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1.
助熔剂法生长GaPO4晶体
李静
梁曦敏
徐国纲
赵洪阳
王继扬
《压电与声光》
2007,29(6):695-696
采用助熔剂法生长了GaPO4晶体。热重-差热(TG-DSC)分析得到晶体的熔点为1 070℃,采用紫外-可见分光光度计测量了晶体的室温紫外-近红外透过谱,采用红外光谱分析仪测量了晶体的红外透过谱。结果表明,GaPO4晶体透光波段很宽,采用助熔剂法生长晶体有效地抑制了晶体中OH-基团的产生。
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