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W-Mo合金表面超精密加工的CMP技术研究 总被引:2,自引:0,他引:2
阐述了金属化学机械抛光的机理。将半导体制造工艺中的nm级平坦化技术、化学机械抛光技术拓展并应用到W-Mo合金工艺中,在实现精密物理材料表面高平坦度、低粗糙度的前提下,提高W-Mo合金去除速率。采用碱性抛光液进行实验,确定了抛光液的成分;分析了W-Mo合金化学机械抛光中压力、流量、转速、pH值、活性剂等参数对W-Mo合金的影响。实验表明,实现W-Mo合金表面超精密抛光的最佳条件为:压力0.06MPa,流速160mL/min,转速60r/min,pH值10.1~10.3。 相似文献
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蓝宝石衬底化学机械抛光(CMP)质量直接影响器件的成品率和可靠性。抛光液和抛光工艺参数是影响CMP质量的决定性因素。为了得到更优的抛光液利用率以及更好的抛光效果,系统研究了自主研制的抛光液pH值、抛光压力、转速和流量等抛光参数对c面蓝宝石衬底化学机械抛光去除速率和表面粗糙度的影响。结果表明,去除速率随pH值、抛光压力、转速和流量的升高先增加后减小;表面粗糙度随pH值、抛光压力、转速的升高先减小后增加,随流量升高而慢慢降低。通过实验进行优化,当pH值为10.5、抛光压力为27.6 kPa、抛光头转速为40 r/min、抛光盘转速为45 r/min、流量为160 mL/min时,去除速率能稳定在2.69 μm/h,表面粗糙度为0.184 nm。此规律对指导工业生产具有重要的意义。 相似文献
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硒化镉(CdSe)的表面加工质量对CdSe基器件的性能至关重要.化学机械抛光(CMP)是一种获得高质量晶体加工表面的常用方法.为改善CdSe晶片的表面加工质量,以SiO2水溶胶配制抛光液,研究了抛光液磨料质量分数、抛光液pH值、氧化剂NaClO的质量分数、抛光盘转速和抛光时间等因素对CdSe晶片抛光去除速率和表面质量的影响,优化了CdSe的CMP工艺参数.结果表明,在优化工艺条件下,CdSe的平均去除速率为320 nm/min,晶片的抛光表面无明显划痕和塌边现象.原子力显微镜(AFM)测量结果表明,抛光后的CdSe晶片表面粗糙度为0.542 nm,可以满足器件制备要求. 相似文献
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通过一系列实验研究了有机和无机pH值调节剂对Si片抛光速率的影响及其影响机理。使用有机碱调节抛光液的pH值,随着pH值的增大,Si片的CMP速率先增大后减小,pH值为10.85时,Si片的抛光速率最大,为280nm/min;使用无机碱KOH代替有机碱调节抛光液的pH值时,抛光速率随pH值的增加而增大。无论使用何种pH值调节剂,pH值为10~11.5时,纳米SiO2溶胶的粒径能够稳定在43nm左右。随着pH值的升高,Si片与抛光液的反应越来越强烈,其反应产物在抛光液中的溶解度也会越来越大。pH值调节剂影响Si片表面钝化膜的形成速率和去除速率,并最终影响Si片化学机械抛光的效果。 相似文献
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固结磨料抛光K9光学玻璃的工艺实验研究 总被引:2,自引:0,他引:2
采用一种亲水性固结磨料抛光垫(FAP),通过单因素实验法,系统地研究了抛光K9光学玻璃过程中抛光时间、偏心距、压力、转速、抛光液流量及pH值等工艺参数对材料去除速率(MRR)和表面粗糙度的影响规律,并对实验结果进行了解释。结果表明:随着抛光时间的延长,K9光学玻璃的MRR逐渐呈下降趋势;在抛光20min时,MRR达最大值310nm/min,且表面粗糙度降至最低值为2.73nm;选择较大的偏心距和碱性抛光液环境均有利于提高MRR;随着抛光盘转速的升高,MRR将显著增大。而在一定范围内,抛光压力和抛光液流量对MRR的影响不大。 相似文献
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抛光液组成对LiNbO3 CMP去除速率的影响 总被引:3,自引:1,他引:2
影响LiNbO3化学机械抛光速率的因素很多,如抛光液组成、抛光垫质量、抛光工艺参数等.主要研究了抛光液对去除速率的影响,采用磨料 碱 活性剂的配方,首先分析了抛光液各成分对去除速率的影响机理,然后结合各因素的部分相关实验,从机械、化学角度分析其性质特点,对LiNbO3晶片的去除速率进行了研究.结果表明,在保证获得较好抛光表面的前提下,采用的磨料质量分数越高越好,但活性剂体积分数不宜过高,溶液pH值采用无机碱进行调节,即可获得较高的去除速率. 相似文献
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张玉峰王胜利刘玉岭段波李若津杜旭涛 《半导体技术》2014,(11):841-845
采用自主配制的碱性抛光液对TiO2薄膜进行了化学机械抛光(CMP),研究了在TiO2薄膜CMP加工过程中,碱性抛光液中的SiO2磨料、螯合剂、表面活性剂的体积分数和抛光液pH值对TiO2薄膜表面粗糙度的影响,并进行了参数优化。实验结果表明,在一定的抛光条件下,选用SiO2磨料体积分数为20%、螯合剂体积分数为1.0%、非离子表面活性剂体积分数为5.0%和pH值为9.0的碱性抛光液,抛光后TiO2薄膜表面没有划痕等抛光缺陷,表面粗糙度为0.308 nm,TiO2薄膜去除速率为24 nm/min,在保证抛光速率的同时降低了TiO2薄膜表面粗糙度,满足工业化生产要求。 相似文献
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镁合金抛光机理与CMP工艺研究 总被引:1,自引:0,他引:1
将化学机械抛光(CMP)技术引入到镁合金片(MB2)的抛光中,打破过去镁合金以单一化学或机械加工为主的加工手段,用自制的抛光液对镁合金片进行抛光实验。结果发现,抛光液中加入双氧水易产生胶体,不利于抛光的进行,因此提出无氧化剂SiO2碱性抛光。同时分析了镁合金的抛光机理,抛光中压力、转速和抛光液流量参数对抛光过程的影响,利用Olympus显微镜对抛光前后镁合金表面进行观察,通过合理控制工艺参数,能够得到较佳的镁合金抛光表面,远优于单一的机械加工,为镁合金抛光工艺和进一步研究抛光液的配比奠定了基础。 相似文献
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Yong-Jin Seo 《Microelectronic Engineering》2007,84(12):2769-2774
In this paper, in order to investigate the electrochemical polishing behavior of the tungsten (W) and titanium (Ti) film, the chemical mechanical polishing (CMP) performances of W and Ti film according to the oxidizer contents were studied through electrochemical corrosion analysis. The alumina (Al2O3)-based tungsten slurry with H2O2 oxidizer was used for CMP test. As an experimental result, for the case of 5 vol% oxidizer added, the removal rates were improved and a good polishing selectivity of 1.4 : 1 was obtained. It means that the oxidizer with the highest removal rate (RR) has a high dissolution rate due to the predominant electrochemical corrosion effects. Therefore we conclude that the W and Ti-CMP characteristics are strongly dependent on the amounts of H2O2 oxidizer additive. 相似文献
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