一种宽电压输入范围降压稳压电路的设计

为了解决高压恒流源芯片内部低压模块供电问题,通过集成降压预调整电路、前置基准源和线性稳压器3个模块,设计了一种宽电压输入范围的降压稳压电路.采用0.6μm BCD工艺模型进行仿真验证.结果显示,降压预调整电路低压跟随时压差在50mV内.输入在6～40V范围内变化时,偏置和基准的变化分别为1.13mV和0.3mV幅度.线性稳压器直流下PSRR可达-85dB,在1MHz工作频率下,输入电压为6V和40V时,模拟电源变化幅度分别不超过24mV和46mV,数字电源变化幅度分别不超过0.3V和0.8V.该降压稳压电路已成功应用于高压LED恒流源中.     

高电源抑制比和高阶曲率补偿带隙电压基准源

基于分段线性补偿原理,提出了一种新的带隙基准源高阶曲率补偿方法,使电压基准源的温度特性曲线在整个工作温度范围内具有多个极值,显著提高了电压基准源的精度.采用0.5μm CMOS工艺模型进行仿真.结果表明,在-40℃～135℃的温度范围内,电压基准源的温度系数为5.8×107/℃.设计了具有提高电源抑制比功能的误差放大器,在5V电源电压下,电压基准源的电源抑制比在低频时为-95.4dB,在1kHz时为-92.4dB.     

一种14位400MS/S分段型电流舵DAC的设计

基于TSMC O.25μm CMOS工艺,采用分段开关电流结构,设计了一种基于2.5 V电源电压的14位400MS/s D/A转换器.该D/A转换器内置高精度带隙基准源、高速开关驱动电路和改进的Cascode单位电流源电路,以提高性能.D/A转换器的积分非线性(INL)和微分非线性(DNL)均小于0.5 LSB.在400 MHz采样频率、199.8 MHz输出信号频率时,其无杂散动态范围(SFDR)达到85.4 dB.     

功率型LED模组基板横/纵向散热性能研究

为了研究LED模组的散热性能,对其基板的横向和纵向散热性能进行了对比研究。首先建立加快基板横向和纵向散热性能的有限元模型,即在基板上覆盖高导热层和基板内添加高热导率热沉结构。并运用有限元(FEM)分析方法对两种基板的散热效果以及基板和LED芯片温度分布的均匀性进行了对比分析。最后,对于基板上覆盖高导热层的结构,结合实际工艺和散热性能的考虑,进一步优化了高导热层的厚度。     

1.5GHz BiCMOS级间电感匹配低噪声放大器设计

在一个无线接收系统中，为了获得良好的总体系统性能，需要一个性能优越的前端，而低噪声放大器（LNA）就是前端的一个重要组成部分。     

基于积累型MOS变容管的射频压控振荡器设计

随着移动通信技术的发展，射频（RF）电路的研究引起了广泛的重视。采用标准CMOS工艺实现压控振荡器（VCO），是实现RF CMOS集成收发机的关键。过去的VCO电路大多采用反向偏压的变容二极管作为压控器件，然而在用实际工艺实现电路时，会发现变容二极管的品质因数通常都很小，这将影响到电路的性能。于是，人们便尝试采用其它可以用CMOST艺实现的器件来代替一般的变客二极管，MOS变容管便应运而生了。     

一种高效率低谐波失真E类射频功率放大器的设计

研究了E类RF放大器的电路结构、工作原理,并提出了一个工作频率为1.8GHz,输出功率为26dBm,漏极效率达到66.5%的低谐波失真BiCMOS功率放大器,为了达到设计目标,文章采用了一些特殊的方法,包括采用两级放大结构,差分和交叉耦合反馈结构.最后用0.35μm SiGe BiCMOS工艺实现了E类射频功率放大器的设计.     

HRXRD研究SiN盖帽层在Si中引入的应变

为了研究SiN盖帽层在Si中引入应变的机理与控制,利用高分辨X射线衍射(HRXRD)技术分析了si中应变的各向异性以及与盖帽层厚度的关系.研究发现,盖帽层厚度低于300nm时,应变量与厚度呈近线性关系,随后增加趋缓,最终达到一饱和值;同时,应变在不同晶向表现出明显的各向异性,表层应变Si与未应变Si衬底在(004)晶面上的衍射峰重叠在一起,而(111)晶面的2个衍射峰可明显地被分离,且倾角对Si衬底衍射峰半高宽具有明显的展宽.     

硅衬底片上螺旋电感宽带2π等效电路模型

针对高损耗硅衬底,基于部分元等效电路方法和全耦合变压器模型,建立了一种新的片上螺旋电感物理模型.该模型考虑了趋肤效应、邻近效应和衬底涡流损耗对螺旋电感中串联电感和串联电阻频率特性的制约,并通过2π等效电路结构计入了电感中寄生电容的分布特性.通过与全波分析方法对比,验证了在15GHz范围内由该模型导出的等效电感、等效电阻和Q值误差均在8%以内.该模型可望用于硅基射频集成电路中电感的优化设计和进一步的理论探讨.     

基于负载电流动态泄放技术的LDO线性稳压器

通过对LDO瞬态响应的分析,基于负载电流动态泄放技术,提出一种新型LDO线性稳压电路,减小了负载电流阶跃变化对输出电压的影响,从而改善了系统的瞬态响应特性.采用0.18μm CMOS工艺模型进行仿真.结果表明,负载电流从1mA到120mA阶跃变化时,输出电压负向过冲减小60.1mV,恢复时间缩短33.4μs;从120mA到1mA阶跃变化时,输出电压正向过冲减小47mV,恢复时间缩短214.3μs.