激光晶体K_3Nd(PO_4)_2的生长及其光谱

用助熔剂法从KF-KCl熔体中生长出了K_3Nd(PO_4)_2和K_3Nd_xLa_(1_x)(PO_4)_2晶体。化学组成分析和X射线衍射分析证明,所得到的晶体是K_3Nd(PO_4)_2。测定了它们的红外光谱、吸收光谱、荧光光谱和荧光寿命。     

Er_xY_(1-x)Al_3(BO_3)_4晶体的生长及性质

研究了助熔剂法合成Er_xY_(1-x)Al_3(BO_3)_4(EYAB)晶体的工艺;对该体系的物相进行了差热和X-射线分析,确定了K_2Mo_3O_(12)及EYAB相的生成温度得到不同组成的EYAB晶体;观察了晶体缺陷,测定了晶体学参数及热稳定性。     

Na_5Sm(WO_4)_4发光晶体的生长及光谱特性

本文报道了用助熔剂缓冷法生长新型发光晶体Na_6Sm(WO_4)_4,计算了它的晶格常数,测定了它的红外光谱、吸收光谱、荧光光谱和激发光谱,并确定了晶体中Sm~(3+)离子的能级.研究表明,该晶体是有前途的激光晶体.     

Pr~(3+)离子及Na_5Pr(WO_4)_4晶体的光谱性质

本文报道了新型发光晶体Na_5Pr(WO_4)_4的生长及Pr~(3+)离子的光谱性质。测定了该晶体的结构以及吸收光谱、荧光光谱和激发光谱。研究表明,该晶体有可能成为继Na_5Nd(WO_4)_4晶体之后又一激光晶体新品种。     

助熔剂法生长GaPO4晶体

采用助熔剂法生长了GaPO4晶体。热重-差热(TG-DSC)分析得到晶体的熔点为1 070℃,采用紫外-可见分光光度计测量了晶体的室温紫外-近红外透过谱,采用红外光谱分析仪测量了晶体的红外透过谱。结果表明,GaPO4晶体透光波段很宽,采用助熔剂法生长晶体有效地抑制了晶体中OH-基团的产生。     

掺铒钼酸钙激光晶体的生长与光谱研究

以Na2MoO4为助熔剂,用助熔剂提拉方法生长了掺Er3+的CaMoO4激光晶体,测试了晶体的光学均匀性,研究了晶体的光谱性能,并对其吸收光谱和荧光光谱进行了分析。晶体在981 nm处的吸收截面为0.6×10-20cm2,在1538 nm处的发射截面为0.91×10-20cm2。Er3+:CaMoO4晶体可产生上转换荧光,在980 nm激发下可辐射峰值波长为532 nm和553 nm的绿光及670 nm的红光。光谱分析结果表明,Er3+:CaMoO4晶体可能成为潜在的1.5μm波段激光材料和上转换发光材料。     

Tb∶YAl3(BO3)4晶体的生长与光谱性质

采用助溶剂法成功地生长了Tb:YAl_3(BO_3)_4晶体。测量了晶体的室温透过谱和荧光光谱。晶体的透光波段较宽,紫外截止吸收边在230nm附近。实验表明,在一定能量光的激发下,晶体在485nm、542nm、590nm、622nm处可产生强弱不同的发射谱峰。在542nm处最强,对应于Tb~(3+)的~5D_4→~7F_5发射。Tb:Al_3(BO_3)_4晶体的比热为0.755 0 J/g·℃     

Na_5Eu(WO_4)_4发光晶体的光谱特性研究

对稀土四钨酸盐的研究很早就有报道,但作为发光材料的研究是近十几年才逐渐增多的.Na_5Eu(WO_4)_4作为该系列红外发光材料,近几年也有不少研究报道.陈立高、施潮淑等人改进了Na_5Eu(WO_4)_4的发光性能,黄京根等人指出Na_5Eu(WO_4)_4是良好的微晶激光材料.但是到目前为止,研究尚限于粉末材料.我们进行了Na_5Eu(WO_4)_4单晶制备的研究工作,已报道用助熔剂泡生法首次成功地生长出了Na_5Eu(WO_4)_4单晶,尺寸为2×1×1mm~3,并进行了结构分析.本文报道用助熔剂缓冷法生长出长度达4.5mm的Na_5Eu(WO_4)_4单     

四磷酸稀土锂晶体的生长和性能研究

采用高温熔剂法合成了五种四磷酸稀土锂单晶LiLnP_4O_(12)(Ln=Ce,Pr,Eu,Ho,Er)。对它们的主要的物理性质和光谱性质作了较为系统的研究。对LiPrP_4O_(12)的吸收和荧光谱的研究表明,该晶体可能成为有希望的可见光区的激光材料。     

钙钛矿型La2／3TiO3—x晶体的助熔剂生长

通过KF—Na_2B_4O_7系统助熔剂生成了钙钛矿型La_(2/3)TiO_(3-z)晶体,在1000℃以上获得的是立方晶,在950℃以下获得的是四方晶.看来氧缺陷不是有关粉末制备的样品所报道的那么严重的问题.说明了生长条件、X射线衍射分析、晶体形态以及介电性能.     

稀土元素对KNdP_4O_(12)激光晶体的影响

用蒸发溶液法从磷酸溶液中生长出14种KNd_(0.9)Ln_(0.1)P_4O_(12)晶体(其中Ln=La、Ce、Pr、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu或Y)。测定了它们的晶体结构、红外光谱、吸收光谱、荧光光谱和荧光寿命,计算了晶格常数,观察到掺入Ln~(3+)后对KNdP_4O_(12)晶体的影响。     

Effects of Doping Mn on Nd1.85Ce0.15CuO4 System

Nd1.85Ce0.15Cu1-xMnxO4 samples with doping level up to 20% have been synthesized by solid-state reaction method. The influence of Mn on their normal-state transport, crystal structure, superconductivity and magnetic properties has been investigated. For the samples with x0.03, magnetization under zero-field cooling indicates that the magnetic state changes from ferromagnetic to paramagnetic at T100 K, which can be explained with the interaction between Mn4+ and Mn3+. The electrical resistivity of samples increases with Mn doping. For the samples with doping level lower than 0.20, initially increases with the decrease of temperature, i.e., d/dt0, and then shows superconductivity transition at T20 K. The results suggest the coexistence of superconductivity and ferromagnetic ordering in Mn doped Nd1.85Ce0.15CuO4.     

30 W输出的Yb3+:KGd(WO4)2激光系统的理论设计

Yb3+:KGd（WO4）2晶体具有增益带宽大、掺杂浓度高等突出特点,是近年来引起广泛关注的可用于构建锁模飞秒和辐射平衡激光系统的激光介质。这里建立了基于准三能级系统的微观动力学理论模型,并将其应用于端面泵浦Yb3+:KGd（WO4）2种子源和激光放大系统的理论分析中。首先从速率方程出发,讨论了准三能级激光系统的种子源部分的物理特性,指出种子源部分存在着最佳的晶体长度和输出耦合镜反射率。由于Yb3+:KGd（WO4）2晶体材料的热传导率很低,研究中拟采用主控振荡功率放大结构以实现30 W量级的激光输出,并在此基础上探讨了主控振荡功率放大器部分的输出物理特性。研究结果对将来构建实用化的Yb3+:KGd（WO4）2激光系统有着重要的理论指导意义。     

发光晶体Na_5Er（WO_4）_4的光谱性质和Er~（3＋）的光谱参数计算

制备了Ｎａ５Ｅｒ（ＷＯ４）４的粉末和单晶，测定了晶格参数、单晶吸收光谱，激发和发光光谱。计算了吸收谱线振子强度，根据Ｊｕｄｄ－Ｏｆｅｌｔ理论拟合出Ｅｒ３＋发光光谱的三个强度参数Ω２，４，６＝１．７４，１．４６，０．５１×１０－２ｃｍ２，计算了自发辐射电偶和磁偶跃迁振子强度和跃迁几率、辐射寿命、荧光分支比和积分发射截面等光谱参数，讨论了Ｅｒ３＋发光谱线出激光的可能性。     

Effects of excess Bi concentration, buffered Bi2O3 layer, and Ta doping on the orientation and ferroelectricity of chemical-solution-deposited Bi3.25La0.75Ti3O12 films

Effects of excess Bi concentration, buffered Bi₂O₃ layer, and Ta doping on the orientation and ferroelectricity of chemical-solution-deposited (CSD) Bi_3.25La_0.75Ti₃O₁₂ (BLT) films on Pt/SiO₂/Si(100) were studied. The optimum concentration of excess Bi added to the BLT films to achieve a larger remanent polarization (2Pr) was 10 mol.%. The buffered Bi₂O₃ layers could reduce the temperature for c-axis-oriented growth of BLT films from 850°C to 700°C. However, two-step annealing, i.e., first annealed at 650°C and then annealed at a temperature of 700–850°C, could effectively suppress the c-axis-oriented growth and thus improve the 2Pr of BLT films. The improvement of the 2Pr of BLT films can be explained in terms of the large polarization along the a-axis orientation and buffered Bi₂O₃ layers, which compensate the BLT films for Bi evaporation during annealing. The Ta doping can induce two contrary effects on the 2Pr of BLT films. For the (Bi_3.25La_0.75)(Ti_3−xTa_x)O₁₂ (BLTTx) films with x=0.005, the effect of a decrease of oxygen vacancies would be dominant, resulting in the improvement of 2Pr. Because the Ta concentration (x) in the BLTTx films exceeds 0.01, the effect of a decrease of grain size would become dominant, resulting in the degradation of 2Pr.     

Al2(WO4)3的激光烧结合成及特性

采用激光烧结技术快速成功地将比例适当的Al2O3和WO3粉末合成了形貌良好且致密的Al2(WO4)3材料,并对该材料采用多种分析手段进行了分析。 拉曼光谱分析说明在合适工艺参数下激光烧结可避免原料挥发，使原料完全参与反应。X射线衍射(XRD)分析表明合成物主要是Al2(WO4)3，属空间群Pnca，具有正交结构，可能显示负热膨胀特性，另外还含有少量的AlxWO3(x≤1)和WO3-x(x<1)。扫描电镜(SEM)发现合成物晶粒呈球形、细小、排列致密、少有气孔、尺寸约在10 nm左右。能量散射光谱(EDS)分析显示合成物内部成分分布均匀。热分析则得出合成物中少许杂相为复杂非平衡相。     

激光烧结快速合成La2(MoO4)3材料

针对已有的固相合成法和湿化学法等合成方法中存在的工艺复杂、反应时间长、反应不充分等缺点,提出应用激光烧结快速合成技术制备质地致密、成型较好的La2(MoO4)3材料。对样品的拉曼光谱，X射线衍射,样品表面形貌和热膨胀性进行了分析和讨论。结果表明，制备的样品基本上是单一相的La2(MoO4)3，扫描电镜显示出样品表面多为细小晶粒的团聚体;能谱分析表明样品表面上各小晶粒的成分基本相同，说明得到的样品成分均匀;La2(MoO4)3在低温下是单斜结构，达到室温及以上时为正交结构，其极有可能是各向异性负热膨胀材料。