HgCdTe外延用的CdZnTe衬底研制

阐述了ＣｄＺｎＴｅ衬底在红外焦平面阵列探测器研究中的重要性;概括了ＣｄＺｎＴｅ晶体生长的方法、原理和工艺步骤;分析了影响晶体质量（单晶面积、组分及均匀性、结晶完整性、光电特性）的因素,并提出了与质量相关的控制技术;介绍了ＣｄＺｎＴｅ衬底制备过程中,晶片处理的工艺和步骤（晶锭的定向切割、单晶划片、极性鉴别、磨抛、腐蚀）;报道了目前ＣｄＺｎＴｅ晶体的性能水平,晶片处理结果和ＣｄＺｎＴｅ的应用情况。     

CdZnTe晶片中Te沉淀相的观察与研究

用透射电子显微镜、红外显微镜、红外光谱及差示扫描量热法观察研究了ＣｄＺｎＴｅ晶体中的Ｔｅ沉淀相．讨论了ＣｄＺｎＴｅ晶体中的Ｔｅ沉淀／夹杂的成因和区别，及其对红外透射比的影响；ＣｄＺｎＴｅ晶体的红外透射光谱和差示扫描量热法结果表明，当晶体中Ｔｅ沉淀相含量（ｗＴｅ）大于０．６ｗｔ％时，其红外透射比低于５５％，并随ｗＴｅ值的增大而下降；此结果可用Ⅱ－Ⅵ族半导体价带内光吸收机制解释．     

分压控制下高纯,高x值CdZnTe晶体气相生长的研究

尝试采用布里奇曼法生长ＣｄＺｎＴｅ为原材料进行了高ｘ值（ｘ＝０．０４－０．６０）Ｃｄ１－ｘＺｎｘＴｅ晶体在压力控制下的物理气相输运（ＰＶＴ）生长研究，探讨了Ｃｄ源和ＣｄＺｎ合金温度对晶体电学性质的影响。并对ＰＶＴ晶体的纯度、位错坑密度、纵向组成分布以及红外透过率，ＰＬ光谱等进行了检测和分析。     

MOCVD生长的CdZnTe／ZnTe多量子附的激子光学特性

用常压ＭＯＣＶＤ方法在ＧａＡｓ（１００）衬底上生长了ＣｄＺｎＴｅ／ＺｎＴｅ多量子阱。在室温下，观测到了ＣｄＺｎＴｅ／ＺｎＴｅ多量子阱的三个谱带发光。根据ＣｄＺｎＴｅ／ＺｎＴｅ多量子阱的吸收光谱和不同激发光强下的发光光谱，分别归结ＣｄＺｎＴｅ／ＺｎＴｅ多量子阱中观测到的三个发光谱带于覆盖层发光、ｎ＝１的重空穴激子发光及杂质发光。     

MOCVD生长的CdZnTe／ZnTe多量子阱的激子光学特性

用常压ＭＯＣＶＤ方法在ＧａＡｓ（１００）衬底上生长了ＣｄＺｎＴｅ／ＺｎＴｅ多量子阱。在室温下，观测到了ＣｄＺｎＴｅ／ＺｎＴｅ多量子阱的三个谱带发光。     

碲锌镉用于探测γ射线

ＣｄＺｎＴｅ晶体生长所取得的进展，使得人们有可能制备出供γ射线光谱技术使用在室温下工作并具有良好能量分辨率的探测器。     

微下拉法晶体生长炉自动控制系统的研究

该文研究了微下拉法晶体生长炉晶体生长的稳定性。根据微下拉法晶体生长特点,设计了2种微下拉法晶体生长的功率自动控制方法,通过控制弯月面高度和生长晶体质量,实现晶体生长自动控制,保证生长过程稳定,实验结果表明,采用自动控制方式可以生长出外形美观,内部质量好的纤维晶体。     

提高GaAs晶体质量的一种重要手段

在ＣＺ法晶体生长工艺中引入磁场是一门新技术，它使得生长高质量大直径单晶成为可能。本文介绍了纵向磁场和横向磁场对ＧａＡｓ晶体质量的影响，重点介绍了对熔体中的温度波动、晶体中的生长条纹、ＥＬ２和电阻率分布等的影响。     

基于PVT法自发形核生长AlN晶体的研究

根据物理气相传输法(PVT) AlN晶体生长特点及工艺要求,自主设计了AlN晶体生长炉及其配套热场.FEMAG软件热场模拟结果表明,自主设计的晶体生长炉及其配套热场可以达到AlN晶体生长所需坩埚内部温度梯度要求.基于设计的PVT生长炉,开展了在2 250℃生长温度、40 h长晶时间条件下的自发形核生长实验.实验研究结果表明,在该工艺条件下,通过自发形核可生长得到典型长度为3～Smm、直径为2 mm的高质量AlN单晶;AlN晶体的c-plane(0001)生长速率最快,易形成尖锥形晶体结构,不利于晶体的扩径;Raman表征图谱中AlN晶体的E2 (high)半峰宽仅为5.65 cm-1,表明AlN晶体质量非常高;SEM、EDS分析得出晶体内部质量较为均匀,c-plane和m-plane腐蚀形貌特征明显.     

新型闪烁晶体PbWO4的研制

报道了ＰｂＷＯ４晶体的生长，研究了原料的纯度以及晶体生长工艺对晶体质量的影响。测试了晶体的光学性能和闪烁性能，生长出优质的ＰｂＷＯ４晶体。     

提高GaAs晶体质量的一种重要手段

在ＣＺ法晶体生长工艺中引入磁场是一门新技术，它使得生长高质量大直径单晶成为可能。本文介绍了纵向磁场和横向磁场对ＧａＡｓ晶体质量的影响，重点介绍了对熔体中的温度波动、晶体中的生长条纹、ＥＬ２和电阻率分布等的影响。这门技术目前在国际上得到了广泛的应用。     

祖母绿激光晶体及其激光器的研究现状与发展

祖母绿是一种名贵宝石和优秀的激光晶体材料。总结了国内外祖母绿激光晶体在合成工艺及其激光器的研究现状，对比了水热法和助熔剂法合成祖母绿晶体生长工艺的不同特点和激光特性方面的异同，通过对我国水热法生长的祖母绿晶体的激光性能及其器件研究，指出提高祖母绿晶体的质量与尺寸、使用新型LD泵浦技术和腔型结构，有望获得较高的红外激光输出。     

Nd:YAG晶体生长温场优化设计

文中提出了晶体生长对温场的要求，分析了温场分布形状对晶体和生长和晶体质量的影响，通过优化温场设计和控制，得到了比较理想且能重复的温场，并在此温场条件下生长出了性能较好的Nd:YAG晶体。     

VGF法生长半导体晶体的研究进展

VGF法可实现晶体生长条件可控,晶体重复性好,所生长晶体尺寸大、位错密度低、应力小,是一种很有前景的晶体生长方法。本文综述了VGF法生长半导体晶体、数值模拟和磁场应用的国内外研究进展。     

菠菜和黄瓜捕光叶绿素a／b蛋白质复合体的二维结晶

膜蛋白的二维结晶化是蛋白质电子晶体学解析膜蛋白三维结构的基础。我们用ｂａｔｃｈ方法实现了去垢剂溶解的黄瓜和菠菜的捕光叶绿素ａ／ｂ蛋白质复合体的二维结晶，获得了质量良好的二维晶体。文章还讨论了黄瓜、菠菜以及豌豆的ＬＨＣ－Ⅱ二维晶体生长条件的异同，以及影响膜蛋白二维晶生长的某些因素。     

非线性光学晶体LiNoO3的正确使用方法

在本文中，我们讨论了非线性光学晶体LiNbO3的物理特性和正确使用这种晶体的方法，并对生长晶体提出若干特殊要求，谨同晶体生长技术部门的同志切磋。     

晶体中掺质分布均匀化的分析

本文分析了晶体中掺质的分布规律及其均匀化的问题,推算了保守体系中晶体掺质浓度随晶体变化的函数关系和提拉法生长掺质均匀的晶体对晶体生长速率和转动速率的具体要求。即: 式中:C_s——晶体中掺质浓度;k——掺质有效分凝系数;C_o——掺质初始浓度;W_o——体系中原料总量;W_s——任意时刻晶体的质量;f——晶体生长速率;f_o——晶体初始生长速率;ω——晶体转动速率;ω_o——晶体初始转速;D——掺质在熔体中的扩散系数;ν——熔体的运动粘滞系数。     

自动加料单晶炉的设计与研究

由于传统的晶体生长设备不具备加料功能,在晶体生长过程中无法进行原料补充,所以最终的晶体尺寸通常受制于坩埚和设备大小。而更大尺寸的坩埚和设备成本高,这制约了大尺寸晶体的研究和发展。该文设计了一种自动加料系统,可根据已生长的晶体质量向坩埚内补充同等质量的原料,确保坩埚内固 液界面保持不变,从而实现小坩埚生长大尺寸晶体的目标,提高了设备利用率,节约了能源,降低了生产成本,促进了大尺寸晶体的发展。     

Nd∶YAG晶体生长温场优化设计

文中提出了晶体生长对温场的要求,分析了温场分布形状对晶体生长和晶体质量的影 响,通过优化温场设计和控制,得到了比较理想且能重复的温场,并在此温场条件下生长出了性能较好的Nd∶YAG晶体。     

恒组分提拉单晶炉的设计与研究

晶体生长过程中由于溶质"分凝现象"的存在,会造成生长出来的晶体沿轴向不均匀分布,从而制约了大尺寸、超长、高均匀性晶体的生长。因此,该文设计了晶体自动生长控制系统和料棒自动补充控制系统,以保证晶体生长液面的高度不变,以及棒料添加组分与晶体组分一致,从而克服晶体生长过程中"分凝现象"的影响,也为晶体生长界面形状的稳定性控制奠定了可靠的基础。