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采用磁控溅射方法,制备了以不同厚度Ru薄膜为籽晶层的CoCrPt-SiO2垂直磁记录薄膜。利用原子力显微镜(AFM)、透射电镜(TEM)分析Ru薄膜的结构和形貌,并研究了其结构对CoCrPt-SiO2薄膜表面形貌、粗糙度及结构的影响。结果表明,CoCrPt-SiO2记录层的晶粒尺寸和粗糙度均随着Ru籽晶层厚度的增加而增加,薄而粗糙的籽晶层适合于高密度磁记录介质。对于CoCrPt-SiO2记录层晶粒的优化,厚度为70nm的Ru籽晶层有利于记录层薄膜晶粒的完全隔离,从而提高了磁记录性能。 相似文献
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建立自动电位滴定法测定水溶肥料中腐植酸含量的检测方法,将它与标准方法中的手工滴定法进行比较。采用比较精密的自动电位滴定仪滴定,减小人为读数误差和终点误差,重现性好,安全高效,准确性大大提高。另外,参考其他文献测定腐植酸含量的方法并进行了优化。应用改进后的方法提高了实验效率,精密度好,回收率为95%~102%。 相似文献
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部分传输序列(PTS)算法能够有效地解决OFDM系统峰均比过高的问题。传统的PTS算法需要计算出所有辅助加权系数序列的峰均比,因此计算复杂度很大。本文在对传统PTS算法分析的基础上,引入门限理论,提出一种改进的PTS算法。经过仿真分析,新算法在峰均比性能略下降时,能够大幅度降低复杂度。 相似文献
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用热模拟试验机研究了纯铂在真应变量为0.9、变形温度为550℃~950℃和应变速率为0.01~1 s~(-1)的热塑性变形行为,并对热压缩后的样品进行了金相观察和显微硬度测量。结果表明,纯铂的流变应力随变形温度的升高和应变速率的降低而降低;其热压缩变形过程中软化行为由变形温度和变形速率共同作用决定,一般以动态回复为主,而在低应变速率和高形变温度下以动态再结晶为主,动态再结晶发生造成的软化使纯铂样品的硬度迅速下降。利用Zener-Hollomon参数方程获得了热塑性变形流变应力本构方程,得到纯铂的热变形激活能为208.51 kJ/mol,流变应力拟合公式计算值与实验值的平均误差为5.9%。 相似文献
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采用连续铸造和冷拉集成技术制备Cu-Ag系合金,最终进行时效处理。分别测量不同真应变η下合金的力学性能和电学性能,探究不同条件下合金的显微组织、力学性能及电学性能的变化规律,并对其强化机理和导电机理进行了讨论。结果表明:随着真应变量的增加,Cu-Ag系合金的抗拉强度和硬度经历了显著增加到上升趋于缓慢,最后再趋显著增加的过程,而导电率则随着施加应变的增加出现相反的规律。此法制备的Cu-Ag系合金工艺简单,综合性能有所提高。 相似文献
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体外模拟人体肠液(SIF)消化分析Pen a1消化后免疫原性的变化规律。虾致敏蛋白Pen a1及其表位多肽经SIF消化后,用全抗体和表位特异性抗体检测Pen a1及其各抗原表位的免疫原性的变化,并测定表位多肽的SIF消化稳定性。结果表明,Pen a1的免疫原性在消化60 min内下降显著,在90 min后下降缓慢,生成的新片段仍具有免疫原性,但会逐步完全分解至SDS-PAGE无法检测出;Pen a1中5个抗原表位的免疫原性变化也类似。Western-blot表明五个表位抗体与生成的新蛋白结合程度不同,No.3、4、5抗体与20~30 ku处的新蛋白片段结合多于No.1、2。ELISA检测表明即使经过4 h的消化,免疫原性也只是降低了80%。Pen a1各表位消化稳定性为No.2No.1No.3No.4No.5;5个表位多肽的消化稳定性为No.3No.1No.4No.2No.5,与各表位上的酶切位点的个数呈负相关。可以得出Pen a1中No.2表位具有最高的消化稳定性,No.5表位表消化稳定性最差。 相似文献
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采用浆料涂覆烧结法制备铂电极,对比了基材处理方式(磁控溅射/喷砂)、铂黑(Ptb)和氧化铂(PtO2)粒径差异对电极形貌、附着力、方阻及电催化性能的影响。结果表明,基材采用磁控溅射法制备的涂层表面结构优于喷砂法的涂层,使其剥离强度均略高于喷砂处理的样品;针对于粉末粒度,需控制在一定范围内(即Ptb(350 nm)和PtO2(350 nm)),其制备的涂层表面易形成蜂窝状或絮状的微连接结构,可显著降低方阻,提高其附着力。对结构和附着力较好的Ptb/Pt电极和PtO2/Pt电极进行CV曲线分析,PtO2/Pt电极的电催化性能优于Ptb/Pt电极。 相似文献