基于SOI衬底的射频电感优化设计

比较了SOI RF电感与体硅电感的性能,并根据模拟结果分析了电感中空面积,电感形状结构,金属宽度、间距对SOI电感品质因数Q、自谐振频率、电感量L的影响,最后提出了一种基于SOI衬底RF电感的优化设计原则.以往射频集成电感性能的比较并不固定电感值,而文中全部参数的变化都是在电感值相同的情况下进行比较.     

基于SOI衬底的射频电感优化设计

比较了SOIRF电感与体硅电感的性能 ,并根据模拟结果分析了电感中空面积 ,电感形状结构 ,金属宽度、间距对SOI电感品质因数Q、自谐振频率、电感量L的影响 ,最后提出了一种基于SOI衬底RF电感的优化设计原则 .以往射频集成电感性能的比较并不固定电感值 ,而文中全部参数的变化都是在电感值相同的情况下进行比较     

射频集成电路对称型螺旋电感研究

针对片上集成螺旋电感的建模,研究并设计了相关的优化方法。分析了已有电感结构,提出了一种高性能的优化方案,使螺旋电感的品质因数和差分特性都有了显著的提高,为螺旋电感设计中品质因数和电感值的折中提供更大的选择面。该优化设计尤其适合高性能全差分压控振荡器对高性能螺旋电感的需要;优化设计选取典型的单层螺旋电感作为测试对象,工作频率为2.439GHz,芯片面积最大值限定为250μm×250μm,采用ASITIC提供的默认工艺。     

基于优化设计线性矩阵不等式的三相DC-AC变换器鲁棒性跟踪控制

本文介绍了一种优化设计的鲁棒性控制技术,针对逆变系统中可能存在的不确定性,如滤波电感值,滤波电容值,通过状态反馈和整合跟踪错误,优化设计线性矩阵不等式（LMI）,获得状态估计器最佳增益,使收敛速度最大化,在同步dq坐标系中加以描述,采用空间矢量调制技术实施。仿真结果和实验测试证明该优化控制方法具有良好的跟踪性能。     

三维微机械电感的优化设计

研究了影响三维微机械电感电感值和Q值的主要因素 ,提出了电感值和Q值的理论计算模型。并利用该模型 ,对不同尺寸结构的三维微机械电感进行了数值模拟。根据理论计算的结果 ,得到了电感的优化结构 ,在 2 .5GHz的工作频率下 ,其电感值为 11nH ,Q值为 9。     

硅集成电感元件的分析、设计与优化

利用采用FDTD(finite-difference time-domain method)方法的计算软件ISE-EMLAB对片上集成电感进行了模拟,并分析了电感的金属宽度、金属间隔、线圈外直径、线圈匝数等设计参数对电感的品质因数、电感值、电阻值等参数的频率特性的影响,进而提出了一种应用于片上集成电感的优化设计的方法.     

硅集成电感元件的分析、设计与优化

利用采用FDTD(finite-difference time-domain method)方法的计算软件ISE-EMLAB对片上集成电感进行了模拟,并分析了电感的金属宽度、金属间隔、线圈外直径、线圈匝数等设计参数对电感的品质因数、电感值、电阻值等参数的频率特性的影响,进而提出了一种应用于片上集成电感的优化设计的方法.     

硅衬底片上螺旋电感宽带2π等效电路模型

针对高损耗硅衬底,基于部分元等效电路方法和全耦合变压器模型,建立了一种新的片上螺旋电感物理模型.该模型考虑了趋肤效应、邻近效应和衬底涡流损耗对螺旋电感中串联电感和串联电阻频率特性的制约,并通过2π等效电路结构计入了电感中寄生电容的分布特性.通过与全波分析方法对比,验证了在15GHz范围内由该模型导出的等效电感、等效电阻和Q值误差均在8%以内.该模型可望用于硅基射频集成电路中电感的优化设计和进一步的理论探讨.     

硅衬底片上螺旋电感宽带2π等效电路模型

针对高损耗硅衬底,基于部分元等效电路方法和全耦合变压器模型,建立了一种新的片上螺旋电感物理模型.该模型考虑了趋肤效应、邻近效应和衬底涡流损耗对螺旋电感中串联电感和串联电阻频率特性的制约,并通过2π等效电路结构计入了电感中寄生电容的分布特性.通过与全波分析方法对比,验证了在15GHz范围内由该模型导出的等效电感、等效电阻和Q值误差均在8%以内.该模型可望用于硅基射频集成电路中电感的优化设计和进一步的理论探讨.     

硅集成电感元件的分析、设计与优化

利用采用FDTD (finite-difference time-domain method) 方法的计算软件ISE-EMLAB对片上集成电感进行了模拟，并分析了电感的金属宽度、金属间隔、线圈外直径、线圈匝数等设计参数对电感的品质因数、电感值、电阻值等参数的频率特性的影响，进而提出了一种应用于片上集成电感的优化设计的方法.