共查询到20条相似文献,搜索用时 15 毫秒
1.
随着计算机工业、信息、多媒体技术的高速发展,对计算机外存储设备提出了大容量、高数据传输速率及小型化的要求,而实现该要求的唯一途径是提高记录密度。近几年来,由于高矫顽力低噪声介质、薄膜磁阻头、读写及定位技术等方面的重大突破,使记录密度以每年60%的速率递增。本文就这种数字式磁记录技术中使用的薄膜磁记录介质及新型薄膜磁头材料的发展作一简述。 相似文献
2.
3.
4.
随着数字化技术的飞速发展,需要传输、纪录大量的信息,因此要求磁记录向高密度化方向发展。磁记录代表性装置即硬盘驱动设备(HDD),它比半导体、光磁记录装置容量更大,速度更快,可靠性更好,性价比也更理想。过去的十年中其记录密度以年增长100%的发展,近年来略有下降。HDD的高密度化就必须记录介质、磁头、 相似文献
5.
6.
7.
采用磁控溅射方法,制备了以不同厚度Ru薄膜为籽晶层的CoCrPt-SiO2垂直磁记录薄膜。利用原子力显微镜(AFM)、透射电镜(TEM)分析Ru薄膜的结构和形貌,并研究了其结构对CoCrPt-SiO2薄膜表面形貌、粗糙度及结构的影响。结果表明,CoCrPt-SiO2记录层的晶粒尺寸和粗糙度均随着Ru籽晶层厚度的增加而增加,薄而粗糙的籽晶层适合于高密度磁记录介质。对于CoCrPt-SiO2记录层晶粒的优化,厚度为70nm的Ru籽晶层有利于记录层薄膜晶粒的完全隔离,从而提高了磁记录性能。 相似文献
8.
9.
磁性薄膜最大的应用领域是信息存储 ,即磁记录方面。这种记录是基于磁化 ,是不挥发的信息记录元件。自 1990年以来计算机磁盘驱动装置 (HDD)中用的磁膜的面记录密度取得了突飞猛进的发展 ,年增长率超过 10 0 % ,超过半导体器件性能提高的速度 (穆尔定律 )。磁带或磁盘记录信 相似文献
10.
11.
近年来随着磁记录密度的急剧增高和磁性薄膜感应器的日益小型化高性能化的发展 ,硬盘记录头和薄膜感应器等磁性器件市场对于高饱和磁通密度薄膜的需求日益增长。因而近年来相继发表了一系列新型软磁薄膜材料 ,用FeCo膜作夹芯的NiFe薄膜具有 2 4T的高饱和磁通密度而且 相似文献
12.
采用CoCrPtNb四元合金作磁记录介质,并采用多层膜结构(CoCrPt)100-Nbx/CrTi/C/Glass制备玻璃盘基硬盘。实验结果表明:采用适宜厚度的籽晶层与合适组分的底层和磁性层的多层膜结构,即使在室温下溅射,此种薄膜磁记录介质也可得到高达260kA/m的矫顽力;在550℃高温下,经过30min真空退火后,其矫顽力有较大幅度提高,并在Nb含量为2.4%(原子分数)时达到极大值386kA/m,适用于高密度磁记录。同时,也详细分析了磁性层和底层组分、籽晶层厚度以及真空退火对磁记录介质磁性能和微结构的影响。 相似文献
13.
NEC公司采用高纯CoNiFe电沉积法开发出一种具有磁极最大饱和磁感达 2 .1T的磁头。这种磁极产生的“写”磁场是用坡莫合金制成的磁极的两倍 ,后者是目前常用的材料。由于这种容量明显增加 ,成本降低 ,所以其硬盘驱动器 (HDD)有巨大的潜在市场 ,在计算机及发展视频领域中极具吸引力。目前 ,HDD具有相当大的记录密度约 1 0Gb/in2 ,实验室水平达到 2 0Gb/in2 。虽然为达到愈来愈高的记录密度 ,要求磁记录介质颗粒尺寸越来越小 ,但是这样超顺磁效应会增加 ,从而使磁矩方向不稳定即使在室温下也出现涨落。事实上 ,目前所… 相似文献
14.
为了获得等离子体显示器的介质保护膜,利用离子束辅助沉积技术制备了致密的MgO薄膜;通过X射线衍射仪、扫描电镜、光电子能谱分析了MgO薄膜的特性及特性和工艺参数之间的关系。结果表明:薄膜主要显示(200)晶面的择优取向;从断面形貌、密度及折射率来看,离子束辅助沉积制备的MgO薄膜比电子束蒸发制备的MgO薄膜更致密,薄膜和基底间的结合力更强;离子能量,基底温度,沉积速率及退火处理影响薄膜的结晶,离子能量为1KeV时,薄膜结晶性最好,在离子能量固定为1KeV时,基底温度或沉积速率降低都能提高薄膜的结晶度;空气为退火有助于薄膜的进一步生长。 相似文献
15.
用热处理方法合成Nd-Fe-B系垂直磁各向异性薄膜永磁材料^[1] 永磁体的微小化正引起电机、致动器、微波集成电路、超高密度磁记录技术、微型电一机系统等领域的关注。按目前水平100μm为薄板化的极限,现已能制取高性能Nd2Fe14B(称为φ相)的薄膜永磁体,如用溅射法制得高矫顽力垂直磁化 相似文献
16.
利用溶胶-凝胶法在高强度CuAlBe合金上制备TiO2薄膜。采用静态挂片法、极化曲线法、交流阻抗法研究基材和涂层在不同介质中的腐蚀速率,用EDS分析腐蚀产物成分,并采用M352、ZSimpwin相关软件进行数据处理。研究结果表明:涂覆试样比基材在不同介质中的腐蚀速率小,并且试样在各介质中的腐蚀速率大小依次为:0.1mol/LH2SO4〉人工海水〉自来水。海水中腐蚀产物可能为MgCl2,CaCl2,CuCl2;不同介质中涂覆试样的腐蚀电流密度比基材低,且除600℃时有突然变小外,腐蚀电流密度随热处理温度升高而升高,并且涂层能有效抑制阳极腐蚀反应。 相似文献
17.
磁头只是在极狭小面积的磁极端部使用极薄软磁膜 ,这类磁头用软磁薄膜要求大的饱和磁化强度Ms、低的矫顽力Hc 以及在高频下具有高的比磁导率 μr。μr高、磁致伸缩系数λs接近于零值的 80Ni2 0Fe(坡莫合金 )薄膜在MR磁头上使用的最多 ,作为MR磁头用的软磁薄膜 ,最近发现了显示巨磁阻 (GMR)效应的各种多层膜。( 1)大饱和磁化薄膜 :记录密度越高则必须提高媒体磁记录层的Hc ,因而首先要求磁头中的极薄磁极层的Ms 也尽量大 ,为此近年来开发了一系列大Ms 磁性薄膜。 ( 2 )低矫顽力薄膜 :纯铁与非磁性体 (类金属 ,过渡金… 相似文献
18.
近年来,巨磁阻(GMR)磁头、磁头磁盘驱动装置等技术的迅速发展,硬盘装置等磁记录器件的记录密度不断提高。在谋求高密度化的进程中,微细加工技术及其微细领域中对于磁性材料诸性质的深入研究十分必要,为此对于纳米级磁性线材的制备和研究工作也变得十分活跃。为了进一步开展这一 相似文献
19.