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IGBT专用驱动模块M57962AL适于驱动大功率器件,可根据其内部的自保护功能对其应用电路进行安全可靠设计。该模块采用双电源驱动,有过流过压检测电路和保证IGBT可靠通断电路。总之,能够安全地驱动开关、变频器中的大功率IGBT。 相似文献
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针对大功率IGBT的驱动问题,介绍了一种大功率IGBT专用驱动模块2SD315的内部结构、参数设置及使用特点.以驱动800 A/1200 V的IGBT为例.给出了2SD315在直接模式下的外围应用电路.并对应用中需要注意的关键问题进行了分析和讨论,同时给出了实际的驱动波形. 相似文献
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针对大功率IGBT的驱动问题,介绍了一种大功率IGBT专用驱动模块2SD315的内部结构、参数设置及使用特点。以驱动800A/1200V的IGBT为例,给出了2SD315在直接模式下的外围应用电路,并对应用中需要注意的关键问题进行了分析和讨论,同时给出了实际的驱动波形。 相似文献
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大功率IGBT驱动模块25D315的应用关键问题分析 总被引:1,自引:0,他引:1
针对大功率IGBT的驱动问题,介绍了一种大功率IGBT专用驱动模块2SD315的内部结构、参数设置及使用特点。以驱动800A/1200V的IGBT为例,给出了2SD315在直接模式下的外围应用电路,并对应用中需要注意的关键问题进行了分析和讨论,同时给出了实际的驱动波形。 相似文献
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针对大功率IGBT的驱动问题,详细介绍了一种大功率IGBT专用驱动模块2ED300的内部结构、参数设置及性能特点。以驱动800A/1200V的IGBT为例,设计了2ED300在直接模式下的外围应用电路。并对应用中需要注意的关键问题进行了分析和讨论,最后给出了实际的驱动波形。 相似文献
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张晓云 《电子工业专用设备》2014,(4):18-21,41
介绍了功率IGBT模块封装中所用到的氮化铝DBC技术和铝碳化硅技术,通过对其材料特性、技术特点分析以及其对IGBT模块性能的影响分析,说明了氮化铝DBC和铝碳化硅在未来高压大功率IGBT模块发展中的作用和发展趋势。 相似文献
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大功率IGBT驱动电路的设计 总被引:2,自引:0,他引:2
大功率IGBT(绝缘栅双极晶体管)在现代雷达发射机,特别是全固态调制器、高压开关电源中得到广泛应用。其驱动电路要求驱动能力强、保护迅速有效。介绍了互感器触发方式的大功率IGBT驱动电路的设计。该电路具有输出电阻低、电流增益高等优点,并具备快速过流检测和保护功能,解决了IGBT高低电位隔离以及多个IGBT同步驱动问题。实验表明,该驱动电路不仅满足设计要求,而且工作稳定可靠,通用性强,可广泛应用于全固态调制器和高压开关电源。 相似文献
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高压静电除尘实用电源的研究 总被引:1,自引:0,他引:1
介绍采用PWM信号控制以IGBT为主开关元件的高频开关稳压电源。PWM信号由TL494产生,用EXB840专用驱动器驱动IGBT,电源输出部分采用电容倍压。该静电高压电源具有电压稳定、电路简单、体积小、重量轻、可靠性高、频率高和通用性强等特点。 相似文献
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《Microelectronics Journal》2004,35(8):659-666
This paper discusses the benefits of a full-bridge output stage on integrated IGBT gate drive circuits. This full-bridge topology allows obtaining positive and negative gate voltages using a single floating power supply. Short circuit protections have also been integrated, implementing an original soft shutdown process after an IGBT short circuit fault. The monolithic integration is based on an innovative high-voltage CMOS technology for power integrated circuits, using a standard low cost CMOS technology, requiring only one extra processing step. Lateral power N- and P-MOS transistors have been optimized using 2D simulators attending both specific on-resistance and breakdown voltage in order to optimize the full-bridge output stage. The IGBT driver has been experimentally tested, producing ±15 V gate-to-emitter voltage, and supplying the current peaks required by the 600 V IGBT switching processes. The driver characteristic response times are adapted to work at high switching frequency (>25 kHz) with high value of capacitive loads (3.7 nF). 相似文献
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多电平单元串联电压源型高压变频揣的核心——变顿器的通用系统是功率单元,功率单元的热稳定性是高压变频器热发全的核心。在对兆瓦级高压变频器研发中,根据IGBT和DOIDE的参数特性,计算其热损耗功率。结合热分析公式研发变频器功率单元的热沉系统.并利用相关的热分析行业软件,完成300A电流等级的通用功率单元的热设计。 相似文献
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介绍了带有过电流保护功能的高速大容量IGBT厚膜驱动器GH-039,分析了它的引脚排列和各引脚的名称,功能和用法,给出了它们的主要设计特点和参数限制,剖析了其的内部结构和工作原理,进而探讨了其应用技术。它单电源工作,内置高速光电耦合器实现输入、输出隔离;它高密度集成,具有对被驱动IGBT进行过电流或短路保护的功能,可用来直接驱动300A、600V的功率IGBT模块。 相似文献