工艺条件对PZT薄膜界面层电容的影响

采用了一种新的界面层电容计算方法来提取PZT薄膜与电极之间的界面层电容,使用这种方法对不同工艺条件下制备的PZT薄膜界面层电容进行了比较.通过实验发现,不同的Pt溅射温度和PZT薄膜的退火温度都会对PZT薄膜与电极之间的界面层产生影响.高温溅射Pt会破坏Pt衬底中的TiO2结构,并导致PZT薄膜与电极之间的界面层特性变差;PZT薄膜600℃退火得到的薄膜表面均匀致密,界面层电容值最大.通过不同工艺条件下PZT薄膜界面层电容的提取比较,获得了调整PZT薄膜工艺条件的优化参数.     

PTCR元件化学镀镍电极的最优工艺条件

采用正交试验法研究了络合剂浓度、镀液 pH值、施镀温度与时间对BaTiO3 陶瓷PTCR元件化学镀镍电极的影响 ,得到制备化学镀镍电极的最优工艺条件。重复试验证明 ,在该工艺条件下获得的以Ni镀层为底层电极的PTCR元件 ,其耐电压和耐工频电流冲击性能良好。     

热处理对化学镀镍层微观结构和电性能的影响

<正> 为了提高陶瓷电容器化学镀镍电极的电性能和机械强度,降低镀镍电极电容器的高频介电损耗,我们探讨了热处理对镀镍层微观结构及电性能的影响。通过实验和分析摸索出一套简单适用的热处理工艺。采用该工艺进行热处理的电容器,其介电损耗得到明显下降。     

PZT薄膜的制备及其与MEMS工艺的兼容性

用溶胶-凝胶技术在Pt/Ti/SiO2/Si上制备了PZT薄膜,并采用剥离技术与热处理的方法解决了Pt电极的图形化,在结晶热处理前,利用PZT腐蚀液对PZT进行图形化腐蚀.分别用SEM,XRD,EDX对电极和PZT薄膜的相貌、相结构以及化学组分进行了分析.结果表明:所制备的PZT薄膜具有完全的钙钛矿型结构;这种图形化的工艺方法大大改善了电极和PZT的图形化条件,在不影响电极和PZT性能的同时,提高了电极和PZT的图形质量;底电极和PZT的图形化过程,避免了强酸长时间的腐蚀,大大提高了PZT薄膜的制备与MEMS工艺的兼容性.     

PZT薄膜的制备及其与MEMS工艺的兼容性

用溶胶-凝胶技术在Pt/Ti/SiO2/Si上制备了PZT薄膜,并采用剥离技术与热处理的方法解决了Pt电极的图形化,在结晶热处理前,利用PZT腐蚀液对PZT进行图形化腐蚀.分别用SEM,XRD,EDX对电极和PZT薄膜的相貌、相结构以及化学组分进行了分析.结果表明:所制备的PZT薄膜具有完全的钙钛矿型结构;这种图形化的工艺方法大大改善了电极和PZT的图形化条件,在不影响电极和PZT性能的同时,提高了电极和PZT的图形质量;底电极和PZT的图形化过程,避免了强酸长时间的腐蚀,大大提高了PZT薄膜的制备与MEMS工艺的兼容性.     

PZT铁电薄膜湿法刻蚀技术研究

介绍了一种刻蚀效果良好的PZT薄膜的湿法刻蚀方法。在分析了刻蚀液成分对刻蚀效果影响的基础上,选择体积比为1∶2∶4∶4的BHF/HCl/NH4Cl/H2O溶液作为刻蚀液,刻蚀速率为0.016μm/s。实验表明,刻蚀得到的PZT薄膜图形表面无残留物,侧蚀比小(1.5∶1),侧面倾角约60°。刻蚀液对光刻胶和PZT薄膜底电极Pt的选择性好,该工艺适用于MEMS领域中PZT薄膜的微图形化。     

化学镀镍对铌镁酸铅多层瓷介电容器的影响

研究了化学镀镍对铌镁酸铅多层瓷介电容器的影响及其机理。结果表明，化学镀镍以后许多样品因其绝缘电阻严重下降、介电损耗大幅度增加而失效。通过对比实验发现，这些样品的失效不是由于镀液的渗透引起的，而是与化学镀镍过程中的化学反应有关。提出了化学镀镍过程中产生的氢原子还原铌镁酸铅陶瓷的观点。经过一定温度的氧化热处理，失效样品的性能可以得到恢复。     

专利文摘

<正> 瓷介电容器化学镀镍方法 辽宁省辽阳无线电器件厂 辽宁省辽阳市南新华路6号 张海成 本发明是把化学镀技术运用于瓷介电容器的电极金属化。化学镀技术用于瓷介电容器生产的关键在于能否提高镀层与瓷体间的附着力,减小化学镀过程中造成的附加损耗。本发明通过用含氢氟酸和铬酐的酸蚀液进行预处理,通过对蚀后瓷体的彻底清洗,通过对敏化、活化后的清     

化学镀镍电极厚度对陶瓷PTCR元件性能的影响

探讨了不同镍电极厚度对ＢａＴｉＯ３陶瓷ＰＴＣＲ元件性能的影响。随着镍层厚度的变化,电极与瓷体接触界面处以及瓷体内部的应力也发生相应的变化,从而影响元件的电性能。此外,由于镍层厚度的不同,镍膜密封程度也不同。实验结果表明陶瓷ＰＴＣＲ元件化学镀镍层厚度应小于１μｍ。     

辐射电场型压电薄膜实验研究

介绍一种新型的辐射式场压电薄膜(RFD).该薄膜在柔性薄膜(Kapton)上印制螺旋电极并对称粘结在PZT压电陶瓷薄片两侧,加载电压后,螺旋电极产生辐射式电场,驱动PZT压电陶瓷片产生径向变形.通过对RFD压电薄膜性能实验的研究,结果表明驱动电压和频率是影响膜片变形的主要参数;在 400 V、5 Hz的正弦波驱动下,RFD压电薄膜可获得最大位移.该文制作的压电膜片具有变形稳定,性能稳定可靠和易控制等优点.     

近红外光谱技术在水果品质无损检测中应用的研究与现状

简单概述了我国水果产业的发展现状,着重阐述了国内外利用近红外光谱技术进行水果品质无损检测的最新研究进展,分析了当今研究中存在的问题,并对利用近红外光谱技术进行水果检测的前景进行了展望,提出了一些建议。     

星载差分吸收光谱仪转动部件测试系统设计

基于星载差分吸收光谱仪转动部件控制需求,设计了星载光谱仪转动部件的测试系统。采用微动开关复位加定步的电机运动方式实现电机的精确定位。采用脉冲调制（PWM）的方式实现驱动电流的精细调节。并搭建平台对系统进行重复性测试,实验结果表明,测试系统具有较高的可靠性和稳定性,能够满足光谱仪的精确定位要求,使电机在工作寿命内按计划完成定标工作。     

非同相口径场瞬态辐射的计算

利用电磁脉冲的口径瞬态辐射场计算公式,针对圆形口径的线性相移、平方律相移等非同相口径场情况,计算了辐射高斯脉冲时的能量方向图、半能量波瓣宽度、面积利用系数等参数.计算表明,对于圆形口径非同相口径场,最大辐射场的方向为口径面法线方向,同时能量方向图关于口径面法线方向对称;随着口径的增大,波瓣变窄,无副瓣;随着平方律相移的滞后参数的增加,波瓣变宽,主瓣不分裂.     

电子技术基础实验课程混合式教学设计

近年来,在线学习掀起了一场席卷全球的教育革命,MOOC/SPOC、翻转课堂、混合式教学对高等教育带来了前所未有的冲击。电子技术基础实验课程地位特殊,传统教学方式已无法满足创新性人才培养的需要,文章从其教学特点出发,提出了“线上教学+自主实验+翻转课堂”的混合式教学模式,同时还阐述了与此密切相关的集约化线上教学资源平台、智能化翻转教学环境以及多元化过程性考核评价机制三个重要环节。经研究发现,学生的课堂主动参与度、自主学习能力、创新思维能力、动手实践能力以及教师的教学创造力得到全面提升。教学环境支持课堂互动和全周期教学行为数据采集,体现了教学过程的信息化、教学实施的精准化和教学评价的客观化,实现了信息技术与实验教学的深度融合。     

两种自适应杂波抑制技术的比较：AMTI及ADPCA技术性能的分析和比较

本文在讨论机载雷达地面杂波回波的基础上，分析了ＡＭＴＩ和ＡＤＰＣＡ系统的性能。对这两个系统从原理上，并利用计算机模拟结果及实验结果进行了比较。本文将有助于工程实现。     

杂质吸收对光子晶体滤波器设计的影响

为了研究杂质的吸收对光子晶体滤波器设计的影响,引入复折射率并利用特征矩阵法,计算了滤波透射峰的峰值和半峰全宽。滤波透射峰的峰值随杂质的消光系数增加而迅速减小,滤波通道透射峰的半峰全宽随消光系数增加而增大,滤波透射峰的峰值和半峰全宽都随吸收杂质的光学厚度的增加而减小。结果表明,设计光子晶体滤波器时,必须考虑杂质吸收这一重要因素,应选择消光系数小于0.002的掺杂材料,并且杂质的光学厚度应设计在2(λ0/4)左右。     

Sn-Zn-Ag系无铅钎料焊接性能研究

讨论了电子软钎料的钎焊性能及其影响因素，并采用铺张面积法对Sn-Zn-Ag系钎料钎焊性能进行评估。钎料的钎焊性能很大程度上取决于钎料对基板的润湿性能，而润湿性能与液态钎料在基板上的液、固、气三相界面的界面张力有关。对润湿角(θ)与铺展面积(S)之间的关系进行了探讨。     

水的光学特性对水下光学成像质量影响的分析

水的光学特性对光学成像质量有着重要的影响,水对光的吸收、散射作用可造成光在水介质传播中的衰减,本文就水的光学特性及其对水下光学成像质量的影响进行了分析,以为成像系统在水下的应用提供基础的理论依据。     

浅析信息化时代下上市公司规模经济的发展

上市公司为了增强市场竞争力,不断扩大生产规模,追求规模经济,但是由于我国较低生产力水平、政府干预、体制等原因,上市公司的规模经济效果并不明显。同时,20世纪90年代以来,科学技术的日益发展,改变了企业发展的外部环境和条件,使得规模经济的实现方式发生了新的变化。在信息化时代下,规模经济理论需要进一步创新和拓展,企业按照新形势来选择合适的经济规模。     

一种卷积码的VITERBI译码的实现

本文采用ＱＵＡＬＣＯＭ公司的Ｑ１６５０多码率ＶＩＴＥＲＢＩ译码器,设计了前向纠错编／译码器,对提高误码的纠错能力有一定参考价值。