多层片式Zn0压敏电阻器的现状与发展方向

基于国内外多层片式ZnO压敏电阻器的研究及应用，介绍了多层片式ZnO压敏电阻器的结构(阵列及模块)、材料组成(ZnO—Bi2O3系、ZnO—玻璃系、ZnO—V2O5系及ZnO—Pr6O11系等)、电极材料、生产工艺(流延和电镀)等现状，并就多层片式ZnO压敏电阻器的工艺和技术发展趋势提出了见解．     

多层片式ZnO压敏电阻器的现状与发展方向

基于国内外多层片式ZnO压敏电阻器的研究及应用,介绍了多层片式ZnO压敏电阻器的结构(阵列及模块)、材料组成(ZnO-Bi2O3系、ZnO-玻璃系、ZnO-V2O5系及ZnO-Pr6O11系等)、电极材料、生产工艺(流延和电镀)等现状,并就多层片式ZnO压敏电阻器的工艺和技术发展趋势提出了见解。     

Nb_2O_5掺杂量对ZnO压敏电阻器性能的影响

通过掺杂微量Nb2O5制备了ZnO压敏电阻器,运用扫描电子显微镜(SEM)和电性能测试手段分析了Nb2O5掺杂对ZnO压敏电阻器微观结构和电性能的影响,测量了晶界势垒高度φH,并探讨了其对ZnO压敏电阻器性能的影响。结果表明:掺杂适量的Nb2O5可以明显改善ZnO压敏电阻器的微观结构和电性能;当Nb2O5的掺杂量为摩尔分数0.10%时,所制ZnO压敏电阻器的晶粒尺寸最大,且压敏电压V1mA、非线性系数α和φH值分别为174V,30和0.463 eV。     

水性粘合剂对Ni-MLCC流延成型的影响

以聚丙烯酸酯乳液为粘合剂,采用水基流延成型制备了镍电极多层陶瓷电容器(Ni-MLCC)。利用扫描电子显微镜对膜片表面形貌进行了分析,研究了该水性粘合剂对Ni-MLCC陶瓷浆料黏度、膜片拉伸强度以及所制电容器的电性能的影响。结果表明:粘合剂的用量以质量分数10%为最佳,流延成型所得膜片表面光滑,无缺陷,瓷粉分散均匀,所制备电容器的各项电性能符合EIA-Y5V规范。     

多层片式ZnO压敏电阻器的现状与发展方向

介绍多层片式znO压敏电阻器的材料组成、电板材料、生产工艺及电性能，并与圆片引线型压教电阻器进行了比较。多层片式znO压教电阻器具有许多优点，如体积小、通流容量大，响应速度快，表面安装性好和实现低压化等，流延和电镀是多层片式压敏电阻器生产中比较重要的工艺。最后指出多层片式压敏电阻器的方向。     

乳胶体系流延片叠层制备ZnO压敏陶瓷材料研究

以水性乳胶作为粘结剂,利用水基流延工艺成功制备出强度高、韧性好、结构均匀、可在室温下叠层的ZnO生带材料;借用乳胶粘结剂对压力敏感的胶粘特性,室温下叠层制备了多层片式ZnO压敏材料坯体,烧结后该坯体的相对密度最大可到达99.58%,压敏场强随着烧结温度的升高而下降,漏电流最小为0.3μA,明显优于干压工艺制备的ZnO材料的烧结性能和压敏性能.     

多层片式压敏电阻器的最新发展动向

介绍了多层片式压敏电阻器的现状,分析了当前工艺中存在的问题(内电极与瓷体材料的反应和端电极的爬镀)和解决的办法,指出了其最新的发展动向。在工艺技术和应用上,多层片式压敏电阻器向小型化、阵列化、模块化及低电容等方向发展;同时还要从环境保护和生产成本角度来考虑,采取水基流延制备工艺和采用新配方或纳米材料来降低压敏陶瓷烧结温度。     

ZnO压敏电阻器性能的改进

采用溶胶一凝胶(Sol-Gel)法制备了ZnO压敏电阻器的复合纳米添加剂.用该添加剂与ZnO、Sb2O3混合球磨后按传统工艺制备出氧化锌压敏电阻器,对其电性能进行了测试,并对其结果进行了分析.实验结果表明,用Sol-Gel法制备的复合纳米添加剂制成的元件具有粉体掺杂均匀,晶粒粒径小且分布均匀的特点,其电性能也较固相合成工艺有了很大提高.     

低温烧结非线性Zn-Bi/Sn系压敏瓷料的研究

为了在较低烧成温度条件下制备电性能优异的压敏电阻器,通过制备Bi2O3/SnO2合成粉的方法在870~950℃的温度范围内研制出压敏场强为210~260 V/mm,漏电流小于1 mA,非线性系数大于40的压敏电阻器。本文系统研究了Bi2O3/SnO2合成粉含量及不同烧结温度对ZnO压敏电阻材料结构和电性能的影响。用高分辨率扫描电镜对瓷体结构进行了分析;依据液相烧结理论和双肖特基模型对实验结果进行了讨论。     

共沉淀法制备ZnO压敏电阻复合添加剂

利用化学共沉淀法制备zn0压敏电阻器复合添加剂,讨论了新方法对ZnO压敏电阻器电学性能的影响.实验结果证明,合理的共沉淀配方.可以显著提高ZnO压敏电阻器的8/20μs通流能力以及2ms能量耐量值,并且对小电流性能也有部分提高.     

ZnO压敏陶瓷的PVA系水基流延成型工艺及其性能

采用聚乙烯醇(PVA)系水基流延成型工艺制备了ZnO压敏陶瓷的水基流延膜。用粒度分析、粘度测量和动态机械热分析等方法研究了各组分对水基流延浆料性能的影响,用扫描电子显微镜和X射线衍射仪研究了水基流延膜的微观结构和物相组成。结果表明:在浆料质量比(陶瓷粉体:去离子水:分散剂:粘结剂:增塑剂:表面活性剂)=100:84.6:1:6:5.4:3时,所制水基流延膜无缺陷且微观结构均匀;另外,该流延膜经900℃烧结后具有良好的电性能:电压梯度E1mA=112.4 V/mm,非线性系数=34.6,漏电流密度JL=0.5×10–6A/cm2。     

叠烧对ZnO压敏电阻中Bi_2O_3挥发的控制

采用高能球磨法制备ZnO压敏电阻混合粉体。用XRD、SEM对其形貌和微观结构进行了表征。研究了叠烧烧结时,不同位置ZnO压敏电阻中Bi2O3的挥发情况及对其电性能的影响。结果表明:中心位置处ZnO压敏电阻的非线性系数为31,较表层提高100%;其漏电流为6.0μA,电位梯度为345V/mm。Bi2O3的挥发,呈现从中心到表层逐步加剧的趋势。     

层状结构低压ZnO压敏陶瓷的制备及性能研究

Double-layered, low-voltage ZnO varistors have been fabricated by feeding two kinds of ZnO powders into a die using dry extrusion molding. Compared with ZnO varistors fabricated by the conventional route, the layered ZnO varistors have larger non-linear coefficients, lower breakdown electric fields, and lower leakage current densities. The improvement in electrical performance of the layered low-voltage ZnO varistors is attributed to the asymmetric band structure at grain boundary between the two layers.     

直流微电机用环形低压压敏电阻器的性能比较

测量了目前直流微电机消噪用 Zn O和 Sr Ti O3两类环形压敏电阻器的特性参数 ,分析了它们的介电 -频率和介电 -温度特性 ,并与所研制的用籽晶法制备的 Zn O压敏电阻的性能相比较。比较测量结果说明 ,采用籽晶法制备的 Zn O压敏电阻器 ,具有易于低压化且压敏特性良好的优点。尽管 Zn O的电容量不及 Sr Ti O3,但由于Zn O压敏电阻的制备属常规工艺且成本低廉 ,在要求价格低的直流微电机应用领域 ,只要提高 Zn O环形压敏电阻器的压敏特性 ,它仍具有较高的实用价值     

Preparation and characterization of layered low-voltage ZnO varistors

Double-layered, low-voltage ZnO varistors have been fabricated by feeding two kinds of ZnO powders into a die using dry extrusion molding. Compared with ZnO varistors fabricated by the conventional route, the layered ZnO varistors have larger non-linear coefficients, lower breakdown electric fields, and lower leakage current densities. The improvement in electrical performance of the layered low-voltage ZnO varistors is attributed to the asymmetric band structure at grain boundary between the two layers.     

环形压敏电阻器的导电模型

通过表面涂敷Ｉｎ－Ｇａ合金测量压敏电压和试样电阻率等实验手段,研究了ＺｎＯ和ＳｒＴｉＯ３两种环形压敏电阻器的导电行为,得到了二者的导电模型。分析了导电模型不同的原因,并给出简单的鉴别方法。