新型厚膜片式NTC热敏元件研究

本文叙述了适用于混合集成电路表面安装的厚膜片式热敏元件的设计、工艺要点及主要性能。作者研制的掺有适量稀土元素的添加物，有效地降低了热敏浆料的方阻，改善了元件的热稳定性，使厚膜片式热敏元件达到了实用化的要求。     

新型厚膜片式NTC热敏元件研究

作者以Ｍｎ（１＋ｘ）Ｃｏ（２－ｘ）Ｏ４作热敏基料，掺适量ＭｅＭｎ２Ｏ４添加物，有效地降低了热敏浆料的方组，改善了元件的热稳定性，使厚膜片式ＮＴＣ热敏元件达到了实用化的要求。     

新型节能“PTC”加热器

“ＰＴＣ”加热器是根据“ＰＴＣ”热敏元件特有的电特性研制而成的。通过“ＰＴＣ”热敏元件和铝散热片的组合可以得到不同功率的加热器，从而满足各种家用电器热源的需求。     

气-热敏复合元件的温度补偿

从理论上分析了热敏元件对气敏元件的温度补偿原理，根据气敏元件的灵敏度温度特性，推算出了构成低温漂复合元件所需满足的条件，并阐述了它们在实验中的可行性。     

电饭锅饭未熟跳闸故障检修

故障现象:一个“三角”牌电饭锅饭不熟跳闸。故障检修:首先检查各温控开关。电饭锅的电路一般都较简单,它主要由热敏温控开关,保温开关、电阻丝和指示灯等元件组成。经逐个元件检查发现,是热敏温控开关性能不良,导致热敏温控动静片不能紧密接     

可辨别失效元件的热敏探头

英国Metrifast公司研制成一种称为热敏探头的廉价电子测试仪,用以代替电压表对电路板上的元件进行测试,而且能不直接接触元件就可很快地辨别出失效元件. 这种固体器件由一连接到经修改的惠斯顿电桥上的热敏探头组成,可测量1/45℃的最小温度变化.由于失效的电阻、变压器、二极管以及集成电路块不再辐射热量,所以当热敏探头接近失效元器件时,就能很快地将它检测出来.     

计算机辅助热敏补偿网络优化设计系统研制

介绍了一个温补晶体振荡器热敏补偿电路的计算机辅助设计系统。该系统采用最小二乘法建立热敏补偿电路优化设计模型,用一种改进的解非线性方程组实根的Monte Carlo法确定电路的元件参数。本文主要给出了系统的设计模型、算法、系统结构框图、数据流图和部分生产性验证结果。     

热红外成像器件及其制作方法

目前市场上出售的热红外图像传感器大多为测辐射热计型和热释电型。这些热红外图像传感器都是用其热敏部件吸收来自目标的红外辐射,然后根据电阻变化和电容变化来探测热敏部件的温度上升的。因此,用于支撑热敏部件的支柱都有一个特点,即截面小、长度长。然而,当支撑腿比较长时,被吸收的红外辐射会转换成热量,这样便会减小用于将热量转换成电信号的热敏部件的面积。因此,对于支撑腿的长度和热敏元件的面积,人们需要作权衡考虑。     

非接触温度传感器及其探测电路

美国专利US2003/0123517 (2003年7月3日公布) 本发明提供一种非接触温度传感器,它包括一个支架(10)、一片树脂胶片(20)、一个红外探测热敏元件、一个温度补偿热敏元件和一个盖子(50)。支架(10)     

利用晶体管结点遥测温度的电路

图1所示电路采用通用晶体管作为传感元件,并用一个热敏二极管监测集成电路芯片来测量温度。ADM1021通常与置于CUP裸芯片上的热敏二极管相连,但在本应用场合     

添加剂对Fe—Cu系陶瓷材料负阻特性的影响

文章介绍了以Ｆｅ２Ｏ３和Ｃｕ２Ｏ为主成分的陶瓷材料的负阻特性，分析论述了Ｃｏ２Ｏ３、Ｂｉ２Ｏ３以及ＭｎＯ２掺杂对Ｆｅ－Ｃｕ系陶瓷材料负阻性能的影响，实验制得负阻系数ｎ＞１０，电压Ｖｐ＞２００的负阻性能良好的陶瓷材料。     

SAPS法沉积Ni-Mn-Mg-Al-O系负温度系数热敏厚膜及其性能研究

首次采用超音速等离子喷涂(SAPS)方法在氧化铝基板上沉积了Ni0.6Mg0.3Mn1.3Al0.8O4厚膜,利用扫描电子显微镜、X射线衍射和电阻–温度特性测试仪研究了热处理温度对沉积厚膜性能的影响规律。结果表明:随热处理温度的升高,沉积厚膜的平均晶粒尺寸增大,尖晶石相增多;当热处理温度低于500℃时,所制厚膜的电阻–温度曲线在室温到80℃的温度范围内呈现V型特征,而在800℃和1 200℃处理后,厚膜的电阻在室温至200℃的温度区间内呈现良好的负温度特性。     

高频压电器件用Co2O3改性PbTiO3基压电陶瓷

报道了一种适用于高频压电器件的Co2O3改性Pb(Mn1/3Sb1/3)O3-PbTi O3(PT-PMS)基陶瓷。采用轧膜成型工艺制备了PT-PMS压电陶瓷,研究了加入Co2O3对陶瓷的介电、压电和机电性能的影响。结果表明,加入适量Co2O3,提高了陶瓷烧结密度,改善了陶瓷压电性能;同时,Co2O3的硬性掺杂作用使陶瓷的机械品质因数Qm明显上升。当Co2O3的质量分数为0.65%时,陶瓷表现出良好的机电性能:εr=290,d33=78 pC/N,kp=0.133,kt=0.489,Qm=2 162,TC=325℃。此外,该陶瓷具有高的居里温度TC,能满足回流焊工艺要求。     

Mn掺杂对SrBiFeO陶瓷NTC特性的影响

以Bi2O3,Fe2O3,MnO2和SrCO3为主要原料,采用传统固相法制备出具有负温度系数(NTC)特性的SrBiFeMnO陶瓷。研究了该陶瓷的物相结构、断面形貌及电性能。结果表明:试样的室温电阻率ρ25和热敏电阻特性常数B25/85随着x(Mn)的增加均呈现先增大后减小的趋势。在25～200℃的测试温区内,x(Mn)为0.1时,掺杂的SrBiFeO陶瓷材料的电阻率-温度特性呈现良好的线性关系;x(Mn)为0.5时,掺杂SrBiFeO陶瓷材料具有较好的NTC特性,其ρ25为145Ω.cm,B25/85为2950K。     

掺杂及烧结温度对Pb(Y1/2Nb1/2)O3-PbTiO3-PbZrO3性能的影响

为了改进０．０２Ｐｂ（Ｙ１／２Ｎｂ１／２ ）Ｏ３－ｙＰｂＴｉＯ３－（１－ ０．０２－ ｙ）ＰｂＺｒＯ３ 系压电陶瓷的电学性能和力学性能,作者研究了多种常用添加物对０．０２Ｐｂ （Ｙ１／２Ｎｂ１／２ ）Ｏ３ －ｙＰｂＴｉＯ３ －（１－ ｙ－ ０．０２）ＰｂＺｒＯ３ 三元系压电陶瓷性能的作用, 探讨了不同烧结温度对材料性能的影响。实验结果表明, Ｓｒ２＋ 和Ｂａ２＋ 作为同价取代元素能够提高０．０２Ｐｂ（Ｙ１／２Ｎｂ１／２ ） Ｏ３ －ｙＰｂＴｉＯ３ －（１－ ０．０２－ ｙ） ＰｂＺｒＯ３ 系材料的机电耦合系数（ｋｐ、ｋ３３ 、ｋｔ）、介电常数和压电系数, 降低机械品质因数Ｑｍ ; Ｌｉ＋ 、Ｃｒ３＋ 、Ｍｎ２＋ 、Ｎｉ３＋ 、Ｆｅ３＋ 等金属离子加入０．０２Ｐｂ （Ｙ１／２Ｎｂ１／２） Ｏ３－ｙＰｂＴｉＯ３－（１－ ０．０２－ ｙ） ＰｂＺｒＯ３ 会提高材料的机械品质因数, 同时也会损害介电、压电性能, 降低弹性柔顺系数, 体现了硬性添加物的一般特性; 退火对０．０２Ｐｂ （Ｙ１／２Ｎｂ１／２） Ｏ３ －ｙＰｂＴｉＯ３－ （１－ ０．０２－ ｙ） ＰｂＺｒＯ３ 压电材料性能有促进作用。     

掺杂及烧结温度对Pb(Y_(1/2)Nb_(1/2))O_3-PbTiO_3-PbZrO_3性能的影响

为了改进０．０２Ｐｂ（Ｙ１／２Ｎｂ１／２ ）Ｏ３－ｙＰｂＴｉＯ３－（１－ ０．０２－ ｙ）ＰｂＺｒＯ３ 系压电陶瓷的电学性能和力学性能,作者研究了多种常用添加物对０．０２Ｐｂ （Ｙ１／２Ｎｂ１／２ ）Ｏ３ －ｙＰｂＴｉＯ３ －（１－ ｙ－ ０．０２）ＰｂＺｒＯ３ 三元系压电陶瓷性能的作用, 探讨了不同烧结温度对材料性能的影响。实验结果表明, Ｓｒ２＋ 和Ｂａ２＋ 作为同价取代元素能够提高０．０２Ｐｂ（Ｙ１／２Ｎｂ１／２ ） Ｏ３ －ｙＰｂＴｉＯ３ －（１－ ０．０２－ ｙ） ＰｂＺｒＯ３ 系材料的机电耦合系数（ｋｐ、ｋ３３ 、ｋｔ）、介电常数和压电系数, 降低机械品质因数Ｑｍ ; Ｌｉ＋ 、Ｃｒ３＋ 、Ｍｎ２＋ 、Ｎｉ３＋ 、Ｆｅ３＋ 等金属离子加入０．０２Ｐｂ （Ｙ１／２Ｎｂ１／２） Ｏ３－ｙＰｂＴｉＯ３－（１－ ０．０２－ ｙ） ＰｂＺｒＯ３ 会提高材料的机械品质因数, 同时也会损害介电、压电性能, 降低弹性柔顺系数, 体现了硬性添加物的一般特性; 退火对０．０２Ｐｂ （Ｙ１／２Ｎｂ１／２） Ｏ３ －ｙＰｂＴｉＯ３－ （１－ ０．０２－ ｙ） ＰｂＺｒＯ３ 压电材料性能有促进作用。     

PMMN-PZT四元系压电陶瓷材料的研究

研究了铌镁酸铅铌锰酸铅锆钛酸铅(PMMN-PZT)四元系统压电陶瓷材料的配方、工艺条件及对各项性能指标的影响。在相界附近研究了四种不同配方的PMMN-PZT压电陶瓷,通过SEM观察、性能测试、居里温度表征等手段,确定了较佳的配方组成、材料的烧结温度及极化制度。研究表明:所得PMMN-PZT压电陶瓷的较佳组成为0.06Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-0.06Pb(Mn1/3Nb2/3)O3-0.44PbZrO3-0.44PbTiO3+0.2%质量分数的CeO2,适宜的烧结温度为1200,极化电场为3000V/mm,极化温度为150。所制备的压电陶瓷的相对介电常数33T/0为1100;介质损耗tg为0.004;压电常数d33为290?0-12C/N,g33为28.0?0-3Vm/N;机电耦合系数kP为0.55;机械品质因数Qm为1200。     

气动加热下高温陶瓷材料的红外辐射机理与特性

从分析材料内部热辐射与导热耦合传热温度场、表面反射及折射之间的内在关系出发,建立了气动加热下高温陶瓷材料的红外辐射模型.采用控制容积法结合蒙特卡罗法和谱带模型,数值模拟了红外辐射能在材料内部的传递及出射过程.引入介质影响因子,分析了材料的红外辐射机理和外部气动热流对材料红外辐射特性的影响.结果表明,高温陶瓷材料内部热辐射的光谱选择性与温度场的耦合,导致高温陶瓷材料的红外发射率随气动热流变化而变化.由于陶瓷材料在紫外和中远红外谱带范围对辐射的吸收非常强,而在近红外和可见光谱带范围对辐射吸收较弱,随气动热流密度增大,对陶瓷材料表面红外辐射产生贡献的内部热辐射区域增大,但材料的红外发射率降低.     

Resonance Measurements on Nickel-Cobalt Ferrites as a Function of Temperature and on Nickel Ferrite-Aluminates

The variation of line width (Delta H) and effective g factor (g/sub eff/) with cobalt content and with temperature is studied in a series of ferrites of composition Ni/sub 1- alpha/Co/sub alpha/Mn/sub 0.02/Fe/sub 1.9/O/sub 4+-/. Here alpha lies between 0 and 0.09; temperatures range from 20° to 340° C. A minimum in Delta H is observed at alpha=0.027; g/sub eff/ decreases with increasing alpha. The temperature dependence of each is qualitatively that which would be expected on the basis of the temperature dependence of the anistrophy of the mixed ferrite. Above room temperature Delta H and g/sub eff/ increase or decrease, depending on the cobalt content. It is also shown that the shape of the resonance line is determined by the sign of the anisotropy constant. For negative K/sub 1/ the line is steeper on the low-field side of resonance--for positive K/sub 1/ it is steeper on the high-field side. Resonance data are presented on several nickel-cobalt ferrite-aluminates, of composition Ni/sub 1_alpha/Co/sub alpha/Mn/sub 0.02/Fe/sub 2-t/Al/sub t/O/sub 4+-/, with alpha varying from 0 to 0.025 for t=0.3, 0.4, 0.5, and 0.6. The reduction of Delta H and g/sub eff/ expected from anisotropy considerations is observed.     

LTCC低介电常数微波介质陶瓷的研究进展

简述了Al2O3系、MO-SiO2(M=Ca,Mg,Zn)系、MO-TiO2系等相对介电常数为6～30的低温共烧陶瓷(LTCC)的结构和微波介电性能,介绍了自主研发的Al2O3系和Mg5(Zn,Ti)4O15系材料制作的多层陶瓷电容器(MLCC)的电性能。分析和讨论了目前LTCC低介电常数微波介质陶瓷存在的问题,提出了其发展方向。