掺杂焦磷酸对KDP晶体光散射的影响

掺杂焦磷酸的情况下降温生长了ＫＤＰ晶体,采用激光层析法对晶体的光散 观察,掺杂后晶体的光散射现象明显加剧;晶体的锥面、柱面和椎柱交界面处的散射点密度并不相同,其原因在于焦酸对ＫＤＰ晶体的锥面和锥面的影响不同。     

大型KDP晶体快速生长时间创记录

一块270ｋｇ的ＫＤＰ晶体在美国新泽西州Ｉｎｒａｄ公司只需生长54天。公司采用里弗莫尔国家实验室开发的快速生长技术首次全尺寸生长晶体,用于“国家点火装置”。该装置将采用大型ＫＤＰ、ＫＤＰ晶体用于两个泡克尔斯盒,将1μｍ基波三倍频到紫外光(351ｎｍ)。该系统共需576片1ｃｍ厚、41ｃｍ×41ｃｍ的晶体,用于192束光。以往的生长过程约每天生长1ｃｍ,则“国家点火装置”所需的大型晶体每块需生长1～2年。这种在莫斯科大学开创,用于里弗莫尔的生长技术,生长187ｋｇ的金字塔形ＫＤＰ晶体只用了7个星期。大型KDP晶体快速生长时间创记录@…     

降低超高频电光调制功率的一种新方法

本文提出根据超高频谐振腔的电场分布特性和利用ＤＫＤＰ（或ＫＤＰ）晶体纵向调制的性质￣［１］，巧妙地把Ｚ切割ＤＫＤＰ（或ＫＤＰ）晶体放置在谐振腔内高阻区，从而实现低功率下对激光或普通单色光进行超高频（５００ＭＨｚ～６６０ＭＨｚ）调制与解调，激励功率可降低１／２或更低。对超高精度激光测距，大功率激光主动锁模和光通讯等均有广泛的应用前景。     

KDP晶体高效二倍频理论计算

根据三波耦合方程研究了基波功率密度晶体长度，相位匹配类型，相位失配角，离散角等因素对ＫＤＰ晶体倍频转换效率的影响。给出了不同长度ＫＤＰ晶体Ⅱ类相位匹配的理论计算曲线，由此选择最佳条件进行实验，获得了８０％的倍频转换效率。     

KDP反常声光衍射几何关系的研究

讨论了ＫＤＰ晶体在三个主轴坐标平面内的反常声光衍射几何关系，计算了中心频率在２００ＭＨｚ以下ＫＤＰ声光器件的各设计参数以及性能参数。     

202KDP晶体高效二倍频的理论研究

２０２ＫＤＰ晶体高效二倍频的理论研究任兆玉，张纪岳（西北大学物理系，７１００６９）庄斗南，于桂秋，雷仕湛（上海光机所，２０１８００）本文根据三波耦合方程研究了功率密度、晶体长度、相位失配量、相位匹配类型、离散角等因素对ＫＤＰ晶体倍频效率的影响。计算了...     

溶胶凝胶法制备大尺寸KDP晶体的保护增透膜

磷酸二氢钾（ＫＤＰ）晶体是为惯性约束聚变提供短波长的必不可少的谐波转换光学元件．大气中潮气会使水溶性生长的ＫＤＰ晶体光学表面受潮发雾、降低光束的透过率、破坏光束的质量．用玻璃树脂制备ＫＤＰ晶体防潮保护膜可使之具有良好的光学性质和高的激光破坏阈值,这是目前各大实验室关心的技术． 我们制备了适用的有机硅树脂溶液,用小尺寸Ｋ９玻璃平板和ＫＤＰ晶体的光学元件探索了溶液的成膜性能,薄膜的光学性质和防潮能力．薄膜的折射率在可见光波段 ｎ＝ １．４１,在 ２００－１１００ ｎｍ波段都有良好的透过率．发现该膜层经不…     

405KDP晶体高效二倍频的实验研究

４０５ＫＤＰ晶体高效二倍频的实验研究任兆玉，张纪岳（西北大学物理系，７１００６９）庄斗南，于桂秋，雷仕湛（上海光机所，２０１８００）本文报导了用ＫＤＰ晶体Ⅱ类相位匹配二倍频的实验研究。根据理论计算，选择最佳倍频参数对接棒钛玻璃、染料调Ｑ、锁模激光进行...     

KTP（KTiPO4）晶体电光开关研究

介绍了ＫＴＰ晶体电光开关的设计;利用体式ＬｉＮｂＯ３晶体、ＫＤ＾＊Ｐ晶体和ＫＴＰ晶体做了光开关（斩波）实验。在开关脉冲宽度１２０ｎｓ￣１２００ｎｓ,升降沿５ｎｓ的情况下,实验证实ＬｉＮｂＯ３晶体开关过程伴有严重的压电耦合振铃结构,不能做为体式光开关工作;而ＫＴＰ开关的综合性能是最好。     

KDP晶体高效二倍频实验

本文报导了关于ＫＤＰ晶体Ⅱ类相位匹配的实验研究。用Ⅱ类匹配的ＫＤＰ晶体对功率密度４ＧＷ／ｃｍ２的钕玻璃激光，以偏振方向与晶体Ｏ轴夹角４５°，３５．３°的情况进行实验，分别获得７９．５４％，６４．０６％的倍频转换效率。并对倍频绿光用Ｔｅｘｔｒｏｎｉｃｓｓｃｄ１０００，ＴｒａｎｓｉｅｎｔＤｉｇｉｔｉｚｅｒ示波器进行波型测量，用２０４８一维ＣＣＤ进行光谱分析，光谱线宽为０．００２３ｎｍ。实验还发现了倍频晶体ＬｉＮｂＯ３在达到破坏时出现的烟状斑痕     

不同激光波长对KDP晶体损伤的研究

测量了KDP晶体在1.064微米、0.532微米和0.355微米波长上激光偏振方向与KDP晶体的光轴方向相平行和相垂直时激光损伤阈值。发现随着激光频率升高激光损伤阈值明显下降,这一实验结果表明KDP晶体中激光损伤主要是多光子电离击穿起主要作用。     

包裹体对KDP晶体光损伤阈值的影响

探讨了包裹体与KDP晶体光损伤阈值的关系。利用透射电子显微技术观察了不同条件下生长的KDP晶体中包裹物,并对晶体中的包裹体在热退火前后进行了比较。发现导致KDP晶体光损伤阈值降低的主要因素是较大尺寸的包裹体。     

EDTA对KDP晶体光散射性质影响的研究

不同EDTA（乙二胺四乙酸）掺杂浓度条件下生长了KDP（磷酸二氢钾）晶体,超显微法观察了EDTA对KDP晶体光散射性质的影响。结果表明,随着溶液中EDTA含量的增加,相应晶体内部的光散射现象加重。其原因在于当溶液中EDTA含量较高时,阻碍了KDP晶体的生长,导致了液相包裹物的产生,造成光散射;同时发现,同一晶体不同部分的光散射也不同。对EDTA的影响机理进行了初步的探讨。     

用于KDP晶体保护的AF2400-SiO2疏水光学薄膜

在惯性约束聚变(ICF)装置中大量使用具有变频特性的水溶性磷酸二氢钾(KDP)类晶体材料。在KDP晶体上镀制薄膜材料成为保护KDP晶体的有效措施。以正硅酸乙酯(TEOS)为原料,采用溶胶-凝胶法和提拉方式制备膜厚λ/4的增透膜,再采用具有高憎水特性、高透射率、低折射率的氟聚合物AF2400在FC-75的可溶解特性,在SiO2增透膜上旋涂AF2400防潮膜。对薄膜的表面形貌、疏水性能、光学性能和抗激光损伤阈值等进行了测试。结果显示,AF2400-SiO2复合光学薄膜表面平整,折射率为1.21,疏水角可以达到110°~120°,抗激光损伤阈值为19.5 J/cm2,是性能优良的疏水光学薄膜,可用于三倍频晶体KDP的保护。     

Nd: YAG laser-irradiation-induced damage to LiNbO3and KDP

It is shown that internal damage in LiNbO3and KDP occurs at the same or lower levels of irradiation than surface damage. This is found in crystals used as frequency doublers and Pockels cells as well as in samples having different orientations. It is recommended, therefore, that samples that have suffered surface damage be thoroughly inspected internally before being repolished and reused. Internal filamentary damage in LiNbO3is shown to be composed of a series of very fine nearly planar cracks, which intersect to form one or more long lines having diameterapprox 0.4 mu. When illuminated with visible light, diffraction effects make these lines appear blurred and give the impression of a tube of damaged material. Scanning electron micrographs of surface damage are included in this paper in order to show the very different characteristics of entrance and exit face damage and to reveal the importance of thermal effects as at least one cause of laser-induced damage.     

CLBO晶体的宽带三倍频模拟分析

为了研究高效的宽带三次谐波转换技术，采用了分步傅里叶变换和四阶Runge-Kutta法对CLBO晶体的宽带三倍频过程进行了数值模拟，分析了单倍单混和单倍双混模式下三倍频转换效率随入射基频光强度、频谱带宽的变化关系，并与KDP晶体的宽带三倍频转换特性进行了对比。在强度为3GW/cm2的40阶超高斯脉冲入射下，得到单倍双混模式下三倍频转换效率达到60%时对应的频谱宽度为650GHz，这与利用KDP晶体在相同条件下获得的频谱宽度相比，提高了近250GHz。研究结果表明，在单倍双混模式下使用CLBO晶体作为频率转换的非线性晶体可以有效地提高宽带三倍频的转换效率。     

一种快速简便测定单轴晶体x(y)轴及半波电压的方法

KDP,DKDP等单轴晶体在激光技术中通常被作为激光器的Q开关使用,在实际应用中,晶体的x(y)轴及其半波电压的标定为激光器的调试带来很大方便,我们介绍一种快速简便测定单轴晶体x(y)轴及其半波电压的方法。     

Elastic constants and thermal fracture of AgGaSe2 andd-LAP

The elastic constants and thermoelastic coefficients of silver gallium selenide and deuterated l-arginine phosphate (d-LAP) are reported. Their fracture strength as measured by indentation tests is also reported. These data are used to calculate their thermal fracture resistance, a parameter which is important in high-average-power laser systems. Their thermal fracture resistance is then compared to that of other nonlinear crystals. To the extent that the damage threshold increases with fracture temperature, the data on AgGaSe₂ and d-LAP are favorable indicators of a higher damage threshold. In particular, the data suggest that d-LAP should compare favorably with other solution-grown materials such as lithium iodate and KDP. Preliminary data on the damage threshold of d-LAP appear to confirm that it is indeed more damage resistant than comparably prepared samples of these other solution-grown materials     

KDP晶体激光预处理参数的优化

KDP 晶体是目前高功率激光装置中倍频材料的首选,元件上架前通常采用激光预处理来提高抗激光损伤性能,由于预处理流程耗时较多,提升预处理效率对于工程应用具有重要意义。研究了激光预处理参数对 KDP 晶体材料损伤性能的影响,通过分析激光辐照通量、辐照发次、能量台阶等预处理参数与元件损伤性能的变化关系,发现在一定通量范围内用不同的能量台阶可以获得同样的预处理效果,由此确定采用变能量台阶的方法对预处理参数进行优化。实验证明,采用此方法可以在保证预处理效果的前提下,将总的激光辐照发次缩减三分之一,结果对于大口径 KDP 晶体元件的激光预处理工艺具有重要参考价值。     

CsLiB6O10晶体的宽带三倍频模拟分析

为了研究高效的宽带三次谐波转换技术,采用了分步傅里叶变换和四阶龙格-库塔法对CsLiB6O10(CLBO)晶体的宽带三倍频过程进行了数值模拟,分析了单倍单混和单倍双混模式下三倍频转换效率随入射基频光强度、频谱带宽的变化关系,并与KDP晶体的宽带三倍频转换特性进行了对比.在强度为3GW/cm2的0阶超高斯脉冲入射下,得到单倍双混模式下三倍频转换效率达到60%时对应的频谱宽度为650GHz,这与利用KDP晶体在相同条件下获得的频谱宽度相比,提高了近250GHz.研究结果表明,在单倍双混模式下使用CLBO晶体作为频率转换的非线性晶体可以有效地提高宽带三倍频的转换效率.