谈谈闪速存储器

<正> 我们熟悉的存储器器件有随机存取存储器(RAM)和只读存储器(ROM)两种。随机存取存储器是易失性存储器,即在存储器断电后,其所存的数据会全部丢失。但是,RAM的读写速度快,通常为ns(10~(-9)秒)级,因此它常用作计算机的内存。 只读存储器是一种非易失性存储器,也就是说,无论ROM通电与否,存入其内部的数据都可以长期保留。常用的非易失性存储器有EPROM和E~2PROM两种。将数据存入EPROM内     

新型非易失性存储器的抗辐射能力研究进展

通过研究铁电存储器、磁性随机存储器、相变存储器和阻变存储器4种新型非易失性存储器的抗辐射能力,总结了每种非易失性存储器的总剂量效应和单粒子效应。针对总剂量效应和单粒子效应进行了对比与分析,得到了目前的新型非易失性存储器的抗辐射能力仍然取决于存储单元以外的互补金属氧化物半导体(CMOS)外围电路的抗辐射能力。该结论为抗辐射非易失性存储器的研究提供了参考。     

FRAM在医疗领域和智能电表中的应用及发展

1 FRAM的产品定位和优点FRAM(铁电随机存取存储器)是一种使用铁电膜来保存数据的非易失性铁电存储器。这种存储器具有非易失性和随机存取的特性,非易失性意味着即便关闭芯片的电源,存放在存储器里的数据也能保存下来。     

面向纳电子时代的非易失性存储器

目前,业界对两大类全新的非易失性存储器进行了可行性调研,其中一类是基于无机材料的存储器技术,如铁电存储器(FeRAM)、磁阻存储器(MRAM)或相变存储器(PCM),另一类存储器技术则基于有机材料,铁电或导电开关聚     

非易失性静态随机存储器研究进展

在非易失性存储器领域,非易失性静态随机存储器(NVSRAM)可以克服现有非易失性存储器的缺点与限制,并完全替代静态随机存储器(SRAM)。首先,对几种新型非易失性存储器进行了简单阐述;其次介绍了NVSRAM的基本工作原理和特点,针对NVSRAM在解决传统SRAM掉电数据储存问题、加快读取速度以及减少功耗等方面的优势进行阐述。对近年来基于阻变存储器的NVSRAM的研究背景和国内外研究现状进行了调研,着重比较和分析了已有结构的优缺点,重点探讨了提高恢复率、减少漏电流和降低功耗的关键优化技术。最后,展望了NVSRAM未来的应用和研究发展方向。     

几个存储器问题的再思考

一、存储器的分类 从使用功能角度看,半导体存储器可以分成两大类:断电后数据会丢失的易失性(Volatile)存储器和断电后数据不会丢失的非易失性(Non-volatile)存储器。过去直至目前,绝大多数教科书都把可以随机读写数据的易失性存储器称为RAM。     

非易失性存储器在二十一世纪的问题,挑战和发展趋向

引言 本世纪末,存储器市场的预计表明,存储器将占集成电路总数的二分之一。 当然,这个市场的主要部分是被DRAM所占有,但与此同时,非易失性存储器(NVM)显得越来越重要,这样,它们将占总市场的11％。在非易失性存储器市场中,闪速存储器预计占60％以上的份额。事实上,闪速存储器对整个非易失性存储器市场来讲将     

非易失性存储器：在二十一世纪的问题,挑战和发展趋势

引言 本世纪末,存储器市场的预测表明,存储器将占集成电路总市场份额的二分之一。 当然,这个市场的主要部分是由DRAM所占有,但与此同时,非易失性存储器(NVM)显得越来越重要,它们将占总市场的11％。在非易失性存储器市场中,闪速存储器预计占60％以上的份额。事实上,闪速存储器对整个非易失性存储器市场来讲将成为非常重要的分支。     

未来的非易失存储器(NVM)探索

6月22日,全球部分主要电子媒体聚集到英飞凌(Infineon)科技公司的存储器生产基地—德国德累斯顿市,聆听了存储器产品事业部首席技术官(CTO)W. Beinvogl博士的讲演,了解了这家世界主要的存储器公司在非易失存储器(NVM)方面所取得的一些研究成果。尽管DRAM、Flash(闪存)等存储器发展如日中天,但世界存储器市场的主要供应商—英飞凌早已意识到现有的存储器都有一定的技术局限,因此为了满足未来更高性能、更低成本需求,需要创新性地开发一些新技术/产品(图1)。非易失闪存的特点是在断电时不会丢失内容。目前,业界正处于研发阶段、又具有应…     

未来的非易失存储器（NVH）探索

6月22日，全球部分主要电子媒体聚集到英飞凌(Infineon)科技公司的存储器生产基地一德国德累斯顿市，聆听了存储器产品事业部首席技术官(CTO)W．Beinvogl博士的讲演，了解了这家世界主要的存储器公司在非易失存储器(NVM)方面所取得的一些研究成果。     

带有铁电随机存取存储器的高精度实时时钟所具备的优势

1 概述 随着DS32X35系列产品的发布,Dallas Semiconductor公司提供了无需电池的非易失存储器.这些器件采用铁电随机存取存储器(FRAM)技术,FRAM是非易失存储器,其读/写操作与RAM类似.     

数字产品存储器和缓冲器的设计思想

存储器是许多数字产品的关键内置模块.标准的SRAM、DRAM和非易失性存储器(NVMs)是最常用的存储器件.特殊的存储器,例如先进先出存储器,也可提供特定功能或实现特殊性能需求.在下面内容中,我们将回顾这些设计,并介绍一些存储器可能的应用场合.这些设计思路可以应用到SoC(芯片级系统)项目中.     

Ramtron携铁电存储器发力物联网应用

铁电存储器以几乎无限的读写次数、超低功耗以及高抗干扰能力而在汽车、智能电表、工业控制等领域得到广泛应用,在物联网热潮的带动下,RFID或将成为其未来增长的主要推动力。作为一种非易失性存储器,铁电存储器(FRAM)兼具动态随机存取存储器DRAM的高速度与可擦除存储器EEPROM非易失性优点     

Synopsys推出可用于180nm CMOS工艺技术的可重编程非易失性存储器IP

Synopsys,Inc.宣布:即日起推出面向多种180 nm工艺技术的DesignWare AEON非易失性存储器(NVM)知识产权(IP)。这些产品包括数次可编程(FTP)IP、射频识别(RFID)IP多次可编程(MTP)IP和可擦可编程只读存储器(EEPROM)多次可编程     

创新的桌面测试技术可以满足新的非挥发性存储器的测试需求

全球化转向移动应用的趋势使得非挥发性存储器在通讯,计算机和消费类产品中扮演越来越重要的角色。通过为先进的移动产品提供非挥发性存储器,如手提电脑和数码相机,以总存储容量销售量计算,闪存(非挥发性存储器的一种)的年增长率已经达到了50%(见图1)。然而具调查数据显示过去几年中每一兆字节(megabyte)存储容量的评价售价下降了50%。图1存储器销售量历史与预测,单位为Megabyte。数据来源:GartnerDataquest(2003年2月)闪存制造商在这个竞争激烈的环境中要获得成功需要严格的控制测试成本,尽管器件的复杂度不断的增加。新型器件的特性要求…     

串行EEPROM的发展趋势

非易失存储器有很多类型,容量也各不相同.这种存储器的涵盖范围很广,从价格低廉但灵活性不强的只读存储器(ROM)一直到价格昂贵但十分灵活的电可擦可编程存储器(EEPROM).各类非易失存储器之间的主要差别是编程和擦除的灵活性.ROM具有结构最紧凑的芯片存储器阵列布局,因而价格最低,但是存储器内容在生产阶段是固定的.比较灵活的是一次可编程 EPROM(OTP ROM).这种存储器在生产后可以电编程一次,这就使用户在设备组装时有能力把最新版本的内容装入存储器.EPROM具有类似的性能,但是又增加了另一层灵活性,同为它还可以暴露在强紫外(UV)光下擦除后重新编程.但是,擦除时间需要20分钟,而且重新编程是用一个专用编程器完成的.     

日立与瑞萨科技发布低功耗MOS相位转换存储器单元

日立有限公司(Hitachi)与瑞萨科技公司(Renesas Technology)发布低功耗相位转换存储器单元的成功原型,这种非易失半导体存储单元可以在电源电压为1.5V和电流低至100μA的条件下进行编程,与采用以前技术的产品相比,每个单元的功耗可降低50%。此外,相对于现有的非易失存储器,新的     

EEPROM耐久和数据保持试验方法标准分析

介绍了存储器分类,论述非易失性存储器编程机理以及编程/擦除耐久和数据保持试验方法,分析了MIL-STD-883B中的《耐久寿命试验》和JESD22-A117《电可擦除可编程只读存储器(EEPROM)编程/擦除耐久和数据保持应力试验》等试验方法标准.     

意法半导体（ST）非易失性存储器开发取得进展

意法半导体(STMicroelectronics)官布新型存储器开发取得重大进展，新产品被称为换相存储器(PCM)，其潜在性能优于闪存，优点包括更快的读写速度、更高的耐用性，以及向单个存储地址写入的能力。据称这项技术的内在灵活性高于目前正在应用中的其它任何非易失性存储器技术。     

Ramtron推出内嵌FRAM的增强型8051MCU 突破性的非易失性数据存储/处理系统

非易失性铁电存储器(F R A M)和集成半导体产品供应商RamtronInternational发布第一款嵌入了非易失性F R A M存储器的8051MCU—VRS51L3074。Ramtron将FRAM加入于其高速灵活的Versa8051系列产品中,以实现设计高速及高可靠性的非易失性数据存储和处理系统,而该系统只有嵌入了F R