PTCR陶瓷化学沉积镍电极界面结构及特性的研究

通过伏安特性和阻温特性测试研究了不同沉积条件下所得化学沉积镍电极BaTiO3基半导瓷热敏电阻元件的电性能，利用扫描电镜、透射电镜和X—衍射等现代分析手段，重点分析了在不同工艺条件下得到的化学镀镍电极与PTCR陶瓷之间的纳米界面结构及其特性，得到良好的欧姆接触化学镀镍电极的实验参数。     

热处理对钽芯及钽电容器电性能的影响北大核心CSCD

在实际使用过程中,钽电容器常因电容量、损耗和漏电流发生漂移而失效。为了改善钽电容器的电性能稳定性,系统研究了在空气环境中热处理对形成后的钽芯及钽电容器电性能的影响。采用阳极氧化法在烧结后的钽块表面形成Ta_(2)O_(5)介质氧化膜,然后对阳极钽芯进行热处理。研究结果表明:热处理对钽芯的击穿电压和漏电流传导机理无明显影响;热处理后的钽芯表面Ta_(2)O_(5)介质氧化膜的微观形貌未发生明显变化;经过适当热处理且补形成后的阳极钽芯的漏电流及所制备的钽电容器电容量稳定性、损耗和漏电流均得到了明显改善;合适的热处理工艺为300℃/45~60 min。     

PZT铁电薄膜离子束刻蚀研究

以Ｐｔ为上下电极和中间ＰＺＴ薄膜的铁电电容器主要由油射法和离子束刻蚀法制备。研究快速热处理实现铁电相转变的条件和离子束刻蚀工艺对铁电容器图形的影响，选择合理的制备工艺可得到针电电容器。     

热处理对纳米α-MnO2电容特性的影响

采用化学沉淀法制备出超级电容器用纳米MnO2电极材料,研究了热处理工艺对MnO2电容性能的影响。结果表明,产物主相为α-MnO2,粒度分布较均匀,在50～100 nm;热处理温度和时间对MnO2的电容性能有着重要影响。将在300℃热处理3 h的MnO2与活性炭电极组成非对称超级电容器,循环充放电500次,容量仅衰减2.24%;在电流密度为500 mA/g时,比电容量达302.52 F/g。     

化学镀镍对铌镁酸铅多层瓷介电容器的影响

研究了化学镀镍对铌镁酸铅多层瓷介电容器的影响及其机理。结果表明，化学镀镍以后许多样品因其绝缘电阻严重下降、介电损耗大幅度增加而失效。通过对比实验发现，这些样品的失效不是由于镀液的渗透引起的，而是与化学镀镍过程中的化学反应有关。提出了化学镀镍过程中产生的氢原子还原铌镁酸铅陶瓷的观点。经过一定温度的氧化热处理，失效样品的性能可以得到恢复。     

铝电解电容器电极箔与引线间接触电阻的改进

铝电解电容器的内部电阻直接影响产品电性能,生产过程中必须降低并稳定电极箔与引线间的接触电阻。通过对铆接过程的分析和研究,提出改进铆接工艺的方法,即采用电极箔预冲孔的铆接工艺。实物测试表明,电极箔与引线间的接触电阻较工艺改进前降低8%～15%,其阻值离散度显著缩小,且后续制造工序及产品使用中的阻值也更稳定,有利于保证产品质量,延长产品寿命。     

柔性端电极MLCC工艺研究

为了得到高可靠性、高抗弯曲性能的多层片式陶瓷电容器(MLCC),采用银、环氧树脂、聚乙烯醇缩丁醛树脂以及无水乙醇等原材料制备柔性端电极浆料。研究了固化工艺和表面处理技术对柔性端电极MLCC的电性能和可靠性的影响。结果表明:柔性端电极浆料在250℃温度以上固化至少30 min,保证了树脂层良好的连接性及可镀性;电镀前采用抽真空和填充技术进行预处理,保证了柔性端电极MLCC的耐热冲击性能和抗弯曲能力。     

MLCC内电极厚度对其性能影响的研究

贱金属多层陶瓷电容器(MLCC)的内电极镍层厚度对其常规电性能、耐热冲击和绝缘稳定性有严重的影响.通过试验研究发现,镍层厚度在1 μm左右,可获得常规电性能良好和高可靠性的贱金属多层陶瓷电容器产品(BME-MLCC).     

氮化硅薄膜MIM电容器的制备与性能研究

在被釉氧化铝陶瓷基片上,采用真空电阻蒸发法和等离子体增强化学气相沉积法制备了Au/NiCr电极薄膜及氮化硅(SiNx)介质薄膜,并对薄膜进行光刻图形化,制成了Au/NiCr/SiNx/Au/NiCr结构的MIM电容器。研究了所制电容器的介电性能、介温性能和I-V特性等电学性能。结果表明:所得MIM电容器具有很低的介电损耗(1MHz时tanδ为0.00192)及很高的电压稳定性;在–55～+150℃的范围内其1MHz时的电容温度系数为258×10–6/℃;另外,其I-V特性曲线显示出较好的对称性,漏电流密度较低,可承受较高的电压。     

Sb掺杂SnO2修饰双电层电容活性炭电极的研究

应用sol-gel浸渍与热处理工艺相结合,在活性炭表面包覆Sb掺杂的SnO2薄膜对电极进行修饰,构成AC-SnO2/KOH/AC-SnO2双电层电容器,测试结果表明,400 mA/g电流密度条件下,修饰后的双电层电容器在0.001～1.5 V相对较高电压区间的放电容量,比AC/KOH/AC双电层电容器在0.001～1.0 V电压区间高36%,但AC-SnO2的单电极比电容仅为AC单电极比电容的91.9%;当电流密度大于400 mA/g,两种电极的大电流性能相当。     

Ta2O5薄膜沉积在Ta的可能性和可靠性

用Ta作底电极材料能够替代Ta_2O_5膜存储电容器传统的贵金属电极。所沉积的Ta_2O_5膜呈无定形,沉积在退火Ta底电极上的RTA加工(30s,O_2气氛下800m℃)膜,在100kV/cm下介电常数为41,漏电流密度为10~(-9)A/cm~2,具有良好的电性能。时间相关介质击穿特性表明沉积在退火Ta底电极上的RTA处理Ta_2O_5MIM电容器,能在应力场为1.5MV/cm下使用10年。应用Ta作电极会大幅度降低工艺复杂性和未来高密度DRAM的生产成本。     

节约丝网印刷电容器贵金属电极的探讨

丝网印刷电极早已成为被广泛采用的电子元件制作工艺之一.在许多情况下,由于工艺过程的需要,电极材料必须采用贵金属,如银、金、钯、铂等.就我厂而言,仅用于电容器的电极,白银的使用量即以吨计.根据理论分析和实践的结果表明,大幅度减少丝网印刷贵金属的使用量是可能的,对电容器的产品质量也是有益的. 一、电容器电极的极限方阻和极限膜厚电容器电极的平面电阻为: R=ρ(l/(bδ)) (1) 式中:l为电容器电极膜电阻的长度;b为电容器电极     

专利文摘

<正> 瓷介电容器化学镀镍方法 辽宁省辽阳无线电器件厂 辽宁省辽阳市南新华路6号 张海成 本发明是把化学镀技术运用于瓷介电容器的电极金属化。化学镀技术用于瓷介电容器生产的关键在于能否提高镀层与瓷体间的附着力,减小化学镀过程中造成的附加损耗。本发明通过用含氢氟酸和铬酐的酸蚀液进行预处理,通过对蚀后瓷体的彻底清洗,通过对敏化、活化后的清     

表面镀镍对活性炭织物电极材料性能的影响

选用活性炭织物ACF507,利用热喷涂技术进行表面镀镍处理,研究了处理前后炭织物的电化学性能。结果表明,镀镍后活性炭织物表面电导率提高42.53%,其作为双电层电容器电极材料在质量分数为30%KOH电解液中的Res由1.15Ω降至0.42Ω,降幅达63.5%;随电流密度增加,镀镍样品的VIR增加幅度较镀镍前降低70.6%,导电性显著提高。在不同扫描速率下,镀镍后样品循环伏安曲线均呈明显的矩形电势窗口,说明其具有良好的电容行为和双电层特征。     

片式MLC三层端电极工艺技术

我厂研制成片式多层陶瓷电容器三层端电极已有五年多了。其中镍和铅锡镀液、制造工艺、微型电镀设备等全部自行设计，并生产出大量适用于ＳＭＴ，如电子调谐器，厚膜电路、电子手表中用的产品。近期又地该工艺的成熟性进行研究，即电镀后产品的电性能提高，镍和铅锡镀液的维护，片式电阻和电感三层端电极材料研制，使片式元件三层端电极技术系统化。     

铜电极瓷介电容器

<正> 三十多年来,由子用烧渗银法制作瓷介电容器电极具有工艺简单和电容器高频特性优良等特点而被广泛应用,但陶瓷介质的优良性能常因银离子迁移而被破坏并导致电容器失效。在电容器引出线焊接时又会因银极易被锡熔蚀而使电容器的电极存在潜在的缺陷。为了克服银电极的这些弱点,人们曾作     

低频独石电容器瓷料的低中温烧结

<正> 近年来,国内外独石电容器的发展非常迅速,目前正处于高潮。国内主要生产以银为内电极的低温烧结独石电容器,其电性能不十分理想,膜片比较厚,进一步缩小体积有困难,远不能满足整机对元件片状化的要求。近几年,不少企业拟从国外引进先进的     

纽扣型液体双电层电容器的研制

极化电极、电解液和隔离膜是液体双电层电容器的主要组成部分。实验分析了它们对电容器电性能的影响。在此基础上 ,试制出的模型电容器的电容量 C超过 1F,漏电流 IL (2 V偏压下 )小于 0 .5 m A,等效串联电阻 ESR低于 10Ω。     

PTCR元件化学镀镍电极的最优工艺条件

采用正交试验法研究了络合剂浓度、镀液 pH值、施镀温度与时间对BaTiO3 陶瓷PTCR元件化学镀镍电极的影响 ,得到制备化学镀镍电极的最优工艺条件。重复试验证明 ,在该工艺条件下获得的以Ni镀层为底层电极的PTCR元件 ,其耐电压和耐工频电流冲击性能良好。     

镍内电极Y5V特性MLCC烧结工艺研究

制备了镍内电极Y5V特性多层陶瓷电容器(MLCC),采用SEM、DPA等分析手段研究了烧结工艺对样品电性能和可靠性的影响,结果发现,合适的烧结温度可以使陶瓷晶粒生长充分均匀,使陶瓷体致密度高。合适的烧结气氛可以减小样品在烧结时的内部应力,从而防止内部缺陷的发生。烧结温度和烧结气氛的合理匹配,可以使样品的电性能和可靠性达到最优。