叠盖电极技术在SPRITE 探测器上的应用

文中主要介绍了叠盖电极技术在SPRITE 探测器上的实际应用,并给出了具体实验结 果。选择适当的叠盖电极尺寸可以使SPRITE 的响应率Rv 提高一倍以上,探测率D3 普遍提高30 %左右,高的可达80 %。实验结果表明,叠盖电极技术明显地提高了SPRITE 器件的性能,是一种简便的提高SPRITE 性能的新途径。     

叠盖电极高性能SPRITE探测器

由于扫出效应，载流子大量聚集在邻近电极的区域，但电极处的强复合作用使SPRITE读出区光生载流子数衰减很多，采用叠盖电极技术可以有效地阻载流子在地电极处的快速复合，读出区中光生非平衡载流子总数为无叠盖电极时的2.18倍，输出信号大幅度提高。该技术对现有工艺的改变极小，是一种比较现实的提高SPRITE探测器性能的有效办法。叠盖电极用于SPRITE探测器，可明显提高性能。     

采用叠盖电极的高性能光导HgCdTe红外探测器

介绍叠盖电极探测器的物理机理和结构，与标准结构探测器比较，其响应率和黑体探测率均有大的增长，实验结果表明响应率增长约１倍，赤体探测率增主３０％。无需改变现有工艺，成功制备实用工程探测器，性能明显提高。     

采用叠盖电极的高级长波60元光导探测器

介绍一种采用叠盖电极制备高级长波60元探测器的方法，并进行了较深入的实验，证明此方法是一种行之有效的提高光导探测器的技术。并在此基础上，确定了器件的最佳工作条件，而且证明应用有叠盖电极的器件是有方向性的。     

SPRITE探测器探测率的等效换算

从理论上计算了均匀稳定辐射与小光点飞点扫描光照得到的SPRITE探测器探测率间的关系。在低空间频率范围内,后者和前者的探测率比近似等于SPRITE探测器的调制传递函数,接近于1。同时,喇叭形读出区可显著提高SPRITE探测器的探测率。采用典型参数计算,其结果表明,一条SPRITE探测器可相当于55个相同几何形状和工作条件的分离串扫线列光导探测器或17个背景限光导探测器,并具此提出了一种新的光导探测器构思。     

8×2元SPRITE探测器对热成像系统性能改善的模拟分析

研究了采用CCD实现移位延时的nv×ns元SPRITE探测器的性能模型,分析了相对于nv×1元SPRITE探测器对热成像系统性能的改善,模拟计算表明:采用串联技术可满足实际高性能热成像系统的需求.同时,此研究也扩展了热成像系统性能模型的适用范围,对于热成像系统的性能分析、方案论证以及优化设计等都有实际意义.     

英国QinetiQ公司的高性能热成像技术

英国的QinetiQ公司在发展热成像探测器和摄像机方面已经有很长的历史了。英国的通用组件SPRITE探测器(一种8元光导器件)、低成本热释电光导摄像管以及高性能STAIRS C摄像机(一种扫描型一维光伏元件列阵),都是以QinetiQ公司的技术为基础的。其中,SPRITE     

《SPRITE红外探测器及其应用译文集》简介

《SPRITE红外探测器及其应用译文集》由中国兵器工业第211研究所根据搜集的国外最新文献资料组织翻译而成,计有SPRITE探测器论文、专利、技术报告等30余篇,内容包括SPRITE器件的机理、设计、制造工艺及系统应用。 SPRITE(Signal Processing in the Element)器件是一种新型的碲镉汞光电探测器。它与传统的探测器件不同,这种器件能在器件内部同时完成探测和时间延迟与积分两项功能,因而在简化电子学电路的复杂结构、简化探测器制造工艺、减小体积、降低成本诸方面均显示出独特的优越性。采用SPRITE器件的红外成像系统已在工业、农业、军事等领域获     

金电极薄膜微应力对InSb芯片性能的影响研究

基于锑化铟(InSb)红外探测器的大批量生产,发现电极薄膜微应力会引起 器件性能劣化。通过实验设计验证了金电极薄膜微应力对InSb芯片探测率、灵敏度和可靠性的 影响。研究了电极薄膜微应力的可恢复性及其作用机理,并提出了控制和优化电极微应力的途径,为 从工艺结构上提高红外探测器的性能和可靠性奠定了理论参考和实验基础。     

ZnO:Ga透明电极LED的制备及性能分析

基于本实验室的实验条件,采用射频磁控溅射、等离子干法刻蚀等技术成功制备出具有ZnO∶Ga(GZO)透明电极的LED芯片。实验研究了相同工艺条件制备的ITO透明电极LED芯片和GZO透明电极LED芯片,对比实验结果表明GZO薄膜沉积工艺简单,其器件性能与ITO电极LED相当。相同条件下制备的GZO薄膜可见光波段透过率约90%,而ITO仅为75%。实验室制备的LED器件均具有较高的阈值电压,一方面p-GaN与ZnO的禁带宽度相差4.13 eV,接触势垒大,另一方面器件制备过程中的等离子体损伤薄膜表面和器件性能。     

HgCdTe光导及扫积型器件的瞬态响应

从理论和实验上分析了HgCdTe光导(PC)及扫积型(SPRITE)器件的瞬态衰退过程,结果表明在高偏置电场下,光导器件的衰退过程近似线性,扫积型器件的衰退过程近似矩形.由衰退过程曲线可以确定过剩载流子的双极迁移率.     

用C50实现8条SPRITE热像仪非均匀性数字校正

针对8条SPRITE热像仪的成像特点,在提出基于场景统计特性的非均匀性数字校正算法的基础上,详述了实现以TMS320C50为核心的校正功能的硬件结构和软件流程.     

光学投影系统对SPRITE探测器MTF测试的影响

ＳＰＲＩＴＥ探测器是一种三引极ｎ型的ＨｇＣｄＴｅ光电导探测器,具有焦平面上的时间延迟积分（ＴＤＩ）功能,用于串扫和串并扫热成像系统。用建立在线性滤波理论基础上的调制传递函数（ＭＴＦ）评价、测试ＳＰＲＩＴＥ探测器的空间分辨能力,已有不少研究论文报道,但都忽略了测试用光学投影系系统对探测器ＭＴＦ测试的影响。除了光学镜头的传递特性外,光学投影系统中所特有的扫描部件的运动效应也较大程度上影响着探测器ＭＴＦ     

HgCdTe体晶的组份均匀性分析

利用ＳＰＲＩＴＥ探测器的截止波长研究了布里奇曼、Ｔｅ溶剂和固态再结晶３种方法制备的ＨｇＣｄＴｅ体晶组份的均匀性。实验结果表明：３种方法生长的ＨｇＣｄＴｅ晶片的组份均匀性大致相当。用任意一种材料研制的一个８条ＳＰＲＩＴＥ探测器,其任意２条的截止波长差不大于０．８μｍ的概率大于９８％。     

SPRITE探测器时空滤波特性分析

用ＳＰＲＩＴＥ探测器的脉冲响应（格林函数）描述了基于时间频率和空间频率变化的ＳＰＲＩＴＥ探测器光学传递函数（ＯＴＦ）、调制传递函数ＭＴＦ和相位传递函数（ＰＴＦ）,并由此分析了该探测器对红外辐射图像在时间域和空间域的联合滤波特性     

保角映射方法在四孔垂直型霍尔器件性能预测中的应用

不同于传统的结构上对称的五孔结构，新型的四孔和六孔垂直型霍尔器件更具有电流上的对称性，因此可以更好地采用旋转电流技术来消除器件的初始失调。本文利用保角映射方法实现了对四孔垂直型霍尔器件性能的预测。并改进了该方法，在其中加入了对结场效应的计算，使得计算结果更加精确。最后对计算和仿真结果进行了分析对比，其中电流灵敏度的误差小于5%，电压灵敏度的误差约为13%。充分证明了保角映射方法可以应用于对垂直型霍尔器件的性能预测。