共查询到18条相似文献,搜索用时 156 毫秒
1.
用稀土金属铽(Tb)作催化剂,通过磁控溅射和退火氨化法成功制备出大量单晶GaN纳米棒,并研究退火温度对GaN纳米棒表面形貌、晶体质量和发光特性的影响。扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射(XRD)和光致发光谱(PL)测试结果显示,随着退火温度的升高,纳米棒的直径和长度增大,结晶质量先变好后变差,PL测试发现了位于369nm处的强发光峰和387nm处的弱发光峰,其发光强度随退火温度的升高先增强后减弱,发光峰的位置并不改变,进而得出了制备GaN纳米棒的最佳退火温度为950℃。利用高分辨透射电子显微镜(HRTEM)对950℃下制备的样品进行检测,结果显示样品为六方纤锌矿结构的单晶GaN纳米棒。 相似文献
2.
通过结合静电纺丝和氨化技术方法合成了Eu2 掺杂的GaN(GaN:Eu2 )纳米纤维。SEM和TEM图像显示纳米纤维由尺寸均匀分布的GaN纳米颗粒组成。XRD测试结果表明GaN:Eu2 样品主要为六方相GaN(h-GaN),其平均粒径为7.3 nm。进一步的拉曼测试结果显示出现了两个额外的GaN拉曼位移,波数分别位于252和422 cm-1。室温光致发光谱表明GaN基质中的Eu 2 在407 nm处产生了强烈的特征蓝色发光峰。 相似文献
3.
采用电泳沉积法在Si(111)衬底上制备GaN薄膜,并研究退火温度对GaN薄膜晶体质量、表面形貌和发光特性的影响。傅立叶红外吸收谱(FTIR)、X射线衍射(XRD)和扫描电镜(SEM)的测试结果表明所得样品为六方纤锌矿结构的GaN多晶薄膜,随退火温度的升高,晶粒尺寸增大,结晶化程度提高。室温下光致发光谱的测试发现了位于367 nm处的强发光峰和437 nm处的弱发光峰,其发光强度随退火温度的升高而增强,但发光峰的位置并不发生移动。 相似文献
4.
《红外与毫米波学报》2017,(6)
通过结合静电纺丝和氨化技术方法合成了Eu~(2+)掺杂的GaN(GaN:Eu~(2+))纳米纤维.SEM和TEM图像显示纳米纤维由尺寸均匀分布的GaN纳米颗粒组成.XRD测试结果表明,GaN:Eu~(2+)样品主要为六方相GaN(hGaN),其平均粒径为7.3 nm.进一步的拉曼测试结果显示出现了两个额外的GaN拉曼位移,波数分别位于252和422 cm~(-1).室温光致发光谱表明GaN基质中的Eu~(2+)在407 nm处产生了强烈的特征蓝色发光峰 相似文献
5.
利用简单的热蒸发CdS粉末方法,可合成出高质量的CdS微米柱。通过调控Si衬底上Au膜的厚度,能够大面积合成出尺寸均一的CdS纳米带和纳米棒。系统地研究了所合成样品的相、微结构和光致发光特性。室温下样品的发光结果表明可在所合成CdS微米柱上观察到位于约512 nm对应于其带隙的强发光峰。与CdS微米柱不同的是,可在所合成的CdS纳米带和纳米棒样品上分别观测到位于约521和543 nm,528和550 nm处对应于带边附近的发射强峰。并且,所合成的CdS纳米带和纳米棒展现出位于约710和712 nm位置处的宽峰,该峰的出现与结构缺陷、离子缺陷或杂质有关。与CdS纳米带的发光性能相比,所合成的CdS纳米棒表现出增强的发光性能。 相似文献
6.
《固体电子学研究与进展》2014,(3)
在1 050°C条件下,利用碳热蒸发的方法在NiO覆盖的Si(100)衬底上制备了回力标形状的ZnO纳米棒,这是一种新的ZnO的纳米结构。通过结构分析,发现这种回力标形状的ZnO纳米棒具有纤锌矿结构。室温的光致发光图谱中有两个发光峰:380nm附近的弱近紫外发光峰和524nm及575nm附近较宽的绿光发光峰。拉曼谱以及X电子能量谱也用于研究其性质。最后讨论了缓冲层的作用及ZnO纳米棒的生长机理。 相似文献
7.
8.
使用一种新奇的稀土元素铽(Tb)作催化剂,通过氨化磁控溅射在Si(111)衬底上的Ga2O3/Tb薄膜,合成了大量的GaN纳米棒,氨化温度为950℃,氨化时间为15min。该方法可以进行持续合成且制备的GaN纳米棒纯度较高、成本低廉。实验后分别用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射(XRD)、透射电子显微镜(TEM)、高分辨透射电子显微镜(HRTEM)和X射线光电子能谱(XPS)对样品进行了结构、表面形态和成分测试。通过XRD和XPS测试分析,合成的纳米棒具有六方纤锌矿GaN结构;通过SEM、TEM和HRTEM观察分析得出合成的纳米棒为单晶GaN纳米棒。简单讨论了GaN纳米棒的生长机制。 相似文献
9.
采用简化的种子层制备工艺在ITO基底上制备了ZnO种子层,并使用化学溶液沉积法制备了高度取向的ZnO纳米棒阵列。采用XRD和SEM对ZnO纳米棒的结构和形貌进行表征,并对样品的光学性能进行了测试。测试结果表明,所制备的ZnO纳米棒为c轴择优取向的六角纤锌矿结构,直径为66~122nm可控,且排列紧密,形貌规整。光学性能测试结果表明,吸收光谱在375nm附近表现出强烈的紫外吸收边是由于禁带边吸收引起的;反射光谱具有一定的周期振荡性,可用于薄膜厚度的估算;光致发光谱在378nm附近有很强的紫外发射峰;增大生长液浓度和高温退火可降低缺陷发光,改善结晶质量。 相似文献
10.
使用一种新奇的稀土元素铽(Tb)作催化剂,通过氨化磁控溅射在Si(111)衬底上的Ga2O3/Tb薄膜,合成了大量的GaN纳米棒,氨化温度为950℃,氨化时间为15min。该方法可以进行持续合成且制备的GaN纳米棒纯度较高、成本低廉。实验后分别用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射(XRD)、透射电子显微镜(TEM)、高分辨透射电子显微镜(HRTEM)和X射线光电子能谱(XPS)对样品进行了结构、表面形态和成分测试。通过XRD和XPS测试分析,合成的纳米棒具有六方纤锌矿GaN结构;通过SEM、TEM和HRTEM观察分析得出合成的纳米棒为单晶GaN纳米棒。简单讨论了GaN纳米棒的生长机制。 相似文献
11.
12.
13.
S. S. Kurbanov Sh. Z. Urolov Z. Sh. Shaymardanov H. D. Cho T. W. Kang 《Semiconductors》2018,52(7):897-901
The photoluminescence properties of ZnO nanorods synthesized by the low-temperature hydrothermal and high-temperature vapor-phase methods are studied. At room temperature, the photoluminescence of ZnO nanorods synthesized by the high-temperature vapor-phase method exhibits only one highintensity ultraviolet peak at a wavelength of 382 nm. At the same time, the luminescence spectra of ZnO nanorod samples grown by the low-temperature hydrothermal method, but with the use of different chemical reagents exhibit, apart from the ultraviolet peak, a violet band or a yellow-orange band at ~401 and ~574 nm, respectively. The violet luminescence band is attributed to defects or zinc vacancy complexes, and the yellow-orange band to defects associated with interstitial oxygen. 相似文献
14.
采用水热法制备了纯相Tb(OH)_3纳米棒,并以Tb(OH)_3纳米棒为掺杂剂制备了Tb~(3+):SiO_2光转换功能薄膜。研究了反应温度、离子浓度以及pH值对Tb(OH)_3纳米棒形貌结构的影响,同时研究了Tb(OH)_3纳米棒和Tb~(3+):SiO_2薄膜的发光性能。结果表明:在pH值为9.0,水热温度为180℃,离子浓度为0.25mol/L时合成的纳米棒在492,543,584和621nm处都有明显的荧光发射;而且,与其他样品相比,其荧光强度最强。在紫外光激发下,Tb~(3+):SiO_2薄膜在表现出Tb~(3+)特征发光的同时,也在400~480nm处表现出较强的宽带蓝紫光发射。 相似文献
15.
采用卢瑟福背散射/沟道技术,X射线双晶衍射技术和光致发光技术对几个以MOCVD技术生长的蓝带发光差异明显的未掺杂GaN外延膜和GaN:Mg外延膜进行了测试。结果表明,未掺杂GaN薄膜中出现的2.9eV左右的蓝带发光与薄膜的结晶品质密切相关。随未掺杂GaN的蓝带强度与带边强度之比增大,GaN的卢瑟福背散射/沟道谱最低产额增大,X射线双晶衍射峰半高宽增大。未掺杂GaN薄膜的蓝带发光与薄膜中的某种本征缺陷有关。研究还表明,未掺杂GaN中出现的蓝带与GaN:Mg外延膜中出现的2.9eV左右的发光峰的发光机理不同。 相似文献
16.
J. M. Zavada R. G. Wilson U. Hömmerich M. Thaik J. T. Seo C. J. Ellis J. Y. Lin H. X. Jiang 《Journal of Electronic Materials》2003,32(5):382-387
We have conducted a study of the material and infrared-luminescence properties of Er-implanted GaN thin films as a function
of annealing. The GaN films, grown by metal-organic chemical-vapor deposition, were coimplanted with Er and O ions. After
implantation, the films were furnace annealed at temperatures up to 1,100°C. Following each annealing stage, the samples were
examined by photoluminescence (PL) measurements and secondary ion-mass spectrometry (SIMS) analysis. In the as-implanted samples,
no PL signal near 1,540 nm could be detected with either above-bandgap or below-bandgap excitation. Only after annealing at
temperatures above 900°C was the 1,540-nm luminescence detectable. Annealing at higher temperatures resulted first in an increase
and then a decrease in the PL-signal intensities. The SIMS data showed that large concentrations of Al, O, and C atoms entered
into the GaN films with high-temperature annealing. The stoichiometric changes in the GaN appear responsible for the changes
in the Er-related luminescence. 相似文献
17.
18.
The synthesis of hexagonal wurzite one-dimensional (1D) GaN nanostructures on c-Al2O3 substrates was investigated using a thermal chemical vapor deposition (CVD) process. The diameter of the GaN nanostructures was controlled by varying the growth time using a mixture of GaN powder and Ga metal with the ammonia gas reaction. The morphologies of the GaN nanowires and nanorods were confirmed by field emission scanning electron microscopy. The micro-Raman spectroscopy and X-ray scattering measurements indicated that the GaN nanostructures had a hexagonal wurzite structure without any oxide phases. We investigated the difference in the structural properties between the GaN nanowires and nanorods. Deep-level emission bands were not observed in cathodoluminescence measurements from either the GaN nanowires or nanorods, indicating the incorporation of low-level impurities into our 1D GaN nanostructures. 相似文献