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相似文献
 共查询到20条相似文献,搜索用时 359 毫秒
1.
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产品用环树脂封裂,体积小、模块化、易散热、防潮、防震。输出电压可调±200V~±1000V,输出流分四档:一.1mA,体积50×38×25(mm),价格:260元;二.10mA,体积60×48×25(mm),价  相似文献   

2.
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产品用环树脂封装,体积小、模块化、易散热、防潮、防震。输出电压可调±200V~±1000V,输出电流分四档:一.1mA,体积50×38×25(mm),价格:260元;二.10mA,体积60×48×25(mm),价格:350元;三.50mA,体积100×75×25(mm),价格:545元;四.100mA,体积100×75×44(mm),价格:795元;输出电流大于100mA按每增加1mA加4元计算,依次类推。如用户有其它要求可订做。  相似文献   

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超小型DC/DC高压模块电源 产品用环树脂封装,体积小、模块化、易散热、防潮、防震。输出电压可调±200V~±1000V,输出电流分四档:一.1mA,体积50×38×25(mm),价格:260元;二.10mA,体积60×48×25(mm),价格:350元;三.50mA,体积100×75×25(mm),价格:545元;四.100mA,体积100×75×44(mm),价格:795元;输出电流大于100mA按每增加1mA加4元计算,依次类推。如用户有其它要求可订做。  相似文献   

4.
本文介绍DYT-1型压电点火器用陶瓷棒及其压电陶瓷材料的机电性能,用于压电点火枪的φ6.7×15mm的压电陶瓷棒,其机电性能为:输出电压>14kV,耐挤压次数>30,000次,而输出电压几乎不变,对煤气炉的点燃率为100%,是一种较好的压电点火材料。  相似文献   

5.
说明:1.以上表中各电压值用DT9962型数字万用表的直流电压档(20V或200V)测得,在路电阻值均用MF386万用表R×1k档测得。2.表中各集成块电压值在电话机接外线时,分别在手柄、免提摘机通话状态下测得。在测集成块HM91620B第①、⒁脚时,无论电话机处于  相似文献   

6.
测量了 Zn Cd(SCN) 4晶体的介电常数和直流电导率 ,结果为 :介电常数 εa=6 .9,εc=7.4。直流电导率ρa=4 .6× 10 1 0 Ω· cm,ρc=1.4× 10 1 1 Ω· cm。并用干涉法测量了该晶体的全部压电应变常数和电光系数 ,其结果为 :压电应变常数 d31 =1.5 p C/N,d36 =9.5 p C/N ,d1 4=1.6 p C/N,d1 5=15 .3p C/N;电光系数γ1 3=0 .0 4 pm /V ,γ6 3=9.4 pm /V,γ4 1 =1.3pm /V ,γ51 =1.7pm/V。  相似文献   

7.
500p/500mp是较早进入国内市场的多频自动扫描彩显,其供电系统采用它激脉宽调制开关稳压器,电路如附图所示。分为市电输入及整流滤波电路、它激开关稳压电路、次级直流输出电路和节能自控电路等。输入电压范围为90-264V,次级输出直流电压有: 由D615整流、C628滤波输出-12V及D614整流、C617滤波输出+12V组成±12V双电源,给主板中所有双  相似文献   

8.
新型压电晶体La3Ga5SiO14的生长及特性   总被引:1,自引:0,他引:1  
用提拉法成功地生长了La3Ga5SiO14(LGS)单晶,用X-ray粉末衍射证明了其单晶结构,测得沿Y、Z方向的热膨胀系数分别为5×10-6 K-1、3.8×10-6 K-1,在453.15 K时测得晶体的比热为0.90 J/g*K,并在200~ 800 nm之间测其透过谱,测得了其全部压电及弹性常数.  相似文献   

9.
有问有答     
问1:我的一只兰州产500型万用电表使用效果基本满意。但用它的直流电压档(不管哪个档别)测自举升压型电视机行输出管的集电极电压时不准确,正常值应为27~29伏,测量值却为40伏左右。这是什么原因?是否该表有毛病?还是电视机出了故障?(山东乳山单熙杰等问)答:这大多不是万用表的毛病。要判别万用表的直流电压档是否准确,可试测几节新的1~5号干电池。一般每节电池的电压为1.6~1.65伏,偏差不会大的。经测试后若确定万用表无问题,那么毛病就出在电视机行输出级本身。大家知道,行输出管集电极上的电压是一种近似正弦或矩形的脉冲电压。其脉冲顶部有的象正弦波那样凸起的(如图1所示);有的(例如采用三次调谐的行输出级)顶部却是凹陷的(如图2  相似文献   

10.
我们在维修旧电机时,若电动机铭牌不清楚,或者不能用测速表来实测时,可以用万用表来测算电动机的转速。首先拆开电动机的接线盒,利用万用表的欧姆档,任意找出一相定子绕组,如1~4端。然后再把万用表转换开关拨至直流电流最小毫安档,两表笔分别接在绕组1~4端上,将电  相似文献   

11.
1.项目构成情况综合介绍: InnoWall-MII多媒体多画面显示处理器提供高分辨率1280×1024到1900×1200 WUXGA显示输出。2.项目主要技术参数、系统指标:  相似文献   

12.
该公司生产七种不同材料的单元和多元热电探测器,它们在低频下基本上不存在噪声,最高D~*达1×10~9厘米赫~(1/2)瓦~(-1),在几百赫频率以下,这一D~*值和信噪比保持恒定。T-300单元器件这种硫酸三甘肽器件是全密封在金属外壳内,在2~20微米波段内,其镀有增透膜的锗窗在任何3微米内可透射90%的入射辐射。亦可用其他窗材料。标准有效灵敏面为1×1毫米和2×2毫米。最小0.1×0.1毫米,最大5×5毫米,最大长宽比为5。它亦可做成线列、交错线列或面阵。表1是1×1毫米器件规格。  相似文献   

13.
二、交流毫伏表的应用下面以宁波中策电子有限公司生产的DF2173B型晶体管毫伏表为例,介绍其使用方法和操作步骤。1.主要功能及技术指标DF2173B型是一种单通道晶体管毫伏表,该仪表具有测量交流电压、电平测试、监视输出等三大功能。交流测量范围是100nV~300V、5Hz~2MHz,共分1、3、10、30、100、300mV,1、3、10、30、100、300V共12档;电平dB刻度范围是-60~+50dB。2.工作原理DF2173B晶体管毫伏表由输入保护电路、前置放大器、衰减放大器、放大器、表头指示放大电路、整流器、监视输出及电源组成。输入保护电路用来保护该电路的场效应管。衰减控制器用来控制各档衰减的接通,使仪器在整个量程均能高精度地工作。整流器是将放大了的交流信号进行整流,整流后的直流电  相似文献   

14.
用提拉法成功地生长了La3Ga5SiO14(LGS)单晶,用X-ray粉末衍射证明了其单晶结构,测得沿Y、Z方向的热膨胀系数分别为5×10-6K-1、3.8×10-6K-1,在453.15K时测得晶体的比热为0.90J/g·K,并在200~800nm之间测其透过谱,测得了其全部压电及弹性常数。  相似文献   

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<正> LP2983是一种微功耗、输出低电压(≤1.2V)线性稳压器(输出固定电压有0.9、1.0V及1.2V三种),输出电流可达150mA。该器件主要特点:输出电压精度可达±1%;能接受高的峰值电流(峰值输出电流典型值250mA,短路电流典型值400mA);低功耗(在150mA输出时典型地电流I_(GND)=825μA;空载时I_(GND)=65μA);输入电压范围宽(2.2~16V);有过热、过流保护电路;工作结温范围-40~+125℃; 小尺寸SOT-23封装;有关闭控制,关闭状态时,耗电<2μA。 LP2983有A级及标准级两种输出精度标准(A级的初始精度为±1%,标准级初始精度为±1.5%)。A级精度用后缀AIM5,标准级用后缀IM5。另外,三种不同输出电压分别用后缀-0.9、-1.0及-1.2表示0.9、1.0V及1.2V。  相似文献   

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型号名 称测量范围 / Pa 技术特点 外型尺寸mm×mmZDO- 1热偶真空计 2 0~ 0 .1指针电表读数 1 2 0× 2 4 0ZDO- 3数字式热偶计 1 0 5~ 0 .1数显、有两路自动控制 1 2 0× 2 80ZDR- 1宽量程真空计 1 0~ 1 0 - 6数显、带自动控制及 0~ 1 0 m V输出 1 2 0× 32 0ZDR- 1 T 宽量程真空计 1 0~ 1 0 - 6数显 ,带自控 ,带打印机 1 40× 440ZDR- 5中量程真空计 1 0 0~ 1 0 - 4指针电表读数 1 2 0× 2 4 0ZDR- 3超高真空计 1 0 - 1~ 1 0 - 8指针电表读数 1 40× 440ZDR- 8F 微机真空计 1 0 5~ 1 0 - 5数显 ,有四路控制 1 2 0× 440…  相似文献   

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村田制作所采用压电陶瓷双晶片式振子 ,开发了结构简单的、用于汽车导航的压电振动陀螺。其性能指标如下 :工作电压 (dc) :5 V± 0 .5 V温度漂移 (max) :9(°) /s耗  电 (max) :1 5 m A *响  应 (max) :7Hz检测范围 :± 6 0 (°) /s输出噪声 (p- pmax) :1 0 m V静止时输出 (dc) :2 .5 V± 0 .4V使用温度下限 :- 3 0灵敏度 :2 5 .0 m V/(°)· s-1*使用温度上限 :80分辨率 :0 .1 (°) /s保存温度下限 :- 40灵敏度温度变化 :± 1 0 %保存温度上限 :85  (- 3 0~ 80 ) *质  量 (max) :2 0 g线 性 (FS) :± 0 .5 %尺  寸 :2 3 .2…  相似文献   

18.
本文报导高性能三波段Hg_(1-x)Cd_xTe光伏探测器的制作工艺和特性。在77K分别测得上部、中间及底部元件在1~2、3~5及8~12微米波段的峰探测度为1.2×10~(12)、9.7×10~(11)及5.3×10~(10)厘米·赫~(1╱2)瓦~(-1)。在峰值波长时,外量子效率为75%、62%及51%。  相似文献   

19.
李芹  王志功  李伟 《半导体学报》2010,31(3):045012-4
摘要:本文采用0.15μm GaAs pHEMT工艺设计了输出信号带宽为20~44GHz的宽带倍频器。倍频器由三部分组成:将单端信号转换成差分信号的有源巴仑, 产生倍频信号的推-推结构的平衡倍频器和分布式放大器。输出信号功率在整个频段为12~17dBm。基波抑制比的典型值为-20dBc左右,该倍频器的偏置电压为±3.5V,直流电流为200mA。芯片的面积为1.5mm ×1.8mm。  相似文献   

20.
李芹  王志功  李伟 《半导体学报》2010,31(4):045012-4
摘要:本文采用0.15μm GaAs pHEMT工艺设计了输出信号带宽为20~44GHz的宽带倍频器。倍频器由三部分组成:将单端信号转换成差分信号的有源巴仑, 产生倍频信号的推-推结构的平衡倍频器和分布式放大器。输出信号功率在整个频段为12~17dBm。基波抑制比的典型值为-20dBc左右,该倍频器的偏置电压为±3.5V,直流电流为200mA。芯片的面积为1.5mm ×1.8mm。  相似文献   

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