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利用波像差方法研究半导体激光束的传输变换特性,推导出用于校正半导体激光束像散的柱面透镜的正确设计公式。 相似文献
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本文根据半导体激光束的像散椭圆高斯光束特性,设计实用的半导体激光束准直系统的光学结构,并给出其参数计算的正确公式,修正了文献[5~8]中相应的公式. 相似文献
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半导体激光束的校正像散变换 总被引:1,自引:0,他引:1
本文以重新定义的高斯光束菲涅耳数及其变换规律为基础,推导出正确的半导体激光束的校正像散变换公式,修正了文献^[1-3]中的表达式。 相似文献
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大功率半导体激光束非球面准直系统的优化设计 总被引:2,自引:1,他引:2
为实现空间激光束的远距离传输,利用矢量折射定理研究了大功率半导体激光器发散光束经非球面、非轴对称准直系统的光传输特性。对空间光线传输得出了矩阵传递公式,并针对大功率线源半导体激光器的发散光束进行了高精度的准直优化设计。为实现对激光束的进一步准直,利用光学设计软件CODE-V设计了卡塞格伦光学天线。利用两点法对发散角进行了实验测试,结果表明优化设计的准直系统发散角为1.924 mrad,经光学天线进一步准直后的发散角为96.2μrad。本空间光线追迹方法对复杂光学系统的精确计算具有一定参考意义,所设计的大功率线源激光束准直系统能广泛应用于远距离激光通信系统中。 相似文献
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一、引言多晶硅薄膜在集成电路制造工艺中应用日趋增多,诸如利用多晶硅薄膜制造硅栅、多晶硅薄膜电阻、多晶硅引线、双极性晶体管的发射区等。多晶硅薄膜的激光退火能使其晶粒长大,使杂质电激活,可以提高多晶硅薄膜的电学性能,引起了人们的广泛重视,特别是绝缘衬底上的多晶硅薄膜经激光退火后有可能转变为单晶,给立体大规模集成电路的实现带来希望,吸引了不少活跃在这一研究领域的科学工作者。在半导体激光退火中,激光束的脉冲宽度对激光退火的结果有决定性的影响。微微秒脉冲宽度的激光束能使单晶半导体材料变成非晶材料,毫微秒脉冲宽度的激光束以熔化外延方式再结晶,使离子注入半导体单晶材料的非晶层转变为单晶,毫秒脉冲宽度的激光束(连 相似文献
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N/A 《激光与光电子学进展》1970,7(12):33
使用美帝通用电话和电子学实验室研制的红外激光扫描显微镜,能改进半导体工业中的检验方法。在加工前及加工过程中,激光束穿过半导体片产生明亮的“阴影图”。 相似文献
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魏景芝 《激光与光电子学进展》1987,24(9):46
日本三菱电气公司首先证实,利用砷化镓量子阱半导体激光器改变注入电流量,能实现双波长激光束的转换功能。公司已制出一个采用这种特性的半导体激光器样品。 相似文献
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菲涅耳──基尔霍夫衍射积分公式究竟有没有问题──兼评王绍民教授的衍射理论 总被引:1,自引:0,他引:1
作者利用基氏公式解释了文献[5]的实验,说明基氏公式是可靠的。在激光束的中心部分加一个透光膜,使光程改变λ/2,则在某些条件下,激光束的照度可增强九倍。 相似文献
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众所周知,半导体激光器发光管芯是长条形,输出激光束截面一般成圆形光斑,对于大功率列阵半导体激光器,除了列阵中的每一个管芯发光成椭圆形光斑外,由于管芯之间排列有间隙,而且排列 相似文献
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《激光与光电子学进展》2004,41(11)
该机采用进口半导体阵列,用波长808nm半导体发光二极管抽运Nd:YAG介质,形成长1064nm的激光输出。该激光器体积小,是传统抽运激光器的四分之一,光电转换效率高,激光束可通过光纤传输将激光束传到扫描头上,特别适合各种生产线的在线打标。 相似文献
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当激光束照射到半导体材料或器件的表层时,光子将激发出电子—空穴对,进而产生光束感生电流(OBIC),通过激光束在样品表面进行扫描,同时将微弱的OBIC电流放大并记录在计算机图象记忆系统中,可以得到样品的一幅OBIC衬度的图象。 相似文献
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受光阑限制离轴高斯光束的解析传输 总被引:2,自引:1,他引:2
激光束的传输特性在激光技术应用中有着重要的意义。光束的解析传输问题是激光光学中的难点之一。从Collins公式出发,详细研究了离轴高斯光束(OAGB)通过有光阑近轴ABCD光学系统的传输特性,推导出了受硬边光阑、高斯光阑或余弦光阑限制的离轴高斯光束通过近轴ABCD光学系统的解析传输公式,并讨论了硬边光阑、高斯光阑或余弦光阑之间的关系。数值计算证明了所得公式的正确性和优点。分析了求解受多光阑限制的激光束通过近轴ABCD光学系统的解析传输公式的困难性,结果表明,其困难性在于受单光阑限制激光束的解析传输公式中含有误差函数。 相似文献
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薄膜是半导体器件制造中常用的材料,它的制备方法有蒸发、溅射和CVD等.激光束和电子束制备薄膜,由于它具有反应时间短、加热温度低、加热范围小以及加热和冷却迅速等特点而逐步受到重视.本文着重介绍用激光束制备半导体膜、金属硅化物膜和介质膜.半导体膜的制备又可分为束辐照再结晶和激光诱导化学气相淀积(LCVD)两种方法.辐照再结晶是使绝缘衬底上的多晶,在激光束的辐照下发生熔化再结晶.形成单晶膜.LCVD是在超高真空系统中,通入SiH_4或GeH_4,在激光束的辐照下分解出硅或锗原子,并淀积于衬底上.如果在系统中加入笑气便形成氧化膜,并比较了用该方法制备的氧化膜与常规热氧化和LPCVD膜. 相似文献