国产高纯铝箔的隧道腐蚀——Ⅰ.电化学转化膜的应用原理

本文针对目前国内中高压铝电解电容器用国产阳极箔的生产情况,较系统地介绍了对铝箔适应性较强的应用电化学转化膜促进结晶化高纯铝箔隧道腐蚀的基本原理,并对应用此方法的主要技术给予了讨论。     

光铝箔热处理对腐蚀箔比容的影响

中高压铝电解电容器用阳极箔的制取是一项综合技术,成品箔技术特性的好坏有赖于光铝箔的制箔技术、热处理(退火)技术和腐蚀技术等是否合理的应用。通过对国产箔两年的研制,我们认为以上诸种技术是互为补充、互相制约的,某一环节技术的失调将造成整个制箔技术水平跌落。本文仅就光铝箔退火技术进行探讨。     

中高压铝电解电容器阳极箔研究进展

从铝箔杂质和腐蚀液添加剂两个方面概述了国内外在提高中高压铝电解电容器比电容方面的研究进展,其中包括镁、铁、硅、铅等杂质及缓蚀剂和表面活性剂的研究。并介绍了铝电解电容器的几种腐蚀机理,如氯离子的作用机理、腐蚀过程中电流与电位的关系、空位模型。最后预测了铝电解电容器新工艺的可能开发方向。     

产国阴极铝箔腐蚀工艺的探讨

铝电解电容器用阴极铝箔的腐蚀工艺往往受铝箔本身的组织成分以及生产设备制约,影响阴极铝箔腐蚀比容的因素是多方面的。着重研究了国产阴极铝箔的腐蚀特性,找到了一套能使国产阴极铝箔与引进设备相适应的新工艺,使国产阴极铝箔的腐蚀此容由原来的260μF/cm~2提高到370μF/cm~2,实现了阴极铝箔的国产化。     

影响CD60型电容器性能的因素探讨

本文对单相电动机起动用铝电解电容器在交流电压下的情形及所用铝箔进行了分析和讨论,并通过对交流箔与直流箔做成的起动电容器的性能对比实验分析,提出了铝箔的形成工艺是决定CD60型交流起动铝电解电容器产品质量的关键因素。     

新型材料盖板在铝电解电容器中的应用

通过 HPT高温增强塑料板材盖板与低氯酚醛纸板材盖板的性能比较及制成铝电解电容器的产品试验 ,表明国产 HPT高温增强塑料板材盖板完全可以替代进口板材盖板 ,制造优质、宽温、高压铝电解电容器     

全球片式电容器面面观（之三）

一、片式铝电解电容器 在各种片式电子元器件中,铝电解电容器的片式化可算是难度最大的一类,这是因为铝电解电容器是以阳极铝箔、阴极铝箔和衬垫材料多圈     

电解电容器用铝箔现状及其发展趋势

对铝电解电容器用铝箔的现状及其发展趋势进行了概述，介绍了引进腐蚀生产线的情况、电容器铝箔的研制及质量状况。     

聚合物铝固体电解电容器

数字设备如个人计算机和游戏机,其功能变得愈来愈强大。而且,PC的微处理器和存储器的处理速度也越来越高。在这种情况下,鉴于低电压和高容量电源的电压陡峭变动,必须对电源进行补偿。预计,将来这样的情况会时有发生,所以必须改进电容器的性能。将来电容器的发展趋势之一是在缩小尺寸的同时,降低等效串联电阻(ESR)和增大容量。Chemi-Con公司,在实用聚合物铝电解电容器的NP CAP系列产品的基础上,已开发出可垂直表面安装的PXC系列电容器产品。铝电解电容器铝电解电容器由卷挠状阳极铝箔、隔板和阴极铝箔构成;整个器件浸泡在电解液中,并且…     

电容器

0014229铝电解电容器用阳极化成箔的选用[刊]/徒振秋//电子元件与材料.—2000,19(3).—27～28(C)阳极化成铝箔的质量直接影响铝电解电容器的性能。介绍化成箔的主要性能参数,如升压时间、氧化膜稳定耐压值、比容及散差、抗拉强度和折弯强度、表面氯离子残留量等的正确选用。正确选用阳极化成箔对提高电容器产品的质量、降低成本十分重要。参2     

国产及进口高压电容器铝箔的电子显微研究

针对高压箔尚未根本国产化的问题，对日本、法国和国产铸轧电容铝箔进行了成分和显微分析。实验表明大量的（１００）晶面，适量的位错蚀坑、低杂质含量尤其是Ｆｅ元素量是提高高压铝箔比容的关键因素。结合生产实际分析了解决的途径。     

高纯铝光箔化学成分对直流电侵蚀的影响

以Fe、Si、Cu含量不同的四种铝光箔进行直流电侵蚀对比实验,研究了高纯铝光箔中化学成分对其作为电容器用铝箔侵蚀过程产生的影响。通过对侵蚀样品的SEM表面观察、腐蚀形貌定量分析,对光箔中化学成分与样品效果进行了分析讨论。结果表明,Cu能增强表面蚀孔的产生,Cu含量相对较低的(25×10–6)光箔侵蚀后适用于制作中压铝电解电容器;Cu含量相对较高的[(50～60)×10–6]光箔侵蚀后适用于制作高压铝电解电容器。     

铝电解电容器开路和假性短路现象分析与改进

导针型铝电解电容器的开路现象主要是因为裂箔、钉接不良、钉接花瓣小、正箔表面箔灰厚及原箔腐蚀太深而造成。假性短路的现象主要是跑片、抽芯、钉花毛刺、导针毛刺、铝箔边缘毛刺、芯子高低脚等原因而造成。只要加强工艺的控制、选用适当的材料可以杜绝铝电解电容器的开路和假性短路现象的发生。     

Fe、Si杂质含量对电解电容器低压阳极铝箔静电容量的影响

Ｆｅ在高纯铝中的存在状态（固溶状态或Ａｌ３Ｆｅ，ＡｌＦｅＳｉ金属间化合物析出状态）直接影响铝在盐酸溶液中的腐蚀速度，从而对腐蚀箔的静电容量有极大影响。介绍了近年来日本专利中关于防止Ｆｅ、Ｓｉ析出的轧箔工艺，即高温固溶处理后在数分钟内完成热轧，使Ｆｅ、Ｓｉ来不及析出，这样，９９．９８％Ａｌ就其Ｆｅ、Ｓｉ析出量而言，实际可达到９９．９９％以上铝的水平。更进一步，控制Ｆｅ、Ｓｉ析出分布状态（弥散状分布）的轧箔工艺，有可能用９９．９３％～９９．９８％铝得到９９．９８％以上纯度铝同样静电容量水平。     

腐蚀频率对铝电解电容器用低压铝箔性能的影响

采用变频腐蚀工艺以及正交实验法,制备了铝电解电容器用低压铝箔,研究了腐蚀电源频率对所制低压铝箔腐蚀形貌及性能的影响。结果表明:腐蚀孔径随着电源频率的升高而变小,腐蚀电压随着频率升高而降低;频率25Hz为最佳工艺条件,所得腐蚀样品耐压值为83.2V,比容达16.07×10-6F/cm2。     

电解电容器用铝箔腐蚀工艺研究

采用正交实验方法,选择腐蚀溶液的组成、腐蚀电压、腐蚀温度和时间四因素,探索影响环保型铝电解电容器用腐蚀箔性能的工艺参数。结果表明:当ψ(H2SO4∶HCl)为3∶1,电压为8V,温度为85℃,腐蚀时间85s时,可以获得高比容(0.59)高强度(弯折次数140)兼顾的性能。腐蚀溶液的组成、电压是影响腐蚀箔性能的主要因素。     

柠檬酸盐对阳极箔形成速度与比电容的影响

为了提高铝电解电容器用高压阳极箔形成速度与比电容,将水合处理后的腐蚀箔在95℃、2 g/L柠檬酸钠去离子水溶液中浸泡5 min,在530 V电压化成时,形成时间缩短约2 min,化成箔比电容由0.556×10–6 F.cm–2提高至0.584×10–6 F.cm–2,阳极氧化铝膜的结构与性能得到改善。     

特高压电容器用电极箔腐蚀工艺的研究

通过对特高压(Vfe=950V)电容器用电极箔微观形貌的理论计算,采用一次腐蚀控制孔密度和孔长度参数,二次腐蚀控制相应的孔径。研究了700～1100V特高压电极箔的两次电化学腐蚀工艺。使Vfe为950V的特高压电容器用电极箔的参数指标得到了优化:孔密度为0.116个/μm2,孔径为2.02μm,比容达到0.210×10–6F/cm2。     

中高压铝电解电容器用电极箔腐蚀工艺研究

采用硫酸-盐酸腐蚀体系研究了中高压铝电解电容器电极箔多段腐蚀方法。通过三段腐蚀工艺和二段腐蚀工艺的比较,发现多段腐蚀能提高铝箔表面小孔成核率,减少腐蚀介质对氧化膜的进一步腐蚀,有利于小孔向纵深发展。三段腐蚀工艺制备的电极箔表面孔尺寸为0.6～1.0μm,孔深34～36μm,比容高达2.5×10–6F/cm2。