对电极涂覆AgN Ws对聚3-(2-羟乙基)噻吩变色性能的影响

为提高聚噻吩类衍生物电致变色器件的响应速度和循环稳定性,采用电化学聚合法制备聚3-(2-羟乙基)噻吩(P3TE)薄膜,同时将银纳米线(AgNWs)分散液滴涂到ITO玻璃上制得AgNWs导电薄膜,分别以ITO玻璃上的P3TE和AgNWs薄膜为工作电极和对电极,与凝胶电解质一起组装成电致变色器件.采用多种分析方法对薄膜的组...     

大面积电致变色器件的制备及性能研究

采用溶胶-凝胶法合成了TiO2-CeO2薄膜,XRD、SEM、紫外可见透射光谱、循环伏安法等测试结果表明：经500℃热处理1h后的TiO2-CeO2薄膜呈面心立方方铈矿结构,其薄膜表面光滑,光学透过率高于80％,电荷存储量可达9．46mC·cm^-2,循环可逆性K为95％,是一种性能优良的电荷储存材料．同时采用聚（3,4-乙撑二氧噻吩）PEDOT／PSS为电致变色活性材料,制备了对称结构（ITO｜｜PEDOT／PSS｜｜PMMA／PC—LiClO4｜｜PEDOT／PSS｜｜ITO）和非对称结构（ITO｜｜PEDOT／PSS｜｜PMMA／PC—LiClO4｜｜TiO2-CeO2｜｜ITO）的大面积（10cm×10cm）电致变色器件,发现二者的对比度分别为17％、23．4％,褪色响应时间则分别为0．9s和2．8s,具有良好的应用性能．     

全固态电致变色玻璃的光透过率研究

用sol-gel方法,以钨粉和H2O2为主要原料,通过聚乙二醇和碳酸丙烯酯掺杂,制备出WO3电致变色薄膜.用此种薄膜组装成全固态电致变色玻璃器件,对玻璃器件进行着色-褪色过程的光透过率测试.结果表明：掺杂制备的WO3电致变色薄膜性能要优于未掺杂的薄膜,碳酸丙烯酯掺杂制备的薄膜变色性能较好;此外,还从WO3电致变色薄膜的变色机理和离子传输过程对玻璃的光透过率进行了一定的讨论.     

聚(3,4-二溴噻吩)及其电致变色器件的制备与性能研究

以3,4-二溴噻吩作为单体,以三氟化硼乙醚溶液(BFEE)为电解质溶液,通过电化学聚合得到聚(3,4-二溴噻吩)[Poly(3,4-dibromothiophene),PDBrTh],其能够显示亮红色和蓝色之间的可逆变化,并研究了PDBrTh薄膜的电致变色性能,其最快响应时间可以达到1.21 s,循环寿命达到1 800圈.以此薄膜作为电致变色层,制成的全固态PDBrTh基电致变色器件能够实现红色/蓝色的可逆变化,对于丰富电致变色器件的颜色具有重要意义.     

聚苯胺导电膜电致变色机理研究

采用乙腈(高氯酸水溶液电解体系,其pH=1及0.5~0.6 V恒电位电解聚合,得到了均匀、绿色、有光泽、导电率为10-1s·cm1的聚苯胺导电膜。研究了掺杂剂、苯胺浓度、pH值和电解电位等对膜的导电率、成膜质量及电致变色反应的影响。采用循环伏安方法研究了显色反应机理,并确定HClO4为最佳掺杂剂。当施加-0.2~0.8 V电压时,实现了黄-绿-蓝色的可逆电致变色反应。     

掺杂PEO的WO3电致变色薄膜的研究

通过溶胶-凝胶方法,采用正交设计试验研究制备出了掺杂PEO的WO3电致变色薄膜,并利用电化学循环伏安装置、分光光度计、X-Ray衍射进行了相关的性能测试,指出掺杂一定量的PEO可使氧化钨薄膜离子、电子传导率加快,薄膜响应速度加快,同时也使薄膜的变色性能提高.     

溶胶-凝胶法制备WO3-TiO2电致变色薄膜的研究

通过溶胶 -凝胶方法制备出了掺杂 Ti O2 的 WO3电致变色薄膜 ,并利用电化学循环伏安装置、分光光度计、X- Ray衍射进行了相关的性能测试 ,指出掺杂一定量的 Ti O2 可有效地稳定氧化钨溶胶 ,提高薄膜的循环使用寿命 ,同时也使薄膜的变色性能降低     

普鲁士蓝衍生物Cd2[Fe(CN)6]·2H2O 纳米棒的合成与表征

以聚乙二醇(PEG-400)为表面活性剂,采用水热法合成了直径约为500 nm的普鲁士蓝衍生物Cd_2[Fe(CN)_6]·2H_2O纳米棒。将其旋涂到氧化铟锡(ITO)玻璃上制成薄膜,用电化学工作站对薄膜进行循环伏安测试,测得该薄膜的氧化电位为0.32 V,还原电位为0.26 V。     

sol-gel法制备WO3薄膜的成膜性研究

用sol-gel法在ITO导电玻璃上制备了WO3电致变色薄膜,用光学显微镜对所有薄膜进行拍照,对比薄膜的成膜情况.经观察发现,薄膜前驱液浓度、拉膜速度和杂质对成膜性均有显著影响.从拉膜的过程方面讨论了出现上述情况的原因.     

纳米氧化钼薄膜的水热生长、器件制备及其电致变色性能

以金属钼粉为原料制备的过氧钼酸为前驱体溶液,直接在导电玻璃表面水热生长纳米氧化钼薄膜,并组装成电致变色器件,研究了器件的电致变色性能。研究表明:180?C下以过氧钼酸为前驱体溶液水热反应12 h可以得到均匀的薄膜,薄膜由厚约100～150 nm的纳米块组成;在波长720 nm处透过率调制幅度最大,达到13.3%;器件变色较快,其着色时间为3.5 s,褪色时间为2.9 s。     

柠檬酸根辅助电沉积制备铂纳米粒子及其制备条件的优化

以氧化铟锡（ITO）透明导电玻璃为基体,在柠檬酸根存在下,采用恒电位电化学沉积法制备铂纳米粒子,并通过改变施加电位、柠檬酸钠浓度、前驱体浓度和电解质浓度来优化铂纳米粒子的制备条件.利用X射线衍射（XRD）表征在ITO表面沉积的Pt颗粒的晶相结构,并运用循环伏安法（CV）测定Pt/ITO电极在酸性介质中的电催化氧化性能.实验结果表明,在施加电位为-0.3V、H2PtCl6浓度为0.8mmol/L、柠檬酸钠浓度为20mmol/L和电解质HClO4浓度为0.1mol/L的条件下,制备出的铂纳米粒子的电催化性能较好.     

溶胶—凝胶法制备WO3—TiO2电致变色薄膜的研究

通过溶胶－凝胶方法制备出掺杂ＴｉＯ２的ＷＯ３电致变色薄膜,并利用电化学循环伏安装置,分光光度计、Ｘ－Ｒａ６衍射进行了相关的性能测试,指出了掺杂一定量的ＴｉＯ２可有效地稳定氧化钨溶胶,提高薄膜的循环使用寿命,同时也使薄膜的变色性能降低。     

聚苯胺电致变色薄膜的制备及性能

以苯胺单体为原料,采用电化学沉积法在玻璃衬底FTO导电薄膜上合成聚苯胺电致变色薄膜．采用恒电流法,研究苯胺单体浓度、酸的种类、电沉积时间、电流密度等对薄膜制备及电致变色性能的影响,确定合成聚苯胺薄膜的最佳条件．结果表明,聚苯胺电致变化薄膜的最佳制备条件是0．15mol／L苯胺单体的1mol／L硫酸溶液,以10．A／cm^2的电流密度电沉积40min．该条件下制备的薄膜的着色效率较无机电致变色薄膜高,但仅能循环105次．     

交流电频率范围变化对电化学合成的聚吡咯薄膜电致变色性能的影响

采用电化学阻抗谱法,以吡咯和对甲苯磺酸(p-toluenesulfonic acid, p-TSA)为原料配制反应溶液,以掺氟SnO₂透明导电玻璃为基底,简单而有效地一步合成聚吡咯(polypyrrole, PPy)薄膜。研究了电化学合成中交流电频率范围的变化对所制备的聚吡咯薄膜的结构和电致变色性能的影响。结果表明,在初始电位0.7 V,施加±100 mV正弦波的基础上,交流电频率范围的变化改变了PPy薄膜颗粒的分布形态,频率范围变化越宽,薄膜颗粒越小,尺度接近于纳米级。当交流电频率范围在10^-1～10³Hz时,制备的PPy薄膜的电致变色性能最佳,其800 nm光波处的光调制幅度达到65.4%,该薄膜还具有较快的电致变色响应,着色和褪色开关时间分别为5 s和6.5 s,且其着色效率达到137.4 cm²·C^-1, 100次电致变色循环后的光调制幅度保留率可达65.7%。     

MoO3 薄膜的MoS2 氧化法制备、器件组装 及其电致变色性能

以MoS_2为原料,通过超声波辅助液相剥离块体MoS_2,得到了MoS_2纳米片。将其分散于乙醇中,然后旋涂至氟掺杂氧化锡(FTO)导电玻璃上,煅烧后得到MoO_3薄膜,并组装成电致变色器件,研究了器件的电致变色性能。结果表明,所制备出的MoO_3纳米片的厚度约为50～60 nm,所制备的电致变色器件在580 nm波长处,透过率调制幅度达到最大值16.2%,器件的着色时间为3.0 s,褪色时间为9.2 s。     

一种新颖的空穴阻挡材料的合成、表征与空穴阻挡特性研究

利用Yamamoto偶联反应合成了间位连接双氧桥联的联苯衍生物（MDBP）。循环伏安法及吸收光谱分析表明MDBP具有较低的HOMO能级（6.12 eV）和较高的氧化电位（2.5 V）;利用结构ITO/NPB/MDBP/Alq3/Li/Al的多层器件,探讨了MDBP厚度、电压对空穴阻挡性能的影响,结果表明较高电压下该材料对空穴的阻挡能力与BCP相当。并利用MDBP为空穴阻挡层制备了白光器件。     

掺杂PEO的WO3电致变色薄膜的研究

通过沈胶－凝胶方法,采用正交设计研究制备出了掺杂PEO的WO3电致变色薄膜,并利用电化学循环伏安装置、分光光度计、X－Ray衍射进行了相关的性能测试,指出掺杂一定量的PEO可使氧化钨薄膜离子、电子传导率加快,薄膜响应速度加快,同时也使薄膜的变色性能提高。     

不同热处理工艺制备WO3电致变色薄膜及性能研究

采用溶胶凝胶-钨粉过氧化法制备了氧化钨电致变色薄膜,并对其进行了不同温度的热处理,通过对电致变色原理的分析,研究讨论了不同热处理工艺对氧化钨薄膜微观形貌和电致变色性能的影响.采用X射线衍射、扫描电子显微镜、紫外-可见分光光度计、电化学工作站对薄膜的微观结构、离子储存、离子扩散速率和光谱调制能力进行了表征和分析.结果表明：适当的热处理温度可以形成较低缺陷的非晶薄膜,此时薄膜具有优越的离子储存和扩散能力,从而具有较大的可见光调节范围;热处理温度为300,℃时,薄膜表现出较好的电致变色性能.     

不同热处理工艺制备WO_3电致变色薄膜及性能研究

采用溶胶凝胶-钨粉过氧化法制备了氧化钨电致变色薄膜,并对其进行了不同温度的热处理,通过对电致变色原理的分析,研究讨论了不同热处理工艺对氧化钨薄膜微观形貌和电致变色性能的影响.采用X射线衍射、扫描电子显微镜、紫外-可见分光光度计、电化学工作站对薄膜的微观结构、离子储存、离子扩散速率和光谱调制能力进行了表征和分析.结果表明:适当的热处理温度可以形成较低缺陷的非晶薄膜,此时薄膜具有优越的离子储存和扩散能力,从而具有较大的可见光调节范围;热处理温度为300,℃时,薄膜表现出较好的电致变色性能.     

氧化钼/聚吡咯复合膜的制备及变色性能研究

为了弥补无机变色材料的不足,引入有机聚合物进行复合,组装成互补型电致变色器件.本文以七钼酸铵为原料,采用水热法合成六方相氧化钼(h-MoO_3),通过浆料法制备氧化钼变色薄膜并组装成变色器件.利用恒电压聚合法制得聚吡咯薄膜,并与氧化钼薄膜复合组装纳米氧化钼/聚吡咯复合变色器件.采用X射线衍射仪(XRD)、傅里叶变换红外光谱仪(FTIR)、扫描电子显微镜(SEM)、紫外-可见分光光度计和电化学工作站对样品的结构以及器件的变色性能进行表征.结果表明:氧化钼的晶型为h-MoO_3;随反应时间的延长,不规则颗粒状的MoO_3逐渐生长并形成六角棒状,其直径为3μm,长度为20μm;氧化钼/聚吡咯复合变色器件的着色与褪色时间分别为35s和22s;在481nm处吸收峰的强度从0.62减小到0.55,光学对比度变化大.