氦氖激光对棘孢小单孢菌诱变育种的研究

小单孢菌是具有巨大潜力的抗生素产生菌,可产生包括氨基甙类、大环内脂类、多肽类等多种抗生素。庆大霉素是氨基甙类第二代产品。在获得优质高产的氨基甙类抗生素产生菌的选育中,目前仍是以诱变为主。但是常规方法中都是对孢子及菌丝进行诱变,正突变率较低,不易筛选到产量增高的菌株,因而有必要进行改进。本实验采用氦氖激光辐照小单孢菌的原生质体,获得了提高产量的菌株,现将结果报道如下。     

微生物激光育种的动向

微生物激光育种自1962年美国宾夕法尼亚大学(Pennsylvania)的琴斯(B.Chance)和希莱耶(H.Schleyer)报导了用液氮冷却的红宝石激光,在光合作用中激活衣藻的电子转移后,逐有研究工作展开。 我们(1982—1985年)曾用铜蒸气激光辐照棘孢小单孢菌(M.echinospora),得到实验条件下发酵单位提高10％的激光辐照株,其单孢子表面结构经电镜观察,未发现有孔穴或表面结构异常变化。其中还得到了有效小组分C_1含量提高而C_2含量相应下降的激光辐照株。由于很多新抗生素产生菌其产物往往含多组分,故这一研究为有效组分含量的     

绛红色小单孢菌生长中细胞结构变化的研究

绛红色小单孢菌生长中细胞结构变化的研究管玉霞，黄宗平（厦门大学细胞生物学研究室，厦门３６１００５）绛红色小单孢菌生长过程中菌体形态电镜观察已有报道￣［１］。但该菌在生长中细胞结构有何变化，这种变化与产抗有什么关系，迄今尚未见报道。本文旨在用扫描电子显...     

苏芸金杆菌伴孢晶体的大小和形态结构

用电子显微镜研究了苏芸金杆菌25个H—血清型的27个菌株和7.个新分离菌株的伴孢晶体,比较了它们的大小和形态结构。伴孢晶体的形态分为:菱形、方形、椭园形或近园形、或近园形、近六角形、不规则形及多种形式的镶嵌形。菱形伴孢晶体的平均长度0.708—1.748μm,平均宽度0.436—0.998μm,且它们的平均长度/平均宽度的比值大多数为2左右;非菱形伴孢晶体的平均长度和平均宽度分别为0.785—1.253μm和0.632—0.992μm,它们之间的比值为1.2—1.4。云南省文山菌株(WenShun strain)产生两个叠合的形似“张开嘴的鱼头状”的伴孢晶体。励木变种(Subsp.tochigiensis)(H19)的一个孢子束中形成2—3个伴孢晶体,且排列的位置也不尽相同。首次发现云南变种(Subsp.yunnanensis,H20)113菌株在形成伴孢晶体的同时产生“葡萄状”的物体,它是否属于旦白质的伴孢晶体及其对昆虫的作用,还有待于研究。     

球形芽孢杆菌伴孢体的电子显微研究

本文报道了球形芽孢杆菌MR—4和1593菌株的伴孢体的形态、大小和产生部位。发现两菌在3种培养基平板上均能产生伴孢体,并且二者的伴孢体在形态和大小上有明显的区别。同时初步分离了MR—4—78菌株的伴孢体,生物测定证明其伴孢体对1令致乏库蚊幼虫具有毒性。     

CuxSiyO阻变存储器单粒子和总剂量辐照效应

对CuxSiyO结构的阻变存储器(RRAM)进行了总剂量(TID)以及单粒子辐照(SEE)实验.总剂量实验中,1T1R样品分别接受总剂量为1,2和3 kGy (SiO2)的60Co γ射线辐射.样品中没有出现低阻在辐照后翻转的现象.单粒子辐照实验中,16 kbit RRAM阵列样品分别接受线性能量转移(LET)值最高达75 MeV的4种离子束的辐射.样品中没有出现低阻在辐照后翻转的现象.除一组无翻转外,存储单元的高阻到低阻的翻转率皆在0.06％左右.实验结果证实了RRAM中已经形成的导电通道不会受辐照影响,因此不存在低阻翻转为高阻的现象.     

不同钝化层结构的长波碲镉汞光伏探测器的γ辐照效应

对采用单层ZnS和双层CdTe/ZnS两种钝化层结构的长波碲镉汞光伏器件进行了实时γ辐照效应研究.通过辐照过程中实时测试器件的电流-电压特性,发现随着辐照剂量的增加,两种器件表现出不同的辐照效应.结合光伏器件的电流机制分析,对器件的电阻-电压曲线进行数值拟合,发现器件的主要电流机制在偏压较大时为间接隧道电流,在偏压较小及零偏压附近时为产生-复合电流.对辐照前后器件的电阻-电压曲线进行对比分析,认为CdTe/ZnS双层钝化结构有助于降低辐照位移效应的影响,使得器件间接隧道电流随辐照剂量无明显的增加;同时发现辐照电离效应的影响与器件材料的初始性能参数密切相关,拟合得到ZnS单层钝化结构的器件具有较高的少子产生-复合寿命,受电离效应的影响较大,导致其产生-复合电流随着辐照剂量增加持续增大.     

核科学与能源

Y2001-62943 02100752000年 IEEE 辐射效应数据专题会议录=2000 IEEEridiation effects data workshop[会,英]/IEEE Nuclearand Plasma Sciences Society.—2000.—172P.(E)本会议录收集了在内华达州 Reno 召开的辐射效应数据会议上发表的24篇论文,内容涉及20-500MeV质子辐照设备,IGBT 器件重离子单辐射效应分析,静态随机存储器离子辐照对数据存留的影响,Co60剂量测试,质子辐照对 Pentium MMX 和 Celeron 微处理机单事件翻转特性影响,光耦合器辐照测试数据简编,     

三孢布拉氏霉的扫描电镜研究

本文用扫描电镜研究了三孢布拉氏霉的形态发生，该菌正株和负株在无性繁殖中都形成大孢子囊和小孢子囊，正株的小孢子囊有单包和多孢之分，而负株的仅见多孢，本文对接合孢子的观察与Ｍｉｓｔｒｙ的基本一致，并发现成熟的接合孢子的配囊柄在其两端或并立。     

基于SOI-SONOS存储器的高速辐照加固灵敏放大器设计

总剂量辐照下,存储单元和MOS管阈值电压均会发生漂移,引起灵敏放大器性能退化.基于0.6μm SOI工艺,设计了一种用于SONOS EEPROM存储器中的高速、辐照加固的新型灵敏放大器.该电路中采样反相器和参考支路采用电路补偿技术,以达到抗辐照效果.双支路预充技术用于提高读取速度.仿真结果表明灵敏放大器中采样反相器噪声容限,以及参考电流基本不受辐照引起的阈值电压漂移的影响.此外,辐照后新型灵敏放大器电路延迟时间仅为9.16ns,与传统单支路预充结构相比,延迟时间缩短27%.     

基于红外照射仿真的快速搜索相关跟踪干扰点研究

通过人工红外照射改变目标与背景的红外辐射特性能够对相关跟踪形成有效干扰,其中,红外照射的位置对干扰效果具有重要影响。为提升红外照射干扰相关跟踪的效率,文中建立了红外照射仿真搜索相关跟踪干扰点模型,对干扰相关跟踪的有效照射位置进行快速搜索。首先,运用TracePro光线追迹软件建立了真实实验条件下的红外照射系统模型,并利用高斯模型对照射光斑的照度分布进行了拟合。然后,在一定空间范围内,采用二维扫描的方式进行真实照射干扰和仿真照射干扰对比实验,结果表明:仿真照射与真实照射的干扰结果一致性达到了98%,且仿真照射找出了真实照射条件下干扰相关跟踪的全部干扰点,从而很好地验证了文中方法的有效性。     

GaN基紫外探测器的电子辐照效应

用能量为0.8 MeV的电子对非故意掺杂的GaN材料进行了辐照,光致发光谱（PL谱）表明,辐照使PL谱的强度随电子注量依次降低,且主发光峰蓝移,在注量较高时,在3.36 eV附近,出现新的发光峰。制备了SiN/GaN的MIS结构,并对其进行电子辐照,通过测量C-V曲线计算得到SiN/GaN之间的界面态随着电子辐照注量的增加而增加。制备了GaN基p-i-n 结构可见盲正照射紫外探测器并进行电子辐照,测量了辐照前后器件的I-V曲线和光谱响应曲线。实验表明,小注量的电子辐照对器件的反向暗电流影响不大,当电子注量≥5×10¹⁶ n/cm²时才使器件的暗电流增大一个数量级。辐照前后器件的光谱响应曲线表明,电子辐照对器件的响应率没有产生明显的影响。利用GaN材料和MIS结构的辐照效应分析了器件的辐照失效机理。     

γ辐射对碲镉汞光伏探测器的暂态损伤与永久损伤

利用60Co γ源对碲镉汞光伏探测器进行了辐射损伤研究,通过电流-电压测试方法对器件的辐射效应进行了表征.利用数值微分方法得到器件较大反向偏压下的暗电流与缺陷中心密度的关系更为明显.通过研究辐射停止后器件的暗电流随着时间延长的变化,认为碲镉汞光伏探测器的γ辐射损伤存在暂态损伤和永久损伤.将这一现象进行实际应用,可以延长工作于辐射环境中的红外探测器的使用寿命.     

偏压条件对光耦合器总剂量辐照效应的影响

通过对不同偏压条件对光耦合器总剂量辐照效应的影响进行研究,结果发现随着总剂量的增加,光耦合器电流转换率CTR会降低60％ ～ 80％,且输入低电流时光耦合器总剂量辐照损伤更严重,其原因可能是输入低电流时光耦合器内部发光二极管辐照过程中更容易产生非发光陷阱所致.     

自由电子激光辐照半导体多量子阱的研究

利用低温光荧光谱研究了自由电子激光辐照对GaAs/AlGaAs多量子阱光学性质的影响。用波长为 8 92μm ,光功率密度相应于电场强度为 2 0kV/cm的自由电子激光辐照多量子阱 6 0min ,发现量子阱特征峰 797nm经过辐照后峰值发生红移至 812nm ,波形展宽 ,峰高降低。对此结果进行了讨论 ,并与电子辐照的情况做了比较。     

γ辐照导致中波碲镉汞光伏器件暗电流退化的机理研究

针对红外探测器在空间应用中受到高能粒子辐照后暗电流退化的问题,开展射线对中波碲镉汞（HgCdTe）光伏器件暗电流影响的研究。在室温和77 K温度下,利用60Co-射线对HgCdTe器件进行辐照试验,辐照试验结束后对低温辐照器件进行77 K低温退火和室温退火。通过比较辐照前后和退火后器件的I-V特性、R-V特性和零偏动态电阻R0参数,分析了辐照对HgCdTe器件暗电流的影响机制。试验结果表明:在总剂量为7 Mrad（Si）照条件下,器件暗电流未出现明显的退化;在77 K温度辐照条件下,器件暗电流随着总剂量的增加而增加,且暗电流退化幅度与辐照过程中的偏置有关。研究表明暗电流的退化源于辐照在器件中造成电离损伤,导致器件HgCdTe化层中的界面态和空穴陷阱电荷密度增加。     

GaN基PIN紫外探测器的质子辐照效应

摘要：制备了GaN基PIN结构紫外探测器。用能量为2MeV的质子对器件依次进行注量为5×1014cm-2和2×1015cm-2的辐照。通过测量辐照前后器件的I-V曲线和光谱响应曲线，讨论了不同注量的质子辐照对GaN基紫外探测器件性能的影响。I-V特性表明，辐照使器件的反向暗电流增大，正向开启电流减小，并减小了器件的响应率，使峰值响应波长向短波方向稍有移动。为分析器件的辐照失效机理，研究了质子辐照对GaN材料的拉曼散射谱(Raman谱)和光致发光谱(PL谱)的影响。拉曼散射谱表明，A1(LO)模式随辐照注量向低频移动，通过拟合A1(LO)谱形，得到辐照使材料的载流子浓度降低的结果。PL谱表明，辐照使主发光峰和黄光峰强度降低，并出现一些新的发光峰，分析认为这是由于辐照引起了N空位缺陷和其他一些缺陷的亚稳态造成。     

一种新的辐射试验技术--低能X射线辐照

首先分析了辐照条件下MOSFET氧化层及Si／SiO2界面陷阱电荷和界面态电荷产生的机理,随后介绍了一种低能X射线辐射系统,最后讨论了X射线辐照后nMOSFET阈值电压的变化。结果表明采用X射线辐照对nMOSFET的阈值电压的影响与^60Co辐照影响的规律一致。     

膜片上FBAR结构的阵列式伽马辐照剂量计

设计了一种膜片上薄膜体声波谐振器(FBAR)结构的伽马辐照剂量计。采用FBAR替代传统伽马辐照检测元件来实现伽马辐照剂量检测的新方法,并提出FBAR呈阵列式分布的结构,可实现辐照剂量和分布的检测。为了对FBAR进行温度补偿,设计了由SiO2与Si3N4组成的双层复合薄膜,SiO2的温度系数为+85×10-6/℃,与具有负温度系数的压电层进行复合,减小了温漂,同时增加了膜片的强度。给出了两种不同结构的阵列式伽马辐照剂量计详细的工艺路线;可望满足阵列式、高灵敏度、微小型化伽马辐照剂量检测的需求。