氧化沟流场的数值模拟

利用FLUENT软件对氧化沟流场进行三维数值模拟时,采用滑移壁面模型定义转盘的转动和Realizable k-ε模型模拟湍流变化,并利用充足实测数据进行验证,数学模型能精确的模拟出氧化沟直道各断面的流速分布及流场的沿程变化,能有效地模拟出弯道流场的三维特性以及断面环流的形成和发展。     

氧化沟流场的数值模拟

利用FLUENT软件对氧化沟流场进行三维数值模拟时，采用滑移壁面模型定义转盘的转动和Realizable k—ε模型模拟湍流变化，并利用充足实测数据进行验证，数学模型能精确的模拟出氧化沟直道各断面的流速分布及流场的沿程变化，能有效地模拟出弯道流场的三维特性以及断面环流的形成和发展。     

气液两相流容积含气率的精确测量

设计了一个一种新型多圈环形管用于气液两相流参数的测量,对环形管上升段水平方向内外侧气液两相流差压波动信号进行了分析;采用无因次分析方法获得与差压波动信号均方根相关的特征量,建立了此特征量与容积含气率的关系模型,并在此基础上进行了实验.实验结果表明与在气体密度已知的情况下,可以得到差压波动信号均方根有关的特征量和容积含气率存在一定的关系,在考虑到气体密度的影响之后,引入气体密度对关系模型进行修正,建立了差压波动信号均方根和容积含气率量纲1的线性关系模型.在容积含气率小于0.65时,气液两相流的容积含气率测量误差小于5为4.46%,为气液两相流的容积含气率测量提供了一种方法.     

积累模式p沟道SOI基围栅Fin-FET驱动电流的研究

通过比较,研究了积累模式p沟道围栅Fin-FET的驱动电流。积累模式p沟道围栅Fin-FET的驱动电流比具有同样结构的反型模式p沟道Fin-FET的驱动电流大15% ~ 26%,这是因为前者存在体输运,但随着栅极偏压的增大体输运电流的比重逐渐减小。积累模式p沟道围栅Fin-FET的驱动电流比积累模式p沟道平面FET的驱动电流大50%,这起因于前者有效输运表面的展宽和体积累。其中有效输运表面展宽源于围栅结构感应的多表面输运,而体积累（即Fin截面中任何位置的多子浓度超过了掺杂浓度）源于围栅结构不同方向上电场的耦合。另外,对于积累模式p沟道围栅Fin-FET,由于不同输运方向和输运表面迁移率的差别,沟道沿<110>方向比沿<100>方向有较大的驱动电流,这在较大的栅极偏压使表面输运电流在总电流中占主导时变得更为明显。     

SiGe/Ge/SiGe异质结构中自旋极化输运特性的模拟

利用蒙特卡罗方法对SiGe/Ge/SiGe异质结构的自旋极化输运特性进行了模拟研究.在Ge沟道调制掺杂异质结构形成的二维空穴气中,空穴的自旋进动主要受Rashba自旋轨道相互作用控制.在77～300K的温度范围内,对自旋散射长度、自旋极化率等自旋极化输运特性进行了研究.模拟结果显示,低温和窄宽度沟道有利于减小散射对自旋极化输运的影响,避免自旋极化率衰减,增大自旋散射长度.栅控的漏端电流自旋相关效应使器件跨导增大,并产生负跨导效应.     

SiGe/Ge/SiGe异质结构中自旋极化输运特性的模拟

利用蒙特卡罗方法对SiGe/Ge/SiGe异质结构的自旋极化输运特性进行了模拟研究．在Ge沟道调制掺杂异质结构形成的二维空穴气中,空穴的自旋进动主要受Rashba自旋轨道相互作用控制．在77～300K的温度范围内,对自旋散射长度、自旋极化率等自旋极化输运特性进行了研究．模拟结果显示,低温和窄宽度沟道有利于减小散射对自旋极化输运的影响,避免自旋极化率衰减,增大自旋散射长度．栅控的漏端电流自旋相关效应使器件跨导增大,并产生负跨导效应．     

槽栅NMOSFET结构与性能仿真

基于流体动力学能量输运模型 ,利用二维器件模拟器 MEDICI对深亚微米槽栅 NMOSFET器件的结构参数 ,如结深、凹槽拐角及沟道长度等对器件性能的影响进行了仿真研究 ,并与相应的常规平面器件特性进行了对比 .研究表明在深亚微米范围内 ,槽栅器件能够很好地抑制短沟道效应和热载流子效应 ,但电流驱动能力较平面器件小 ,且器件性能受凹槽拐角和沟道长度的影响较显著     

基于能带计算的纳米尺度MOS器件模拟

随着器件沟道长度的不断缩小,多栅结构(包括FinFET)被普遍认为是有效改进Ion/Ioff的手段.量子力学效应对MOSFET中载流子分布和输运的影响已被认识和研究多年.在沟道截面被局限在数纳米量级时,一个更基本的固体物理问题,即能带或电子结构对材料几何尺寸的依赖性,逐渐显现出来并对器件特性产生不可忽略的影响.本文讨论如何从第一原理出发,高效率地计算沟道区的能带结构.在得到载流子的输运参数(有效质量、迁移率等)的基础上,通过直接求解带开放边界条件的薛定谔方程以得到器件的电学特性.考虑到应力对能带结构和散射机制的影响,还研究了载流子迁移率与晶向的关系.     

基于能带计算的纳米尺度MOS器件模拟

随着器件沟道长度的不断缩小,多栅结构(包括FinFET)被普遍认为是有效改进Ion/Ioff的手段.量子力学效应对MOSFET中载流子分布和输运的影响已被认识和研究多年.在沟道截面被局限在数纳米量级时,一个更基本的固体物理问题,即能带或电子结构对材料几何尺寸的依赖性,逐渐显现出来并对器件特性产生不可忽略的影响.本文讨论如何从第一原理出发,高效率地计算沟道区的能带结构.在得到载流子的输运参数(有效质量、迁移率等)的基础上,通过直接求解带开放边界条件的薛定谔方程以得到器件的电学特性.考虑到应力对能带结构和散射机制的影响,还研究了载流子迁移率与晶向的关系.     

深亚微米槽栅PMOSFET结构参数对其抗热载流子效应和短沟道抑制作用的影响

基于流体动力学能量输运模型 ,利用二维仿真软件 Medici对深亚微米槽栅 PMOS器件的结构参数 ,如凹槽拐角、负结深、沟道和衬底掺杂浓度对器件抗热载流子特性和短沟道效应抑制作用的影响进行了研究 .并从器件内部物理机理上对研究结果进行了解释 .研究发现 ,随着凹槽拐角、负结深的增大和沟道杂质浓度的提高 ,器件的抗热载流子能力增强 ,阈值电压升高 ,对短沟道效应的抑制作用增强 .而随着衬底掺杂浓度的提高 ,虽然器件的短沟道抑制能力增强 ,但抗热载流子性能降低     

业务识别与控制技术及其测试评估

在传统Intemet网络逐步向多业务网络演进的过程中,监管者、运营商以及最终用户都对网络的可管可控能力提出了差异化的要求,业务识别与控制技术应运而生.作为IP领域的一项热点技术,该技术得到了广泛的关注并取得了迅猛的发展.在考虑来自不同主体需求的基础上,介绍了业务识别与控制技术.此外,还结合技术发展以及网络部署等要求,着重分析了该技术的测试评估方法及测试内容.     

"电路原理"与"信号与系统"课程的整合与优化

科学技术迅速发展,新兴学料不断增加,知识总量不断增长,迫使本科教育不断向着基础化方向发展,基础课程教学在本科教育中的地位愈来愈高。计算机技术的广泛应用,离散信号与系统的基础知识已是电气类各专业的必要的教学内容。因此基础课程要从根本上整体优化课程结构。本文提出了电气类专业“电路原理”与“信号与系统”课程教学改革方案,将两门课程教学内容进行整合与优化,并在实际教学过程中进行了教学试验,缩短了教学时间,提高了教学质量。     

Engineering education and industrial research and development-thepromise and the reality

The author observes that the social fabric of engineering, the support infrastructure of the profession, and the political and economic systems of the world are undergoing shifts that affect what engineering is, how it is accomplished, and what it should do. He asks what these changes mean in terms of the educational system and explores a few of these issues that lie between academia and the industrial environment beyond. He discusses the engineering curriculum as seen from industry, the role of continuing education, research in academia     

箔条和箔片的性能特性及其应用和趋势

从箔条和箔片用于干扰雷达测和扰乱、迷惑、转移或者引诱进攻出发,详细论述箔条、箔条云及箔片、箔片云的雷达散射截面、带度、平移速度、下降速度及转动等情况,空间和时间我、水平和垂直极化性能、多普勒频移效应以及频谱展宽特性等,通过箔条和箔片有效成火控雷达实例,提出对抗火控雷达的三个重要因素及其采取的对策。     

Thin film deposition and microelectronic and optoelectronic devicefabrication and characterization in monocrystalline alpha and betasilicon carbide

The deposition of silicon carbide thin films and the associated technologies of impurity incorporation, etching, surface chemistry, and electrical contacts for fabrication of solid-state devices capable of operation at temperatures to 925 K are addressed. The results of several research programs in the United States, Japan and the Soviet Union, and the remaining challenges related to the development of silicon carbide for microelectronics are presented and discussed. It is concluded that the combination of α-SiC on α-SiC appears especially viable for device fabrication. In addition, considerable progress in the understanding of the surface science, ohmic and Schottky contacts, and dry etching have recently been made. The combination of these advances has allowed continual improvement in Schottky diode p-n junction, MESFET, MOSFET, HBT, and LED devices     

光交叉连接和光插分复用技术及其应用

目前所谓的全光网络一般指基于DWDM传送技术的光传送网络（OTN）。由于OTN的节点采用OADM和OXC技术,为解决目前点到点的DWDM技术在应用中不能实现灵活组网和当网络失效时不能有效进行保护的问题提供了一种解决方法,使得OTN具有传输容量大、组网灵活、网络具有可扩展性和可重构性、易于升级等特点,可透明传输具有代码格式的不同速率等级的用户数字信号,能够同时适应用户信号种类用服务种类不断增长的需求。     

日本广播电视天线及其相关技术的发展与探讨

在日本电视广播的发展过程中,电视信号技术、电视节目转播技术、发射机技术以及天线技术等发挥了不可替代的作用。这些技术在长达60多年的模拟电视广播中被大量的开发、使用,尤其是射频相关技术为日后地面数字电视广播的发展提供了重要参考。主要介绍了日本电视广播中该相关技术的发展,并进行了讨论。     

Issues and trends in RF and mixed signal integration and partitioning

Over the last 40 years in the semiconductor industry, one of the most reliable truths has been that "thepath forward is through integration." Moore's law and its various derivatives and cousins have illustrated how greater integration has provided tremendous benefits in cost, power, size, and performance. While shrinking process lithography has been a critical enabler of this trend, we should remember that tremendous innovation in device technology, circuits, system architecture, computer aided design (CAD), packaging, and many other areas have been necessary as well. The exponential integration phenomenon has not been limited to memory and microprocessors: mixed signal and radio functions have also seen striking advances in integration over the last 20 years, from cell phones to wireless LANs, integrated "systemon-a-chip" (SOC) transceivers have become prevalent in the circuits conferences, journals, and - in some applications - have even made it into commercial mainstream products.     

Payloads and overheads-data communications and kanban

The author explains how the kanban, or just-in-time, approach to manufacturing works. He then draw analogies with data communication systems and in particular asynchronous transfer mode and routing switches. These analogies are illuminating in that they show how alike the two disciplines are, and how they have arrived at similar solutions to similar problems. The author studies the differences between the two fields which could lead to communications engineers learning something from the ideas of manufacturing engineers, and vice versa