基于DMT的HDSL／ADSL系统中的回波抵消技术

高比特率数字用户环路是在光纤用户网普及之前向用户提供宽带业务的一种过渡手段。ＤＭＴ（离散多音频调制）是一种多载频调制，由于性能优越，被广泛应用于ＨＤＸＳＬ和ＡＤＳＬ系统中。采用加波抵消的方法，可以提高系统传输速率、增加传输距离。本文着 基于ＤＭＴ的ＨＤＳＬ和ＡＤＳＬ系统中的回波抵消技术－－ＴＡＦＤＥＣ方法，即将频域的回波抵消器（ＥＣ）和时域的回波合成器（ＣＥＳ）结合起来，以达到减少运算量，降低复杂     

MSP50X3X系列语音合成器原理与应用系统实例

简要介绍了ＴＩ公司ＭＳＰ５０Ｘ３Ｘ系列语音合成器的结构，特性以及参数法语音合成的原理。详细介绍了采用ＴＩ公司ＬＰＣ，ＭＥＬＰ、ＣＥＬＰ算法开发语音合成系统的过程，最后给出了ＭＳＰ５０Ｐ３３的单片机应用系统实例。     

衰落信道上FEC设备的硬件实现方法

文中首先介绍了ＦＥＣ设备中ＢＣＨ（３１，２１）码的编码电路，然后在Ｅ．－Ｈ．Ｌｕ等所提出的新的ＢＨ码译码算法的基础上，详细介绍了ＢＣＨ（３１，２１）码译器和交织器的ＣＰＬＤ设计与实现技术。     

EMX—500交换机系统带数据丢失的原因分析

ＥＭＸ－５００交换机系统带数据丢失的原因分析江苏省徐州邮电局朱小枫ＥＭＸ－５００交换机的系统带最初是由ＭＯＴＯＲＯＬＡ公司提供的，它共有３个组成部分，即ＰＡＴＣＨ，ＳＹＳＧＥＮ（ＳＹＳＴＥＮＧＥＮＡＲＡＴＩＯＮ）和空的ＣＨＡＮＧＥＪＯＵＮＡＬ。前两部...     

DXC设备的配置和应用（中）

ＤＸＣ设备的配置和应用（中）张凌云ＣｏｎｆｉｇｕｒａｔｉｏｎａｎｄＡｐｐｌｉｃａｔｉｏｎｏｆＤＸＣＥｑｕｉｐｍｅｎｔＺｈａｎｇＬｉｎｇｙｕｎ四、干线网配置ＳＤＸＣ的意见ＳＤＸＣ是伴随ＳＤＨ出现的数字交叉连接设备，它大大提高了网络的生存性和节点的灵活性...     

中兴通讯将大规模参加开罗通信展

由埃及交通部及阿拉伯联盟赞助的２０００年开罗通信广播展览会（ＣＡＩＲＯＴＥＬＥＣＯＭＰ）将于１月１７日至２０日在开罗国际会议中心举行。中兴通讯将展出ＺＸＧ１０ＧＳＭ移动通信系统（包括基站监控设备）、ＺＸＳＭＳＤＨ光传输系统、ＺＸＭＶＣ视讯系统、ＺＸＡ...     

面向21世纪的网络平台——NEAX61Σ综合业务交换机

ＮＥＣ公司和天津ＮＥＣ公司为了给我国通信网的现代化建设提供最新技术和产品，近期推出了面向２１世纪通信网和信息产业的ＮＥＡＸ６１Σ综合业务程控交换机（下称ＮＥＡＸ６１Σ），其技术特点是：１光通信技术的广泛应用ＮＥＡＸ６１Σ可交换的ＡＴＭＨＵＢ系统总线...     

金刚石表面离子束金属化研究

采用离子束增强沉积技术对金刚石热沉材料表面金属化进行了研究，制备了Ｔｉ／Ｎｉ／ＡｕＩｎ和ＣＵ／ＡｕＩｎ金属化体系。采用俄歇、ＥＤＳ、ＸＲＤ和ＳＣＲＡＴＣＨ方法对膜层和界面进行了分析。     

HP推出新一代图形标准的PC工作站新品

ＨＰ推出新一代图形标准的ＰＣ工作站新品惠普中国公司近日宣布向国内市场推出三款ＫａｙａｋＰＣ工作站的最新产品。它们是采用了Ｉｎｔｅｌ４４０ＢＸ芯片组、创系统和图形性能新标准的ＨＰＫａｙａｋＸＡ－ｓ、ＫａｙａｋＸＵ和ＸＷＰＣ工作站。据悉，它们均在采用ＨＰ...     

简讯

简讯邮电部引进ＳＤＨ微波通信系统邮电部引进先进的ＳＤＨ微波通信系统，准备在广州—南宁的国家一级干线上使用，其容量为１１３４０条话路。这套系统以采用交叉极化干扰消除器（ＸＰＩＣ）、多电平编码调制（ＭＬＣＭ）和判决反馈均衡（ＤＦＥ）等项国际领先技术为特征...     

认知无线电中的混合认知引擎设计

为了提高认知引擎的性能,更好地实现认知无线电系统参数的智能调整,设计了一 种混合认知引擎,综合运用多种人工智能方法实现认知引擎的推理、学习、优化和决策等功 能。分析了经典认知引擎模型和人工智能在认知引擎中的应用情况,构建了混合认知引擎的 功能结构框图,讨论了混合认知引擎的工作机理和技术特点。分析表明,混合认知引擎 具有较强的灵活性和鲁棒性。     

Hot carrier effects of SOI NMOS

Hot carrier effect (HCE) is studied on annular NMOS and two-edged NMOS such as H-shape gate NMOS, T-shape gate NMOS and common two-edged NMOS. Based on the chemical reaction equation of HCE degradation and a geometry dependent reaction diffusion equation, a HCE degradation model for annular NMOS and two-edged NMOS is proposed. According to this model, we conclude that the time exponent of the threshold voltage degradation depends on the configuration of the gate, and annular NMOS has more serious HCE degradation than two-edged NMOS. The design, fabrication and HCE experiments of these NMOS in a 0.5-μm PD SOI process verify the correctness of the conclusion.     

SOI工艺下NMOS管的热载流子效应研究

摘要：本文研究了SOI工艺下环形栅NMOS和双边栅NMOS（H型栅NMOS、T型栅NMOS和普通条形栅NMOS）的热载流子效应。基于热载流子退化的化学反应方程式和一种与器件几何结构相关的反应扩散方程,提出了环形栅NMOS和双边栅NMOS的热载流子退化模型。根据此模型得出,热载流子退化的时间指数与NMOS的栅结构密切相关,且环形栅NMOS与双边栅NMOS相比,热载流子退化更加严重。通过对0.5 PD SOI 工艺下这几种不同栅结构的NMOS管的设计、流片和热载流子试验,验证了结论。     

基于公共交通电子支付的HCE应用研究

本文介绍了NFC技术的发展,以及HCE的技术背景,探究基于HCE技术在交通领域的应用,探究基于HCE技术的交通云卡的支付支撑系统建设。     

CMOS数字电路抗热载流子研究

介绍了热载流子效应与电路拓扑结构及器件参数之间的关系,并在此基础上提出了基本逻辑门的一些搞热载流子加固方法。通过可靠性模拟软件验证这些方法,为CMOS数字电路提高抗热载流子能力提供了参考。     

动态应力下MOS器件热载流子效应研究

研究了 MOS器件中的热载流子效应 ,在分析了静态应力下 MOSFET寿命模型的基础上 ,提出了动态应力条件下 MOSFET的寿命模型。此外 ,还研究了沟道热载流子的产生和注入与器件偏置条件的关系 ,讨论了热载流子效应对电路性能的影响。通过对这些失效因素的研究和通过一定的再设计手段 ,可以减少热载流子效应导致的器件退化     

深亚微米CMOS集成电路抗热载流子效应设计

热载流子效应(HCE)、电介质击穿、静电放电，以及电迁移等失效机理，已经对VLSI电路的长期可靠性造成了极大的威胁。其中，热载流子效应是最主要的失效机理之一。影响CMOS电路热载流子效应的因素有：晶体管的几何尺寸、开关频率、负载电容、输入速率以及晶体管在电路中的位置。通过对这些因素的研完，提出了CMOS电路热载流子可靠性设计的通用准则。     

深亚微米MOS器件的热载流子效应

对深亚微米器件中热载流子效应 (HCE)进行了研究 .还研究了沟道热载流子的产生和注入以及与器件工作在高栅压、中栅压和低栅压三种典型的偏置条件的关系 .在分析热载流子失效机理的基础上 ,讨论了热载流子效应对电路性能的影响 .提出影响晶体管热载流子效应的因素有 :晶体管的几何尺寸、开关频率、负载电容、输入速率及晶体管在电路中的位置 .通过对这些失效因素的研究并通过一定的再设计手段 ,可以减少热载流子效应导致的器件退化 .     

采用最佳横向变掺杂技术的LDMOS中热载流子效应的研究

本文提出了一个计算结果,分析了热载流子注入氧化层的机率与表面电场强度的关系,证实了一定条件下传统的采用最佳横向变掺杂技术的LDMOS结构会受热载流子注入氧化层的影响产生热载流子效应。进而提出了一种优化的可以削弱热载流子效应的结构,研究结果表明无需变动任何工艺,该结构就能将器件表面的电场强度从 268kV/cm 降至100kV/cm ,极大地阻抗了热载流子的发射.     

异质栅全耗尽型应变硅 SOI MOSFET二维解析模型*

本文首次并建立了异质栅全耗尽型应变Si SOI (DMG SSOI) MOSFET的二维表面势沿沟道变化的模型．并对该结构的MOSFET的短沟道效应SCE (short channel effect),热载流子效应HCE(hot carrier effect),漏致势垒降低DIBL (drain induced barrier lowering)和载流子传输效率进行了研究．该模型中考虑以下参数：金属栅长,金属栅的功函数,漏电压和Ge在驰豫SiGe中的摩尔组分．结果表明沟道区的表面势引进了阶梯分布,正是这个阶梯分布的表面势抑制了SCE,HCE和DIBL．同时,应变硅和SOI(silicon-on-insulator)结构都能提高载流子的传输效率,特别是应变硅能提高载流子的传输效率．此外阈值电压模型能者正确表明阈值电压随栅长比率L2/L1减小或应变Si膜中Ge摩尔组分的降低而升高．数值模拟器ISE验证了该模型的正确性．