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1.
徐世海 《炭素》2011,(2):8-14
在Fe—Ni存在下,外加磁场不但可以提高酚醛树脂炭的石墨化度而且对新生成的石墨层也具有很好的导向作用。实验以短切雕N基碳纤维为增强体,酚醛树脂为基体碳源,采用液相浸渍的方法制备c/c复合材料。主要研究了外加磁场对c/c复合材料的Fe—Ni催化石墨化、电性能和力学性能的影响。结果表明,磁场作用下对含有铁磁性催化剂Fe—Ni的C/C复合材料的石墨化具有较好的改善作用;C/C复合材料的石墨化度越高其电阻率越低,并且电阻率在不同的磁场方向上呈现出了显著的差异性,平行于磁场方向上比垂直方向上的电阻率更低;但是,随着复合材料石墨化度的提高其抗压强度发生显著的降低。  相似文献   
2.
通过对比分析不同档次的客车防腐蚀处理方式,重点介绍了提高大中型客车防腐蚀性能中的一些工艺问题及可以采取的工艺措施。  相似文献   
3.
4.
添加剂在JF-105中温Zn-Ca系磷化液中的作用   总被引:1,自引:0,他引:1  
通过Russian Test即硫酸铜点滴法来检验磷化膜的孔隙度的方法研究了添加剂在JF-105中温Zn-Ca系磷化液中的作用,尤其是添加剂对磷化 的影响,并从微观的角度出发分析了添加剂影响磷化膜质量的原因。  相似文献   
5.
A novel carbon fiber pretreatment was proposed. Polyacrylonitrile (PAN)-based carbon fibers were first anodized in H3PO4 electrolyte to achieve an active surface, and then coated with Mo-B catalysts by immersed the carbon fibers in a uniformly dispersed Mo-B sol. The as-treated carbon fibers were then graphitized at 2 400 °C for 2 h. The structural changes were characterized by X-ray diffractometry (XRD), Raman spectroscopy, scanning electron microscopy (SEM) and high-resolution transmission electronic microscopy (HRTEM). The results show that much better graphitization can be achieved in the presence of Mo-B, with an interlayer spacing (d 002) of 0.335 8 nm and a crystalline size (L c) of 28 nm.  相似文献   
6.
将单质铜、硼酸、PAN基炭纤维进行混合研磨,经过石墨化炉高温处理,利用X射线衍射检测了铜和硼在热处理过程中的变化,研究催化剂的量和热处理温度对石墨化度的影响,结果显示炭纤维的石墨化度由25.6%提高到95.6%,表明铜和硼化物二元催化剂体系要比一元催化剂体系铜或硼更能显著地提高PAN基炭纤维的石墨化度,并完善炭纤维的石墨晶型。  相似文献   
7.
利用YAG脉冲固体激光器, 在高纯氩气的保护下, 选取优化了的激光工艺参数在45#钢表面制备FeAlCrNiSiC六元高熵合金涂层。主要采用OM、SEM、EDS、XRD和显微硬度等分析手段, 对实验制备的合金涂层的形貌、组织结构、成分、相结构、硬度及相关机理进行了研究。实验结果表明: 优化的激光熔覆工艺参数为功率85 W, 激光扫描速度为5 mm/s, 能量密度47 J/mm2, 搭接率50%。采用此优化工艺参数成功制备了与基体形成良好冶金结合的FeAlCrNiSiC高熵合金涂层。制备涂层的硬度达到了800 HV, 涂层的内部结构由条状等轴晶及网状枝晶组成, 组分偏析得到了有效缓解。合金涂层具有FCC结构的γ-Fe和BCC结构的FeAlCrNiSiC固溶体的简单物相, 合金元素Al、Cr、Si、Ni、C固溶在两种多组元固溶体中, 增加了晶格畸变, 使涂层具有高的硬度。  相似文献   
8.
聚氨酯漆广泛用于中高档客车的涂装,由于采用强制固化方式,极易出现“痱子”等涂装弊病,影响涂膜外观质量。从涂装工艺和材料两方面分析了产生“痱子”的原因,并提出了相应的预防措施。  相似文献   
9.
徐世海 《涂料工业》2002,32(4):27-28
阐述了喷漆室气流控制的新思路。提出了改造现有喷漆室气流控制的两套简易、可行的方案,以达到最佳涂装效果,改善施工环境,最大限度地降低能耗。  相似文献   
10.
硒化镉(CdSe)的表面加工质量对CdSe基器件的性能至关重要.化学机械抛光(CMP)是一种获得高质量晶体加工表面的常用方法.为改善CdSe晶片的表面加工质量,以SiO2水溶胶配制抛光液,研究了抛光液磨料质量分数、抛光液pH值、氧化剂NaClO的质量分数、抛光盘转速和抛光时间等因素对CdSe晶片抛光去除速率和表面质量的影响,优化了CdSe的CMP工艺参数.结果表明,在优化工艺条件下,CdSe的平均去除速率为320 nm/min,晶片的抛光表面无明显划痕和塌边现象.原子力显微镜(AFM)测量结果表明,抛光后的CdSe晶片表面粗糙度为0.542 nm,可以满足器件制备要求.  相似文献   
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