0.1μmT型栅PHEMT器件

通过电子束和接触式曝光相结合的混合曝光方法 ,并利用复合胶结构 ,一次电子束曝光制作出具有 T型栅的 PHEMT器件 ,并对 0 .1μm栅长 PHEMT器件的整套工艺及器件性能进行了研究 .形成了一整套具有新特点的PHEMT器件制作工艺 ,获得了良好的器件性能 (ft=93.97GHz;gm=6 90 m S/mm ) .     

0.15μm Y型栅高In沟道GaAs PHEMT低噪声器件设计

设计了一种GaAs PHEMT低噪声器件。通过电子束直写手段实现了0.15μm Y型栅,对栅型优化以减小器件栅电阻和栅寄生电容。采用高In含量的沟道设计以改善沟道电子输运特性,采用InGaAs/GaAs复合帽层以改善欧姆接触特性,并通过低噪声工艺流程制作了4×50μm GaAs PHEMT器件。测试结果表明,器件fT达到80GHz,在10GHz处最小噪声系数小于0.4dB,相关增益大于10dB。对于0.15μm栅长GaAs PHEMT器件来说,这是很好的结果。     

0.1μm T型栅PHEMT器件

通过电子束和接触式曝光相结合的混合曝光方法,并利用复合胶结构,一次电子束曝光制作出具有T型栅的PHEMT器件,并对0.1μm栅长PHEMT器件的整套工艺及器件性能进行了研究．形成了一整套具有新特点的PHEMT器件制作工艺,获得了良好的器件性能(ft=93.97GHz;gm=690mS/mm)．     

30GHz、4dB的GaAsFET研制成功

<正> 东芝研制成功了频率为30GHz、噪声系数为4dB、最大可能增益 MAG 为8dB 的低噪声GaAs FET。它用电子束曝光实现了0.25μm 的栅长。如果栅长由过去的0.5μm 减少一半的话,栅布线电阻就要增加。为解决这个问题,把栅电极金属铝加厚到0.8μm,同时设置两个栅供电点,这样得到的布线电阻与0.5μm 栅的情况相等。此外,为了降低源电阻,采用凹槽结     

电子束直写直栅和T形栅工艺技术应用

介绍了用电子束直写技术在GaAs圆片上制作≤0.5μm栅和T形栅的工艺技术,并在GaAs器件的研制中得到应用。     

制作短沟道硅MESFET的自对准工艺

不久以前,国外报导了一种制作短沟道硅MESFET(金属半导体场效应晶体管)的自对准工艺方法,用此方法制得的MESFET的栅长为0.2μm,源漏n~+区的间距为1.2μm.实现了除衬底的给电容外的主要寄生元件都很小的短沟道FET.这个制作方法采用电子束曝光法使栅长缩短到亚微米,其关键是利用     

14.5～15GHz11W内匹配功率器件

介绍了一种采用GaAs PHEMT管芯设计的超高频内匹配功率器件。为了在更高的频率获得较高的输出功率,采用0.25μm栅长的PHEMT工艺,制作了总栅宽19.2 mm的大功率管芯。采用频带较宽的微带渐变传输线和T型网络共同组成栅极和漏极的匹配电路,并对封装管壳进行优化,有效提高了器件的微波特性。在带内频率14.5～15 GHz、漏源电压Vds为8 V时,器件输出功率大于40.4 dBm(11 W),线性功率增益为7 dB,功率附加效率大于23%。     

高功率密度高效率28V GaAs PHEMT技术

报道了采用双场板设计的GaAs PHEMT器件,该器件栅长为0.5μm,工作电压28V,在2GHz下饱和输出功率2.18W/mm,功率附加效率PAE=67%。     

0.07μm的CMOS技术

据《NEC技报》1996年第5期报道，NEC最近开发了栅长为0．07μm的CMOS。在1．5V电源电压下，其迟延时间为19．7ps。这种0．07μmCMOS器件采用如下技术：①为了控制因栅长缩短而引起的阈值电压下降，采用了35um深度的源一漏连接技术；②为防止栅阻抗下降而开发了p－n型钨多边栅（tungstpolysidegate）电极技术；③为降低寄生电容而采用了离子注入技术；④采用0．07μm约电子束曝光技术。0.07μm的CMOS技术@孙再吉     

A High Performance 0.18μm RF nMOSFET with 53GHz Cutoff Frequency

阐述了0.18μm射频nMOSFET的制造和性能. 器件采用氮化栅氧化层/多晶栅结构、轻掺杂源漏浅延伸结、倒退的沟道掺杂分布和叉指栅结构. 除0.18μm的栅线条采用电子束直写技术外，其他结构均通过常规的半导体制造设备实现. 按照简洁的工艺流程制备了器件，获得了优良的直流和射频性能：阈值电压0.52V，亚阈值斜率80mV/dec，漏致势垒降低因子69mV/V，截止电流0.5nA/μm，饱和驱动电流458μA/μm，饱和跨导212μS/μm (6nm氧化层，3V驱动电压）及截止频率53GHz.