（XPS）对薄膜的化学结构和成键情况进行了研究。CFx（x=2～3）以及位于DC交联结构末端用于构成CxFy大分子结构的C-C键的热稳定性较差,在N2气氛下退火后,会以气态形式进行分解,导致α-C：F薄膜膜厚的减小。随着源气体流量比R=[C4F8]／（[C4F8]＋[CH4]）的减小．α-C：F薄膜中C-CFx交联结构逐渐增多,CFx（x=2～3）基团及构成CxFy大分子结构的C-C键逐渐减少,薄膜的热稳定性得到著提高。α-C：F薄膜在退火后,由于取向极化的增大和电子极化的减小,以及薄膜密度的增加使得α-C：F薄膜的介电常数有所增加。     

F原子与胺类分子反应的可见化学发光研究

在交叉分子束装置上，进行了F原子与胺类分子（甲胺、乙胺、正丙胺、正丁胺）反应的可见化学发光实验研究，依次观察到了HF（3，0）、（4，0）、（5，1）、（6，2）、（7，3）、（8，4），HCF（A－X）和CN（A，B－X）的发射光谱．除F原子与甲胺的反应外，其余反应还观察到TCH（A－X）发射谱．依据产物光谱强度随反应物和反应压力的变化，对F原子与胺类分子反应的动力学过程进行了分析．     

帧间积累相邻回波不连通的慢速小目标航迹提取方法

针对传统算法难以实现对相邻积累回波不连通慢速小目标航迹起始的问题,提出了一种基于Hough变换慢速小目标航迹提取方法。引入目标回波最小外接矩形长宽比（F3）和占空比（F2）对目标回波进行分类处理,在每个分类域中,利用目标回波最小外接矩形长宽比（F3）、占空比（F2）和像素值（F1）三个参量值作为Hough变换加权因子,并运用图像标记技术提取目标回波上述加权因子,通过加权Hough变换提取出每个分类域中的慢速小目标航迹,最后把所有分类域航迹提取结果进行累加,得到最终的SST航迹。仿真结果验证了该算法的有效性。     

FTTH系统设计计算（2）

6 无EDFA再发送业务系统（F） 从这一部分开始对7个典型的FTTH系统进行设计计算。首先,设计计算较简单的再发送业务系统（F）和（G）。然后,设计计算5个多频道业务系统。     

规范化培训护士评判性思维特征分析

目的:调查规范化培训护士培训结束后评判性思维特征,为改进规范化教学提供资料.方法:使用评判性思维态度倾向性调查表一中文版本对我院130名规范化培训护士进行问卷调查.结果:规范化培训护士评判性思维得分偏低(242.14±20.70).在系统能力和求知欲方面,不同学历间有差异(F=4.192,P=0.02;F=3.25.P...     

基于芴和2，4-二氟苯的寡聚物的合成与表征

为了对比不同分子结构的芴类寡聚物在光物理性质上的差异，将9，9-二（十二烷基）-芴（F1）和2，4-二氟苯硼酸通过Suzuki偶联反应合成并表征了一系列寡聚物：2．（2，4-二氟苯）-9，9-二（十二烷基）-芴（FF1）、2，7-二（2，4-二氟苯）-9，9-二（十二烷基）-芴（FF2）、二-（2-（2，4-二氟苯基）．9，9-二（十二烷基）-芴）-7-（2，4-二氟苯）-9，9-二（十二烷基）-芴（FF3）以及1-溴-3，5-二（2-（2，4-二氟苯）9，9-二（十二烷基）．芴）-苯（FF4）。依照F1，FF1，FF2和FF3的次序，由π-π跃迁导致的最大紫外吸收依次红移，而寡聚物FF4的最大紫外吸收相对于寡聚物FF3要蓝移，其薄膜的最大荧光发射相比于寡聚物FF3要红移。这说明分子的线形、支化结构和由此引起的聚集态结构的变化对其光物理性能都有重要影响。密度泛函理论计算和实验结果基本-致。通过光降解实验还发现含氟寡聚物具备较好的光稳定性。     

基于DSP的交流异步电机高精度调速系统设计

针对交流异步电机的特性,设计了一套基于DSP的交流异步电机高精度调速系统。系统应用矢量控制技术作为系统的总体控制方案,以TI公司电机控制专用的高速数字信号处理器（DSP）TMS320F2812为系统的核心处理器,三菱电机公司的PS21246智能功率模块（IPM）为逆变器件,在此基础上运用空间电压矢量脉宽调制技术和模糊PI控制算法,构建了一个基于TMS320F2812 DSP的交流异步电机高精度控制平台。     

TD-LTE(F)系统干扰问题分析

TD-LTE采用F频段组网面临着较为复杂的干扰问题,异系统干扰将会导致系统吞吐能力的下降。本文对TD-LTE F频段的干扰原因进行分析,并通过现网测试确认相关干扰源,最后提出TD-LTE系统与其他各系统的隔离度要求及F频段天面规划设计流程。     

基于ADIDSPBF506F的汽车EPS方案

随着电子技术的发展,电动助力转向系统（ElectricPowerSteering,EPS）作为传统液压助力转向系统（HydraulicPowerSteering,HPS）和电动液压助力转向系统（Electro—HydraulicPowerSteering,EHPS）技术的替代者,其应用愈来愈广泛。本文通过分析EPS的基本原理、市场以及技术优势,结合英飞凌、TI、飞思卡尔等半导体厂商的EPS方案研发现状,给出基于ADIBF506F的EPS方案和技术评估。     

TD—LTE系统天馈演进策略探讨

本文首先对TD—LTE（D频段）与TD—SCDMA（F、A频段）共用天馈线的性能进行了理论分析,针对共用天线引起的控制信道（无波束赋形）和业务信道性能变化进行了系统仿真验证,随后针对TD—LTE室内分布的天馈形态进行了分析,最后针对TD—LTE天馈线的工程实施方案进行了探讨。     

基于局部多项式傅里叶变换的语音盲源分离

频域的语音信号盲源分离多采用短时傅里叶变换以及Wigner-Ville分布(WVD)求信号的功率谱,而短时傅里叶变换对于多分量信号的频率分辨率受窗函数影响很大,WVD是一种非线性时频变换,处理多分量信号受交叉项影响很大。局部多项式傅里叶变换(LPFT)不仅提高了频率估计精度而且大大减少了时频分布中交叉项的影响。将语音信号表示为多分量的多项式相位信号,对语音信号作二阶LPFT,求得其局部多项式傅里叶变换谱(LPP),并构造时频矩阵,采用联合近似对角化算法求得能使信号功率谱矩阵近似对角化的一个酉矩阵,通过信号的白化以及酉矩阵来估计源信号,有效地分离出了原始信号。仿真结果表明,在噪声环境下可以将两个不同的语音信号进行分离。     

MCL-YOLO：一种细粒度特定辐射源识别方法

特定辐射源识别（Specific Emitter Identification, SEI）广泛应用于电子对抗、频谱管控、无线网络安全等军民领域。针对传统SEI方法依赖先验知识、普适性差、细粒度任务难以精细识别的问题,首先,利用接收机组建采集系统,采集Wi-Fi辐射源信号的数字频谱余晖图数据,建立国内首个特定辐射源识别数据集;其次,提出关注目标局部细微特征的Mutual Channel Loss-YOLO(MCL-YOLO)网络模型,充分挖掘数字频谱余晖图三维信息,高度聚焦子类间微小差异,实现细粒度特定辐射源识别;最后,在Wi-Fi辐射源个体数据集（WFED）上进行对比实验验证。实验结果表明,MCL-YOLO在WFED上精确率（Precision, P）、召回率（Recall, R）、F1测度（F1-Score, F1）和均值平均精度（mean Average Precision, mAP）比YOLOv5s分别提高2.9%、2.5%、2.7%、1.1%。充分证明其能聚焦相似特征间的细微差异,提高模型在细粒度SEI任务中的有效性。     

08F钢离子软氮化扩散层中γ’-Fe4（C,N）形态及晶体学取向关系

利用扫描电子显微镜(SEM)和透射电子显微镜(TEM)研究了08F钢离子氮碳共渗扩散层中的γ’-Fe4(C,N)相的形态及其晶体学取向关系。结果表明,扩散层中的γ’-Fe4(C,N)相具有针状、片状和带状三种相貌。γ’-Fe4(C,N)相内部又分为层错型和非层错型两种,且含层错的γ’-Fe4(C,N)占多数。另外,γ’-Fe4(C,N)与α-Fe晶体学取向关系符合近似的N-W和K-S关系,即当[1 11]α//[101]γ’或者[100]α//[110]γ’时,则{110}α//{111}γ’+1.6°;当{110}α//{111}γ’,则[1 11]α//[101]γ’+0.9°。     

基于AD9851的受控正弦信号发生器设计

以TI公司超低功耗单片机（MSP430F420）,电流变送器（XTR105PA）,电流接收器（RCV420KP）及DDS芯片AD9851为主要器件,设计二线式电流型电阻变送器控制的正弦信号发生器,变送器可变电阻阻值范围为1 000～2 000Ω,对应输出频率为1 000～2 000kHz的正弦信号,可用示波器显示,阻值由LED显示。