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圆片级可靠性测试是从可靠性物理的基础上发展起来的,利用工艺过程统计的控制方法来收集数据,并且通过快速的参数测量来检测出导致产品可靠性退化的原因。这种测试采用的是较高的、但在容许范围之内的测量应力(如温度、电压、电流),将其加到圆片上的测试结构中,然后测量由这种应力所产生的品质退化。圆片级可靠性测试系统主要分4个阶段:圆片级可靠性设计与发展(WLRD:WLRDesign&Develop鄄ment);圆片级可靠性评估及验证(WLRA:WLRAssessment);圆片级可靠性基准建立(WLRB:WLRBase鄄line);圆片级可靠性控制(WLRC:WLRControl)。WLR系统已经成功地运用于从0.35μm到0.13μm的逻辑电路及存储器的生产中。 相似文献
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随着微电子产业的发展,圆片直径越来越大、厚度越来越薄。一些本来不被关注的问题逐渐凸现出来。当150mm、200mm甚至300mm的圆片被减薄到200μm或者200μm以下时,圆片本身的刚性将慢慢变得不足以使其保持原来平整的状态。文章从圆片减薄后产生翘曲的直观表象入手,分析了产生翘曲问题的根本原因,采用湿法刻蚀的方式去除了圆片因减薄形成的背面损伤层,改善了圆片减薄后的翘曲问题。 相似文献
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3D封装中的圆片减薄技术 总被引:1,自引:0,他引:1
随着微电子工业迅猛发展,圆片直径越来越大,当150mm、200mm甚至300mm英寸圆片被减薄到150μm以下时,圆片翘曲和边缘损伤问题变得尤为突出。超薄减薄技术是集成电路薄型化发展的关键技术,它直接影响电路的质量和可靠性。文章从超薄圆片减薄中常见的圆片翘曲和边缘损伤造成的损失出发,分析了圆片翘曲和边缘损伤的原因,提出了相应的改善措施。 相似文献
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《电子工业专用设备》2006,35(9):28-28
NEC Electronics America Inc.近期发布了含有嵌入式闪存芯片的29款微控制器,目标应用于汽车和安全控制等。新产品包括采用0.15μm制程技术的8-bit和32-bit MCU。重点支持于汽车行业,NEC Electronics America表示,公司正在扩大设于加州Roseville的半导体制造工厂的产能,在原有150mm圆片0.35和0.25μm工艺制程的基础上增加了采用200mm圆片的0.15μm工艺制程。 相似文献
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对于3D互连、圆片级封装(WLP)和先进的MEMS器件的圆片键合,精密对准是一项关键技术,不同的MEMS,常常包含双面加工处理,而IC和CMOS制造业则只利用单面加工处理步骤,因此,圆片到圆片的对准必须使用设置在键合界面(也就是面对面)中的对准标记。论述了面对面对准方法的主要步骤,最新结果报导,用一种特殊开发的对准系统获得了≤1μm的对准精度。设备主要是为圆片对圆片的对准和键合而设计。 相似文献
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ShellCase公司的圆片级封装技术工艺,采用商用半导体圆片加工设备,把芯片进行封装并包封到分离的腔体中后仍为圆片形式。圆片级芯片尺寸封装(WL-CSP)工艺是在固态芯片尺寸玻璃外壳中装入芯片。玻璃包封防止了硅片的外露,并确保了良好的机械性能及环境保护功能。凸点下面专用的聚合物顺从层提供了板级可靠性。把凸点置于单个接触焊盘上,并进行回流焊,圆片分离形成封装器件成品。WL-CSP封装完全符合JEDEC和SMT标准。这样的芯片规模封装(CSP),其测量厚度为300μm-700μm,这是各种尺寸敏感型电子产品使用的关键因素。 相似文献
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制作圆片级封装凸焊点的垂直喷镀机研制 总被引:1,自引:0,他引:1
介绍了为满足微电子新颖封装——圆片级封装(WLP)在硅圆片上制作凸焊点的需要,根据有限元分析模拟优化,设计研制了FEP-1垂直喷镀机。该机可用于φ100-φ150mm(φ4-φ6英寸)圆片上电镀Au、PbSn、In等凸焊点。在150mm液晶显示驱动电路硅圆片上,用该电镀机电镀制作出了合格的高度为17μm、间距为20μm的金凸点。 相似文献
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文章基于0.5μm CMOS工艺,研究了造成Polycide工艺中WSI剥落、色斑等异常现象的原因。同时,研究了WSI淀积前清洗、退火温度及Cap Layer层对WSI薄膜翘曲度及应力的影响,并通过实验优化,以大量的数据为依据,对影响WSI薄膜特性的工艺参数进行调试和论证,主要考察更改各条件对圆片翘曲度及应力的变化,并通过显微镜镜检圆片表面,获得了0.5μm Polycide工艺较优的工艺条件。实验结果表明,在WSI淀积后增加Cap Layer层工艺对Polycide工艺工期WSI剥落、色斑等异常有较好的改善作用,且圆片表面形貌能达到MOS器件的工艺制造要求。 相似文献
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杨静韩焕鹏杨洪星王雄龙张伟才 《微纳电子技术》2018,(9):694-699
对圆片级封装用玻璃通孔(TGV)晶片的减薄加工工艺进行了研究并最终确定出工艺路线。该减薄加工工艺主要包括机械研磨及化学机械抛光(CMP)过程。通过机械研磨,玻璃通孔晶片的残余玻璃层及硅层得到有效去除,整个晶片的平整度显著提高,用平面度测量仪测试该晶片研磨后的翘曲度与总厚度变化(TTV)值分别为7.149μm与3.706μm。CMP过程使得TGV晶片的表面粗糙度大幅度降低,经白光干涉仪测试抛光后TGV晶片的表面粗糙度为4.275 nm。通过该减薄工艺加工的TGV晶片能够较好满足圆片级封装时的气密性要求。 相似文献
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低g值微惯性开关是一种感受惯性加速度、执行开关机械动作的精密惯性装置。为了解决开关芯片在清洗干燥过程中的粘连问题,提高器件的成品率,提出了防粘连的梯形凸台结构。该结构尺寸约为135μm×135μm×20μm,采用玻璃无掩膜湿法腐蚀技术在深约85μm的玻璃封盖底部实现。通过减小质量块与玻璃封盖底部的接触面积,弱化液体表面张力和范德华力的影响,避免了粘连现象的发生,使得低g值微惯性开关芯片在清洗干燥环节的合格率约达95%。采用MEMS体硅加工工艺和圆片级封装技术,完成了带有防粘连凸台结构的低g值微惯性开关的制作。玻璃无掩膜湿法腐蚀技术具有工艺简单、便于操作等优点,它的成功应用较好地满足了器件产业化的要求,为批量研制低g值微惯性开关提供了可靠的工艺基础。 相似文献
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综述全球CMP设备市场概况及适应0.18μm工艺平坦化要求的CMP技术现状,给出了向φ300mm圆片转移过程中CMP技术占用成本及CMP设备性能指标. 相似文献
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CMP设备市场及技术现状 总被引:6,自引:2,他引:4
童志义 《电子工业专用设备》2000,29(4):11-18
综述了全球CMP设备市场概况及适应 0 1 8μm工艺平坦化要求的CMP技术现状 ,给出了向30 0mm圆片转移过程中CMP技术占用成本及CMP设备性能指标。 相似文献
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综述全球CMP设备市场概况及适应0.18μm工艺平坦化要求的CMP技术现状,给出了向Φ300mm圆片转移过程中CMP技术占用成本及CMP设备性能指标。 相似文献
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采用S偏振光和大入射角激光束干涉测量技术,检测LSI圆片表面的芯片调平和调焦精度的方法已获得成功,在圆片上各层均能保持良好的调平调焦精度。这种检测方法的试验型,已实现了±10×10-5的弧度调平精度和±01μm的调焦精度。 相似文献