Interface Modulations on The Nanostructured Chains

ＩｎｔｅｒｆａｃｅＭｏｄｕｌａｔｉｏｎｓｏｎＴｈｅＮａｎｏｓｔｒｕｃｔｕｒｅｄＣｈａｉｎｓＸ．Ｈ．Ｙａｎ１，２Ｌ．Ｄ．Ｚｈａｎｇ１Ｚ．Ｐ．Ｄｕａｎ１，３Ｑ．Ｂ．Ｙａｎｇ２（１ＩｎｓｔｉｔｕｔｅｏｆＳｏｌｉｄＳｔａｔｅＰｈｙｓｉｃｓ，ＣｈｉｎｅｓｅＡｃ...     

Traffic Source Characterization：Considering Real Demands of Communication Attempts

ＴｒａｆｆｉｃＳｏｕｒｃｅＣｈａｒａｃｔｅｒｉｚａｔｉｏｎ：ＣｏｎｓｉｄｅｒｉｎｇＲｅａｌＤｅｍａｎｄｓｏｆＣｏｍｍｕｎｉｃａｔｉｏｎＡｔｔｅｍｐｔｓＣａｉＢｉｎ；ＺｈｅｎｇＨｕｉｓｏｎｇＡＮＤＷａｎｇＬｉａｎｇｙｕａｎ（Ｄｅｐａｒｔｍｅｎｔ，ｏｆＭ...     

On the Design of Nonlinear Neural Networks for Associative Memories

ＯｎｔｈｅＤｅｓｉｇｎｏｆＮｏｎｌｉｎｅａｒＮｅｕｒａｌＮｅｔｗｏｒｋｓｆｏｒＡｓｏｃｉａｔｉｖｅＭｅｍｏｒｉｅｓＸｕＳｈｕｎｄｏｕ（ＤｅｐａｒｔｍｅｎｔｏｆＢａｓｉｃＣｏｕｒｓｅｓ，ＳｈｉｊｉａｚｈｕａｎｇＰｏｓｔａｌＣｏｌｅｇｅ，Ｓｈｉｊｉａｚｈ...     

Criterion Theorems of Set Valued Martingales With Values in a Banach Space

ＣｒｉｔｅｒｉｏｎＴｈｅｏｒｅｍｓｏｆＳｅｔＶａｌｕｅｄＭａｒｔｉｎｇａｌｅｓＷｉｔｈＶａｌｕｅｓｉｎａＢａｎａｃｈＳｐａｃｅＸｕＳｈｕｎｄｏｕ（ＤｅｐａｒｔｍｅｎｔｏｆＢａｓｉｃＣｏｕｒｓｅｓ，ＳｈｉｊｉａｚｈｕａｎｇＰｏｓｔａｌＣｏｌｌｅｇｅＳｈ...     

Quantum Transport through Magnetic Bariers

ＱｕａｎｔｕｍＴｒａｎｓｐｏｒｔｔｈｒｏｕｇｈＭａｇｎｅｔｉｃＢａｒｉｅｒｓＪ．Ｑ．Ｙｏｕ１，２Ｌ．Ｄ．Ｚｈａｎｇ１Ｑ．Ｂ．Ｙａｎｇ２（１ＩｎｓｔｉｔｕｔｅｏｆＳｏｌｉｄＳｔａｔｅＰｈｙｓｉｃｓ，ＣｈｉｎｅｓｅＡｃａｄｅｍｙｏｆＳｃｉｅｎｃｅｓ，Ｈｅ...     

Equivalent Source Method Approachto Compositely Postsina Rectangular Waveguide

ＥｑｕｉｖａｌｅｎｔＳｏｕｒｃｅＭｅｔｈｏｄＡｐｐｒｏａｃｈｔｏＣｏｍｐｏｓｉｔｅｌｙＰｏｓｔｓｉｎａＲｅｃｔａｎｇｕｌａｒＷａｖｅｇｕｉｄｅＣａｏＷｅｉＡＮＤＬｏｎｇＢｉｎｇ（ＤｅｐａｒｔｍｅｎｔｏｆＲａｄｉｏＥｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ，Ｎａｎｊｉｎｇ...     

有关数据安全方面的外文图书目录

有关数据安全方面的外文图书目录（１）ＳｅｃｕｒｌｔｖＭｅｃｈａｎｌｓｌｍｓｂｒＣｏｍｎｕｔｅｒＮｅｔｗｏｒｋｓ．（计算机网络的安全机制）（２）ＳｅｃｕｒｉｔｙｏｆＩｎｆｏｒｍａｔｉｏｎａｎｄＤａｔａ．（信息与数据安全）（３）ＳｒｓｔｅｍｓＳａｆｅｔｙ...     

Surface Crystals of Liquid Alkanes

ＳｕｒｆａｃｅＣｒｙｓｔａｌｓｏｆＬｉｑｕｉｄＡｌｋａｎｅｓＸ．Ｚ．Ｗｕ１，２Ｂ．Ｍ．Ｏｃｋｏ３Ｅ．Ｂ．Ｓｉｒｏｔａ４Ｓ．Ｋ．Ｓｉｎｈａ５Ｏ．Ｇａｎｇ６Ｍ．Ｄｅｕｔｓｃｈ６（１．ＰｈｙｓｉｃｓＤｅｐｔ．，ＮｏｒｔｈｅｒｎＩｌｉｎｏｉｓＵｎｉｖｅｒｓｉ...     

On the Optimization Problem of Spanning Tree in Fuzzy Network

ＯｎｔｈｅＯｐｔｉｍｉｚａｔｉｏｎＰｒｏｂｌｅｍｏｆＳｐａｎｎｉｎｇＴｒｅｅｉｎＦｕｚｚｙＮｅｔｗｏｒｋ￥ＹａｎｇＣｈｕｎｄｅ（ＤｅｐａｒｔｍｅｎｔｏｆＢａｓｉｃＣｏｕｒｓｅｓ，ＣｈｏｎｇｑｉｎｇＵｎｉｖｅｒｓｉｔｙｏｆＰｏｓｔｓａｎｄＴｅｌｅｃｏｍ...     

Performance Evalution of 2B1Q Data Echo Canceller in Digital Subscriber Access Networks

ＰｅｒｆｏｒｍａｎｃｅＥｖａｌｕｔｉｏｎｏｆ２Ｂ１ＱＤａｔａＥｃｈｏＣａｎｃｅｌｅｒｉｎＤｉｇｉｔａｌＳｕｂｓｃｒｉｂｅｒＡｃｃｅｓＮｅｔｗｏｒｋｓＭａｎｕｓｃｒｉｐｔｒｅｃｅｉｖｅｄＯｃｔ．１２，１９９６ＴａｎｇＢａｏｍｉｎ（ＮａｎｊｉｎｇＵｎｉｖ...     

新型平板显示技术--BSD技术

最近,《日本半导体产业新闻》报道,日本松下电工（株）菰田博士提出 ＢＳＤ（弹道电子表面发射显不, Ｂａｌｌｉｓｔｉｃ 　ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｓｕｒｆａｃｅ－ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｓｐｌａｙ）。此方案类似于 ＦＥＤ,但ＢＳＤ发射电子冷阴极不用ＦＥＤ的微尖结构,而采用下电极上低温多晶硅发射电子。ＢＳＤ关键技术是在多晶硅晶界上形成５ｎｍ左右均匀微晶的多孔化技术。ＢＳＤ优点：（１）工作电压为２０Ｖ左右;（２）功耗为ＰＤＰ的１／３,１０７ｃｍ（４２ｉｎ）的ＢＳＤ功耗小于１００Ｗ;（３）亮度大于２０ ０００ｃｄ／ｍ…     

InCl分子B~3∏_1态时间分辨谱研究

采用激光诱导荧光技术对ＩｎＣｌ分子 Ｂ３∏１→Ｘ１∑＋荧光光谱进行了分析和归属,并对Ｂ３∏１（ｖ’＝０）→Ｘ１∑＋（ｖ＂＝０）的时间分辨谱进行了观测．首次得到ＩｎＣｌ分子Ｂ２∏１态（ｖ＇＝０）无碰撞辐射寿命 ０≈３５３ｎｓ;无辐射弛豫速率常数ｋＱ≈１．９８５×１０－１０ｃｍ３ｍｏｌｅｃ－１ｓ－１及电子跃迁矩｜Ｒｅ｜２＝ ０．４０Ｄ２．     

用XPS对CdTe（111）面进行化学特性分析

用ＸＰＳ化学位移和定量分析方法，研究了露于室温空气中的ＣｄＴｅ（１１１）面的化学特征。首次报道了经机械抛光表面上形成的表面化合物为ＴｅＯ２（Ｔｅ３ｄ５／２５７５．８ｅＶ，Ｏ１ｓ５３０．１ｅＶ）和Ｃｄ（ＯＨ）２（Ｃｄ３ｄ５／２４０５１ｅＶ．Ｏ１ｓ５３１．４ｅＶ）。并与基体里的ＣｄＴｅ共存；经２％Ｂｒ－乙醇溶液化学抛光，表面上形成的化合物为ＣｄＴｅＯ４（Ｃｄ３ｄ５／２４０５．３ｅＶ，Ｔｅ３ｄ５／２５７６５ｅＶ，Ｏ１ｓ５３１．２ｅＶ）和ＴｅＯｘ（ｘ＜１）（Ｔｅ３ｄ５／２５７４～５７５ｅＶ，Ｏ１ｓ５２８１ｅＶ），并且ＸＰＳ谱中没有基体里的ＣｄＴｅ的特征，其中ＴｅＯＸ为Ｔｅ氧化物的过渡态。结果表明，在相同氧化环境中，表面上形成的化合物强烈依赖表面状况。     

Structural and Electrical Behaviors of Ag Films Deposited on Liquid Substrates

ＳｔｒｕｃｔｕｒａｌａｎｄＥｌｅｃｔｒｉｃａｌＢｅｈａｖｉｏｒｓｏｆＡｇＦｉｌｍｓＤｅｐｏｓｉｔｅｄｏｎＬｉｑｕｉｄＳｕｂｓｔｒａｔｅｓＧ．Ｘ．Ｙｅ１，２Ｑ．Ｒ．Ｚｈａｎｇ２Ｈ．Ｌ．Ｇｅ２Ｃ．Ｍ．Ｆｅｎｇ２（１Ｄｅｐｔ．ｏｆＰｈｙｓ．，Ｈａｎｇｚｈ...     

IBM免费赠送DB2漫游版

近日,ＩＢＭ公司宣布将在其网站上向用户免费发布ＤＢ２漫游版———ＤＢ２Ｅｖｅｒｙｗｈｅｒｅ１．１版。该产品提供了对３Ｃｏｍ的ＰａｌｍＯＳ３．０、３．１及Ｍｉｃｒｏｓｏｆｔ的ＷｉｎｄｏｗｓＣＥ２．０的支持,并允许工程师在一个相对较小的空间中将很多功能打包在一起。ＤＢ２Ｅｖｅｒｙｗｈｅｒｅ１．１版ＩＢＭ是专门为ＰＤＡ和手持个人电脑市场设计的小型的关系型数据库。借助ＤＢ２Ｅｖｅｒｙｗｈｅｒｅ１．１版中所包含的移动连接设备———ＭｏｂｉｌｅＣｏｎｎｅｃｔ（ＭＣ）,用户可以保持与企业其它应用数据的同步。Ｍ…     

第一届ASIC国际会议在北京召开

第一届ＡＳＩＣ国际会议在北京召开１ｓｔＩｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌＣｏｎｆｅｒｅｎｃｅｏｆＡＳＩＣ，Ｂｅｉｊｉｎｇ￥ＴｉａｎＥｒｗｅｎ（ＮａｎｊｉｎｇＥｌｅｃｔｒｏｎｉｃＤｅｖｉｃｅｓＩｎｓｔｉｔｕｔｅ２１００１６）中国电子学会和复旦大学主办，ＩＥＥＥ...     

Nitrogen Doping Effect in a-Ge: H Films Due To High Hydrogen Dilution

ＮｉｔｒｏｇｅｎＤｏｐｉｎｇＥｆｅｃｔｉｎａＧｅ：ＨＦｉｌｍｓＤｕｅＴｏＨｉｇｈＨｙｄｒｏｇｅｎＤｉｌｕｔｉｏｎＪ．Ｘｕ１Ｋ．Ｊ．Ｃｈｅｎ１Ｄ．Ｆｅｎｇ１，ＳｅｉｃｈｉＭｉｙａｚａｋｉ２ＭａｓａｔａｋａＨｉｒｏｓｅ２（１．Ｄｅｐｔ．ｏｆＰｈｙｓｉｃ...     

绿宝石晶体电子精细光谱及其基态^4A2的EPR参量研究

利用完全能量矩阵，结合自旋Ｈａｍｉｌｔｏｎｉａｎ理论，研究了Ｃｒ３＋：Ｂｅ３Ａｌ２（ＳｉＯ３）６（绿宝石）晶体的吸收光谱，Ｗ论与实验十分吻合；在此基础上研究了基态４Ａ２的ＥＰＲ（电子顺磁共振）参量（Ｄ及ｇ，ｇ）与２Ｅ态双重话线结构的微观起源，成功地解释了长期未能解决的基态零场分裂（ＺＦＳ），并证实了２Ｅ态大约６３ｃｍ－１的能级分裂．指认４１３２０ｃｍ－１处的光谱为４Ａ２→２Ａ２跃迁的自施禁戒光谱，而并非自旋允许光谱．     

高迁移率Si／Si_（0．7）Ge_（0．3）／Si调制掺杂异质结构的生长和输运性质

采用计算机控制的快速辐射加热、超低压ＣＶＤ（ＲＲＨ／ＶＬＰ－ＣＶＤ）方法生长了Ｓｉ／Ｓｉ０．７Ｇｅ０．３／Ｓｉｐ－型调制掺杂双异质结构．研究了该结构的输运性质，其空穴霍尔迁移率高达３００ｃｍ２／Ｖ·ｓ（３００Ｋ，薄层载流于浓度ｐｓ为２．６e１３ｃｍ－２）和８４００ｃｍ２／Ｖ·ｓ（７７Ｋ，ｐｓ为１．１e１３ｃｍ－２）．     

衬底温度对VUV光直接光CVD SiO2／Si界面缺陷的影响

研究了ＶＵＶ（真空紫外）光直接光ＣＶＤ（化学汽相淀积）ＳｉＯ２／Ｓｉ界面微结构缺陷与衬底温度（Ｔｓ）的关系。实验结果表明：在３２℃￣１８０℃的温度范围内，与Ｓｉ－Ｏ－Ｓｉ伸缩模相对应的ＩＲ峰位随Ｔｓ的降低从１０６０ｃｍ＾－１增加到１０８０ｃｍ＾－１。固定氧化物电荷密度（ΔＮｏｔ）在Ｔｓ〉１２０℃后，呈正电性，与位于３．１０ｅＶ的氧空位缺陷相关；在Ｔｓ〈１００℃一侧，呈负电性，与２．８４ｅＶ能级位置