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本文以我公司技术人员在某飞机现场排故中发现的脉冲冲击电压对机载设备的破坏现象为线索,分析了飞机电源系统脉冲冲击电压产生的根源及分类,用行波传导理论建立了固体元器件及集成电路等遭受冲击电压破坏的失效机理。推荐了几种脉冲抑制电路及降额设计措施。本文对脉冲冲击电压试验的分析与介绍,具有广泛的参考价值。 相似文献
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介绍ispPAC-POWER1208芯片的内部结构及其基本功能特点,并借助于ispPAC-POWER1208器件,用一种新的方法实现多电压系统的电源电压监控方法。 相似文献
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基于对试验标准、试验方法和硬件实现的分析,评估了几种已有抑制工频电压方法的不足。提出了一种音频传导敏感度试验中工频电压的抑制方法,并通过较完整的CS101试验过程予以验证。最后,分析了该抑制方法在相关标准中的符合性。 相似文献
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针对目前电容层析成像(ECT)技术在管道流体监测方面存在的中心部位的信噪比低、边缘效应大以及识别精度低的缺点,提出一种双电压激励方法来提高检测区域中心的检测信号强度。采用软件COMSOL Multiphysics建立了一16电极外置传感器的有限元模型,分别采用传统的单电压激励法和本文提出的双电压激励方法对有限元模型进行仿真分析,并通过试验进行对比,结果表明:相对传统的单电压激励方法,双电压激励法能够改善管内区域的电场和电势分布均匀性,提高管内中心区域的检测信号强度及灵敏度水平,从而提高了对管内流体监测的识别精度。 相似文献
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本文针对50Hz中低压工作条件下的电容器介质损耗测试,探讨了电流比较法电桥的自动测试原理及其系统配合测试问题,提出了自动、快速、高精度的新型测试设备的要求和实用方案,是中低压电容器测试现场良好的品质管理方法之一. 相似文献
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电气用塑料薄膜要求进行耐电压测试,研制的交直流两用薄膜耐压测试仪,耐压测试室正面设有推拉门且设计了专门的操作台,提高了实验人员工作舒适度;升压变压器次级通过电阻间接接地,避免分布电容将高电压感应到低压线路以及免高压对控制线路的干扰,同时又提高实验人员的安全性;PLC与3位BCD拨码开关组成的升压速度设定系统,既经济又精确直观,同时节省了PLC输入/输出点数。 相似文献
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本文对异质结双极晶体管(HBT)电压比较器进行了理论分析,设计并制作了国内第一个AlGaAs/GaAs HBT电压比较器电路。首先,分析了HBT的基本工作原理;然后比较详细地分析了ECL电压比较器的工作原理并进行了设计。随后介绍了HBT的E-M模型,提取了模型参数,并对电路进行了模拟;最后全面介绍了AlGaAs/GaAs HBT电压比较器的制作过程。测试结果表明,HBT器件直流电流增益大于100,f_T为15.2GHz,f_(max)为14.8GHz;电路具有取样和锁存能力,并具有电压比较器的初步功能。 相似文献
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使用多Vcc电平的系统在今天的市场中已经变得很普通了,今天的市场提出操作多电平连接不同设备的元件和要求,由于极小的传播延迟(tPD250微微秒)和最小限度功率损耗(Icc10安)的要求,在电压传送应用中,总线开关已经获得了广泛的认可。 相似文献
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高压互连线效应是影响集成功率器件性能的重要因素之一。首先提出一个高压互连线效应对SOI横向高压器件的漂移区电势和电场分布影响的二维解析模型,进而得到漂移区在不完全耗尽和完全耗尽情况下的器件击穿电压解析表达式,而后利用所建立的模型,研究器件结构参数对击穿特性的影响规律,定量揭示在高压互连线作用下器件击穿多生在阳极PN结的物理本质,指出通过优化场氧厚度可以弱化高压互连线对器件击穿的负面影响,并给出用于指导设计的理论公式。模型的正确性通过半导体二维器件仿真软件MEDICI进行了验证。 相似文献
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三相PWM整流器电压空间矢量控制的实现 总被引:1,自引:0,他引:1
提出了一种便于数字实现的三相PWM整流器电压空间矢量的控制算法,该算法采用输入电压空间矢量定向,根据参考电压矢量直接计算空间电压矢量的位置和作用时间;利用DSP(数字处理器)实现了三相PWM整流器全数字化控制,并得出了最终实验结果。 相似文献
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薄膜SOI RESURF结构击穿电压分析 总被引:4,自引:2,他引:2
提出了基于二维Poisson方程的薄膜SOI降低表面电场(RESURF结构解析物理模型.并在该模型基础上,给出了一种分析薄膜SOIRESURF结构击穿电压的方法.利用这一方法计算了漂移区长度较长的薄膜SOIRESURF结构击穿电压与漂移区掺杂浓度的关系,并定量分析了场SiO2界面电荷密度对击穿电压和漂移区临界掺杂浓度的影响.首次提出了临界场SiO2界面电荷密度的概念,并研究了其与漂移区掺杂浓度的关系.而且计算结果与MEDICI模拟结果符合得很好.这些为漂移区长度较长的薄膜SOIRESURF结构击穿电压的优 相似文献