让存储器更和谐

随着对存储器带宽和需求日益增大,存储器技术变得愈发的得要。MRAM是一种非易失性的存储器,它无需不间断的电源供给来保持数氢的完整。这一技术使得它的电池寿命相对于其他存储器技术来得更长久。     

MRAM的发展目标是终极高速存储器

2005年底索尼发布了一款高速存储器,它具备SRAM的运行速率、闪存的非易失性以及无限制的写入次数等特性。该存储器采用了非易失性的8Kbit存储单元阵列,写入时间为2ns。如果再进一步提高集成度,可替代45nm以下工艺的SRAM、DRAM等非易失性存储器。索尼的这款存储器属于MRAM的一种。几年前,当MRAM刚上市时,业内就对它充满期待。但是随着研究的深入,很多难题不断出现。MRAM渐渐被视为特定市场的特定部件。索尼发布的这款存储器使MRAM回归到主流存储器的轨道上,甚至很可能发展成为终极存储器。除索尼外,美国Grandis、瑞萨科技、日本…     

磁电阻随机存储器MRAM的原理与应用

MRAM是指以磁电阻性质来存储数据的随机存储器。MRAM是大多数手机、移动设备、膝上机、PC等数字产品的存储器的潜在替代产品。从MRAM芯片技术的特性上来看,可以预计它将能解决包括计算机或手机启动慢、数据丢失、数据装载缓慢、电池寿命短等问题,能明显改变消费者使用电子设备的方式。     

英飞凌和IBM展示16 Mb MRAM

6月22日,英飞凌(Infineon)科技和IBM展示全球第一款16Mbit磁阻式随机访问存储器(MRAM)。新展示的非易失性存储器芯片是目前为止密度最高的MRAM器件。这表明MRAM具有成为适用于高性能计算和移动应用的通用存储器的潜力。向MRAM写入第一位信息所需要的时间比闪存约快100万倍。从MRAM中读出第一位信息所要的时间比NOR闪存快3倍,比NAND闪存快约1000倍。此外,MRAM的功耗比DRAM技术小得多。此次展示的16MbMRAM产品样品采用0.18mm工艺制造。器件采用单晶体管单磁隧道结(1T1MTJ)单元,并采用类似SRAM的接口。这一接口在移动和…     

飞思卡尔扩展MRAM产品系列引领非易失性存储器的未来

经常有人将磁阻RAM(MRAM,magneto-resistive random access memory)称作是非易失性存储器nvRAM(non-volatile RAM)在未来的关键性技术.作为一项非易失性存储器技术,MRAM是可以在掉电时保留数据,并且不需要定期刷新.     

飞恩卡尔扩展MRAM产品系列引领非易失性存储器未来

经常有人将磁阻RAM(MRAM,magnetoresistive random access memory)称作是非易失性存储器(nvRAM,Non-Volatile RAM)在未来的关键性技术.作为一项非易失性存储器技术,MRAM是可以在掉电时保留数据,并且不需要定期刷新.     

飞思卡尔扩展MRAM产品系列 引领非易失性存储器未来

经常有人将磁阻RAM（MRAM,magnetor-esistive random access memory）称作是非易失性存储器（nvRAM,Non-Volatile RAM）在未来的关键性技术。作为一项非易失性存储器技术,MRAM是可以在掉电时保留数据,并且不需要定期刷新。MRAM利用磁性材料和传统的硅电路在单个器件中提供了s删的高速度和闪存的非易失性，它的寿命几乎是没有限制的。MRAM器件可以用于高速缓冲器、配置内存和其他要求高速、耐用和非易失性的商业应用。     

飞思卡尔扩展MRAM产品系列引领非易失性存储器的未来

经常有人将磁阻RAM(MRAM,magnetoresistive random access memory)称作是非易失性存储器(nvRAM,Non-Volatile RAM)在未来的关键性技术.作为一项非易失性存储器技术,MRAM是可以在掉电时保留数据,并且不需要定期刷新.MRAM利用磁性材料和传统的硅电路在单个器件中提供了SRAM的高速度和闪存的非易失性.它的寿命几乎是没有限制的.MRAM器件可以用于高速缓冲器、配置内存和其它要求高速、耐用和非易失性的商业应用.     

最新MRAM存储能力提升到16Mb

磁性随机存储器(MRAM)和集成磁(Integrated Magnetic)产品供应商Everspin科技公司,近日推出了高容量16Mb MRAM产品.     

最新MM存储能力提升到16Mb

磁性随机存储器(MRAM)和集成磁(Integrated Magnetic)产品供应商Everspin科技公司,近日推出了高容量16Mb MRAM产品.