提高ZnO压敏电阻器电性能的研究

采用sol-gel法制备了复合纳米添加剂。将其与ZnO,Sb2O3混合,球磨后按传统工艺制备了ZnO压敏电阻器。通过粒度测试,分析了复合纳米添加剂的粒径大小;借SEM分析了电阻器的微观形貌,并测试了电阻器的电性能。结果表明:添加剂的粒径集中在100nm以下,用该添加剂制成的电阻器微观结构更均匀,其8/20μs通流能力达2500A,2ms方波能量耐受能力达46J。     

电子阻挡层对UV LED芯片老化后反向漏电的影响

着重对紫外(UV)LED芯片的反向漏电进行研究,使用高Al组分的AlGaN材料作为LED外延结构中的电子阻挡层(EBL),旨在解决UV LED芯片在老化后的漏电问题。结果表明,高Al组分的AlGaN EBL凭借其足够高的势垒高度,可以有效降低电子泄漏水平,从而改善UV LED芯片在老化后的反向漏电问题。选取365~415 nm波段、量子阱禁带宽度为3.0~3.4 eV的外延片为研究对象,研究了EBL工艺对老化后芯片漏电性能的影响,得到AlGaN EBL的最佳Al组分为30%~40%,对应禁带宽度为4.0~4.3 eV。使用该方法制作的UV LED芯片在经过长时间老化后,其漏电流可以保持在1 nA以下,综合性能大幅提升。     

液相法制备ZnO压敏电阻的研究

利用化学共沉淀法和Sol-Gel法制备,ZnO压敏电阻器的部分添加剂粉料,经过成份验证后与其他添加剂和ZnO主料混合制备压敏元件.元件在烧结后,经过热处理和电老练,其性能较传统的固相球磨制备元件提高很多.液相法制备压敏元件,元件内部晶粒大小分布均匀、气孔率低,而经过电老练,气孔再一次减少,因此得到了高性能的ZnO压敏元件.     

共沉淀法制备ZnO压敏电阻复合添加剂

利用化学共沉淀法制备zn0压敏电阻器复合添加剂,讨论了新方法对ZnO压敏电阻器电学性能的影响.实验结果证明,合理的共沉淀配方.可以显著提高ZnO压敏电阻器的8/20μs通流能力以及2ms能量耐量值,并且对小电流性能也有部分提高.     

p-AlGaN/GaN超晶格做p型层350 nm紫外AlGaN基LED

使用p-AlGaN/p-GaN SPSLs作为LED的p型层,在蓝宝石衬底上生长出发光波长为350 nm的AlGaN基紫外LED。[JP+1]由于AlGaN/GaN超晶格的极化效应,使得Mg受主的电离能降低,大幅提高了器件的光学和电学性能。在工作电流为350 mA下发光亮度达到了22.66 mW,相应的工作电压为3.75 V,LEDs的光功率满足了实际应用需求。