中芯国际与灿芯半导体的40LLARMCortex-A9双核测试芯片成功流片

灿芯半导体（上海）有限公司与中芯国际集成电路制造有限公司及ARM公司日前联合宣布,采用中芯国际40纳米低漏电丁艺的ARMCodex．A9MPCore双核测试芯片首次成功流片。该测试芯片基于ARMCortex-A9双核处理器设计,采用了中芯国际40纳米低漏电工艺。其处理器使用了一个集32KI-Cache和32KD。Cache、128TLBentries、NEON技术,以及包括调试和追踪技术的CoreSight设计     

中芯与灿芯40LL ARM Cortex—A9成功流片

灿芯半导体（上海）有限公司与中芯国际及ARM联合宣布,采用中芯国际40纳米低漏电工艺的ARMR CortexTM—A9MPCoreTM双核测试芯片首次成功流片。     

中芯与灿芯40LLARMCortex—A9成功流片

国际领先的IC设计公司及一站式服务供应商——灿芯半导体（上海）有限公司与中芯国际集成电路制造有限公司及ARM今日联合宣布,采用中芯国际40nm低漏电工艺的ARM CortexTM．A9MPCoreTM双核测试芯片首次成功流片。     

一种新型低漏电ESD电源箝位电路

在到达纳米级工艺后,传统的静电放电防护(ESD)电源箝位电路的漏电对集成电路芯片的影响越来越严重。为降低漏电,设计了一种新型低漏电ESD电源箝位电路,该箝位电路通过2个最小尺寸的MOS管形成反馈来降低MOS电容两端的电压差。采用中芯国际40 nm CMOS工艺模型进行仿真,结果表明,在相同的条件下,该箝位电路的泄漏电流仅为32.59 nA,比传统箝位电路降低了2个数量级。在ESD脉冲下,该新型ESD箝位电路等效于传统电路,ESD器件有效开启。     

TSMC采用28纳米工艺生产的ARM@CortexTM-A9测试芯片超越3GHz

TSMC日前宣布，采用28纳米高效能工艺生产的ARM@CortexTM-A9双核心处理器测试芯片在常态下的处理速度高达3．1GHz。TSMC是采用28纳米高效能移动运算工艺（28nmHighPerformanceMobileComputing，28HPM）实现此优异成果，提供高速与低漏电的解决方案。配合各种设计最后验证的要求，     

中芯国际在65和45纳米CMOS逻辑工艺上选择Kilopass OTP解决方案

Kilopass科技公司和中芯国际宣布在嵌入式OTP的合作伙伴关系。Kilopass是中芯国际于65纳米和45纳米工艺的第一个嵌入式OTPNVM合作伙伴。Kilopass将于2009年底及2010年年中分别实现在中芯国际65纳米和45纳米OTP测试芯片的投片。     

ARM与中芯国际宣布将拓展合作关系

ARM和中芯国际集成电路制造有限公司日前宣布双方将在中芯65纳米和40纳米低漏电工艺节点上合作开发先进的ARM物理IP库平台。该协议将免费提供ARM的DesignStart在线IP访问入口供双方客户使用,可下载9轨和12轨multi-Vt逻辑库套件,电源管理包,ECO包和ARM优化的高密度存储编译器。该协议扩展了双方长期合作关系,以提供双方客户得以用于180纳米,130纳米,110纳米和90纳米的工艺技术上具高度差异化的IP。     

中芯国际助力锐迪科量产55纳米RF接收器芯片

中芯国际宣布锐迪科RDA5802N调频接收器（RF Receiver）芯片,一个采用中芯国际的55纳米低漏电（LL）工艺平台以及寅通科技IP解决方案的产品已于日前开始量产。     

中芯国际与长电科技联手打造中国IC制造产业链

凸块是先进的半导体制造前段工艺良率测试所必须的,也是未来三维晶圆级封装技术的基础。随着移动互联网市场规模的不断扩大,以及40纳米及28纳米等先进IC制造工艺的大量采用,终端芯片对凸块加工的需求急剧增长。中芯国际与长电科技联手打造中国IC制造产业链。     

中芯国际和晶晨半导体量产90纳米数码相框芯片

中芯国际和晶晨半导体日前共同宣布，一款由晶晨半导体设计，采用中芯国际90纳米工艺生产制造的数码相框芯片成功量产。     

新产品、新技术简讯

中芯国际和芯原推出0.13um低漏电工艺的标准设计平台芯原股份有限公司和全球领先的代工厂之一中芯国际集成电路制造有限公司日前共同宣布，推出用于中芯国际0.13um低漏电工艺的芯原标准设计平台。该SDP包括用于单端口和双端口静态存储器的存储器编译器、扩散可编程只读存储器、双端口寄存器文件编译器、标准单元库以及I／O单元库。这种新的DSP被特别最优化，适用于低漏电和低电源，并且已经通过中芯国际的0.23umLowLeakageSiliconShuttlePrototypingService在硅中得到证明。此外，这种SDP支持业界领先的EDA工具，包括Cadence、Syno…     

中芯推出低功耗IC实现参考流程

中芯国际和芯片设计软件厂商Magma联合推出了基于中芯国际90纳米工艺的增强版低功耗IC实现参考流程，其中采用了Magma的Blast Power、Blast Fusion和Blast Create技术。     

中芯国际和Virage Logic拓展伙伴关系至40nm低漏电工艺

<正>7月22日,Virage Logic公司和中芯国际集成电路有限公司共同宣布其长期合作伙伴关系扩展到40nm的低漏电工艺技术。Virage Logic公司和中芯国际从最初的130nm工艺合作起便为双方共同的客户提供具高度差异的IP,涵盖的工艺广泛还包含90nm以及65nm。     

华大电子55纳米智能卡芯片

正华大电子推出中国第一颗55纳米智能卡芯片,该芯片采用中芯国际55纳米低功耗(LL)嵌入式闪存(e Flash)平台,具有尺寸小、功耗低、性能高的特点,目前已实现量产供货,其优良性能得到客户的广泛认可。中芯国际的55纳米低功耗嵌入式闪存平台,可为智能卡芯片客户提供一个兼具高性能和低成本的解决方案。该平台具有完全的逻辑兼容性,所有1.2V逻辑库IP皆可用于此嵌入式平台;采用逻辑电压更低的1.2V核心器件,可在最大程度上降低芯片     

我国高端通用芯片与计算机单芯片技术获重大进展

日前,国内高科技企业广东新岸线计算机系统芯片有限公司推出40纳米A9双核2.0GHz高性能计算机系统芯片——NuSmart 2816。     

中芯国际集成ARM926EJ处理器芯片成功通过认证

中芯国际宣布，其应用ARM926EJ^TM处理器内核的芯片成功地通过了ARM公司严格的可靠性认证。该芯片在设计过程中整合了ARM926EJ^TM内核及对应的嵌入式追踪宏单元(ETM9TM)芯片测试设备，在中芯国际成熟的0．13微米技术工艺上流片成功。应用了ARM926EJ^TM芯片的成功验证，进一步扩展了中芯国际同ARM公司(LSE：ARM；Nas—daq：ARMHY)的合作，     

上海高清携手中芯国际成功开发地面解调国标芯片

中芯国际和上海高清合作,采用130纳米工艺批量生产了中国地面数字电视国标解调芯片HD2812和HD2910。该产品的开发,上海高清提供了完整的系统设计方案及ASIC设计交由中芯国际量产。HD2812和HD2910芯片是完全符合中国地面数字电视传输标准GB20600-2006的地面数字电视传     

TSMC采用28nm工艺生产的ARM CortexTM-A9测试芯片超越3GHz

<正>TSMC于5月3日宣布,采用28nm高效能工艺生产的ARMCortexTM-A9双核心处理器测试芯片在常态下的处理速度高达3.1GHz。TSMC是采用28nm高效能行动运算工艺实现此优异的成果,提供高速与低漏电的解决方案。配合各种设计最后     

采用联芯芯片,联想首款TD双通智能机上市

近日,联芯科技有限公司宣布其双核Cortex A91.2GHz智能终端芯片LC1810为联想新机S868t所采用。该款手机是目前首款TD-SCDMA的双卡双待双通智能手机,已经上市销售。作为联想与中国移动深度合作推出的最新旗舰智能机,S868t采用联芯科技双核CortexA9智能终端芯片LC1810,5.0英寸qHD级别大屏幕、双核双卡双待双通是其独特卖点。     

中芯国际与上海高清推出数字电视解调芯片

中芯国际和上海高清数字科技产业有限公司日前宣布，双方采用130纳米工艺批量生产了中国地面数字电视国标解调芯片HD2812和HD2910。HD2812和HD2910芯片是完全符合中国地面数字电视传输标准GB20600—2006的地面数字电视传输解调芯片。该产品的开发、量产是在上海高清和中芯国际的合作下完成的，上海高清提供了完整的系统设计方案及ASIC设计，