电子束蒸发金膜速率分析北大核心CSCD

在不同的蒸发速率下沉积300nm的Au薄膜,研究蒸发速率对薄膜表面形貌和性能的影响。随着蒸发速率的提高,薄膜的结构变得致密,晶粒尺寸和表面粗糙度减小。金薄膜方阻随着蒸发速率提高无明显变化,而方阻均匀性变差,但在可接受的范围内。但蒸发速率过高会引起金属大颗粒增多。因此,选用适合的蒸发速率对Au膜质量有很大影响。文中的初步结果可对改善电容特性和提升器件性能提供参考。     

电子束蒸发金膜速率分析

在不同的蒸发速率下沉积300nm的Au薄膜,研究蒸发速率对薄膜表面形貌和性能的影响。随着蒸发速率的提高,薄膜的结构变得致密,晶粒尺寸和表面粗糙度减小。金薄膜方阻随着蒸发速率提高无明显变化,而方阻均匀性变差,但在可接受的范围内。但蒸发速率过高会引起金属大颗粒增多。因此,选用适合的蒸发速率对Au膜质量有很大影响。文中的初步结果可对改善电容特性和提升器件性能提供参考。     

难熔金属氮化物栅的技术研究

本文采用衬底负偏压溅射方法对比研究了ZrN薄膜及其与GaAs的肖特基势垒特性,结果表明,该法不仅能降低ZrN薄膜电阻率,而且能增高GaAs肖特基势垒高度.文中还用不同剂量的氮离子对GaAs衬底进行注入实验,可以看出,氮注入明显地改善了Ti/n-GaAs肖特基势垒特性.     

氮气氛下衬底负偏压预溅射对GaAs肖特基势垒性能的改善

本文研究了不同气氛下衬底负偏压预溅射对GaAs肖特基势垒特性的影响。我们发现,采用氮气氛下衬底负偏压预溅射新工艺能明显改善GaAs肖特基势垒特性:势垒高度增高,势垒电容减小和二极管反向击穿电压增大。这种新工艺对于GaAs肖特基势垒特性改善和GaAs MESFETs性能提高是一个非常有用的技术。     

直流磁控溅射TiN/GaAs肖特基结的电学特性研究

本文研究了经直流磁控溅射制备的TiN/GaAs肖特基结的电学特性.给出了不同退火温度下I-V,C-V测量结果及TiN/GaAs与Au/GaAs,Ti/GaAs,Al/GaAs接触特性的比较.应用AES与XPS进行肖特基结的表面和界面剖析,发现退火过程中TiN膜的氧化,N在TiN膜中的再分布及TiN-GaAs接触界面上的化学重组对肖特基结的接触特性有重要影响.     

Pt-GaAs肖特基势垒雪崩光电探测器的研究

Pt-GaAs肖特基势垒雪崩光电探测器已研制成功。器件制作在施主浓度为0.5～31015cm-3、厚度约为20m的GaAs外延层上。为防止边缘击穿,用能量为500keV、剂量为11015cm-2的质子轰击,在直径为150m的光敏区外形成高阻保护区。半透明的Pt肖特基势垒膜用特殊的蒸发法形成。器件的峰值响应波长随偏压的改变可以从8600()移动到8835(),截止波长可延伸到9700(),观察到明显的Franz-Keldysh效应。器件倍增可达100以上;暗电流仅几纳安;过剩噪声系数为7;上升、下降时间短于1ns。这种器件可与FET实现平面集成。     

氧等离子体对GaNHEMT器件的影响

研究了不同条件下氧等离子体对GaN器件表面的影响。在合适的条件下,氧等离子体可以使AlGaN表面发生氧化,形成Al2O3薄氧化膜,提高肖特基势垒,从而降低GaN器件的阈值电压,提高器件导通电流。该结果可望用于更高性能AlGaN/GaN HEMT器件制备的应用中。     

势垒层对黑硅光电探测器性能影响的研究

讨论势垒层Si3N4的引入对黑硅光电探测器光电性能的影响。探测器采用金属一半导体一金属（MSM）器件结构在黑硅层和电极间增加一层势垒层以提高肖特基势垒,从而减低器件的暗电流。实验表明,在相同的光照情况下,有势垒层的探测器暗电流比无势垒层的探测器暗电流至少低1个数量级,且势垒层厚度增加30nm其暗电流降低约1个数量级,而...     

基于101.6mm(4英寸)砷化镓晶圆的130nm光刻工艺研究

首次采用扫描式光刻机开展基于101.6mm(4英寸)砷化镓晶圆的130nm光刻工艺研究,通过研究Si片与GaAs片表面状态的差异,确认基于扫描式光刻机实现GaAs晶圆130nm光刻工艺需以GaAs片为基础调整设备状态,较好地实现了GaAs晶圆130nm光刻图形。同时尝试采用不同工艺方法(蒸发Ti金属薄膜、涂覆PMGI光刻胶以及生长SiN薄膜)处理GaAs晶圆表面,有效提高了圆片焦平面参数稳定性。进一步研究了图像倾斜参数对曝光图形形貌以及线宽均匀性的影响。     

MESFET肖特基势垒结参数提取及I-V曲线拟合

运用双指数函数模型方法分析了影响 MESFET的 Ti Pt Au-Ga As肖特基势垒结特性的各种因素及各因素间的关系 ,编制了 MESFET肖特基势垒结结参数提取和 I-V曲线拟合软件 ,实现了通过栅源正向 I-V实验数据提取反映肖特基势垒结特性的六个结参数和得到相应结参数下的理论数据 ,与实验数据吻合良好。分析了影响肖特基势垒结 I-V曲线分布的因素 ,提出了进行器件特性、参数稳定性与可靠性研究和定量分析 MESFET肖特基势垒结质量的新方法