薄膜型超磁致伸缩微执行器的研究现状

超磁致伸缩薄膜是一种性能优良的新型微驱动元件,文章介绍了超磁致伸缩薄膜驱动的原理,综述了薄膜型超磁致伸缩微执行器的开发和最新研究成果,重点介绍了薄膜型超磁致伸缩微执行器在微流体控制系统、线性超声微马达及微小型行走机械中的应用,并对超磁致伸缩薄膜的微执行器中的应用进行了展望。     

一种磁微执行器Pull-in模型

与静电微执行器类似,磁微执行器中也存在重要的Pull-in失稳问题.对于宏观器件,由于磁芯磁阻可以忽略,所以可以利用电磁类比,得到Pull-in失稳参数.但对于微观器件,磁芯磁阻不可以忽略,也不可以利用电磁类比.文中首先采用力法对磁微执行器Pull-in的失稳现象进行了分析和建模,考虑了微磁芯磁阻,在建立磁微执行器动态小信号模型的基础上,导出了两个Pull-in失稳方程.通过求解这两个方程,可以得到Pull-in失稳电流和位置两个重要参数.然后又采用能量法研究了同样的Pull-in失稳现象,得出了和力法相同的结论.最后,给出了一个分析实例,以反映微磁芯磁阻对Pull-in的影响.文中的结论对于磁微执行器的设计具有重要意义.     

一种磁微执行器Pull-in模型

与静电微执行器类似,磁微执行器中也存在重要的Pull-in失稳问题.对于宏观器件,由于磁芯磁阻可以忽略,所以可以利用电磁类比,得到Pull-in失稳参数.但对于微观器件,磁芯磁阻不可以忽略,也不可以利用电磁类比.文中首先采用力法对磁微执行器Pull-in的失稳现象进行了分析和建模,考虑了微磁芯磁阻,在建立磁微执行器动态小信号模型的基础上,导出了两个Pull-in失稳方程.通过求解这两个方程,可以得到Pull-in失稳电流和位置两个重要参数.然后又采用能量法研究了同样的Pull-in失稳现象,得出了和力法相同的结论.最后,给出了一个分析实例,以反映微磁芯磁阻对Pull-in的影响.文中的结论对于磁微执行器的设计具有重要意义.     

基于热膨胀效应的微执行器进展

本文首先分析了热驱动微执行器的基本及其相对于静电驱动,磁驱动的优势。接着分析了五种常见的热驱动结构的原理,特点,它们的某些典型应用也随后作了介绍,最后对热驱动微执行器计算机辅助设计的前景进行了展望。     

考虑微磁芯磁阻的分布参数微梁执行器小信号宏模型

以多级弯曲磁微梁执行器为研究对象,先采用梁的模态函数线性组合来逼近梁的变形曲线,然后利用磁路定律,考虑了在宏观磁执行器中忽略的磁芯磁阻,建立了考虑力-磁耦合的非线性方程组,克服了以往的磁微执行器模型不能考虑力-磁耦合,而且忽略磁芯磁阻的缺点.计算结果与实验数据及有限元计算结果对比表明,文中的模型有足够的精度,可以作为宏模型使用.     

肺心病患者急性发作期血液流变学和D-二聚体测定的临床意义

光致弯曲薄膜是一种可遥控供能的新型微执行器驱动元件.介绍了光致弯曲薄膜的驱动原理,综述了光致弯曲薄膜微执行器的开发和研究现状,重点介绍了光致弯曲薄膜微执行器在微液体控制系统和微马达中的应用,并对光致弯曲薄膜在微执行器中的应用进行了展望.     

光致弯曲薄膜微执行器的研究

光致弯曲薄膜是一种可遥控供能的新型微执行器驱动元件.介绍了光致弯曲薄膜的驱动原理,综述了光致弯曲薄膜微执行器的开发和研究现状,重点介绍了光致弯曲薄膜微执行器在微液体控制系统和微马达中的应用,并对光致弯曲薄膜在微执行器中的应用进行了展望.     

驱动电极位置对扭转式静电微执行器Pull-in行程的影响

Pull-in失稳问题是静电微执行器的关键问题之一。为了提高静电微执行器的Pull-in稳定行程,提出了一些方法,例如采用串联电容等。对于扭转式静电微执行器,提出通过改变驱动电极位置的方法来改变Pull-in位置与Pull-in电压,导出了驱动电极位置与Pull-in参数的计算模型。实例计算结果表明,改变电极位置可以使扭转式静电微执行器达到满行程。这些结果对于扭转式静电微执行器Pull-in位置的设计具有较好的参考价值。     

考虑微磁芯磁阻的分布参数微梁执行器小信号宏模型

以多级弯曲磁微梁执行器为研究对象，先采用梁的模态函数线性组合来逼近梁的变形曲线，然后利用磁路定律，考虑了在宏观磁执行器中忽略的磁芯磁阻，建立了考虑力-磁耦合的非线性方程组，克服了以往的磁微执行器模型不能考虑力磁耦合，而且忽略磁芯磁阻的缺点．计算结果与实验数据及有限元计算结果对比表明，文中的模型有足够的精度，可以作为宏模型使用．     

考虑漏磁效应的平行平板式磁微执行器Pull-in模型

Pull-in参数是设计磁微执行器时需要考虑的一项重要参数。研究漏磁效应对Pull-in参数的影响时,通常采用有限元法求数值解,需要反复重新建模,工作量大,因而需要一个解析模型。对于平行平板式磁微执行器,给出了详细的漏磁阻模型。将漏磁阻的解析式带入到Pull-in方程组中便可得到一对考虑了漏磁影响的Pull-in参数。利用有限元法对器件的Pull-in特性进行了仿真。将考虑漏磁影响的理论值和不考虑漏磁影响的理论值分别与有限元分析结果做对比,结果表明,不考虑漏磁影响时,Pull-in参数的误差随着极板间距的增大而增大。利用漏磁阻模型求出的Pull-in参数具则有良好的精度,并且相对误差不随极板间距的增大而增大。