2023年半导体科学与信息器件学科项目受理与资助情况

为便于广大科研人员了解国家自然科学基金“半导体科学与信息器件”学科方向项目的申请、受理和资助情况,本文对2023年度的本学科项目情况进行了统计分析.首先简要介绍了2023年国家自然科学基金委员会的重要改革举措;其次,总结分析了本年度“半导体科学与信息器件”学科（F04）面上项目、青年科学基金项目、地区科学基金项目和重点项目、优秀青年科学基金项目、国家杰出青年科学基金项目的申请与资助情况,并重点梳理了该领域面上项目、青年科学基金项目、地区科学基金项目申请与资助的依托单位分布情况,以及申请项目的四类科学问题属性;最后对“半导体科学与信息器件”领域优先发展方向进行了展望.     

基金迎来变革,抓住转型机遇—国家自然科学基金2010年半导体科学领域申请项目概况分析

2011年度基金资助形式将有较大变化,面上项目资助期限将改为四年,平均资助强度将达到60多万元,重点项目资助期限改为五年,资助强度达300万元,敬请各位申请人认真阅读基金项目指南,或咨询单位科研管理部门,以了解详细情况。2010年度半导体科学领域申请项目数维持了稳步增长的势头,半导体晶体与薄膜材料、集成电路设计与测试、半导体光电子器件申请项目数仍然比较集中,近两年来一直处于半导体学科前列。半导体光电子器件、半导体电子器件和新型信息器件申请项目数比2009年度有明显增长,而半导体物理申请项目数稍有下降。由于我们倡导大家关注器件制备和基础工艺中的关键科学问题,2010年针对这方面的研究有所提升,今后若干年内我们仍将引导大家加强这方面的研究,在评审过程和资助结果中也必将会有所体现。本文简述了2010年半导体科学领域基金申请与资助概况,分析近期动态及学科对策,并附2010年半导体科学领域资助的项目清单,供有关科技工作者参考。     

基金迎来变革，抓住转型机遇 — 国家自然科学基金2010 年半导体科学领域申请项目概况分析

2011年度基金资助形式将有较大变化,面上项目资助期限将改为四年,平均资助强度将达到60多万元,重点项目资助期限改为五年,资助强度达300万元,敬请各位申请人认真阅读基金项目指南,或咨询单位科研管理部门,以了解详细情况。2010年度半导体科学领域申请项目数维持了稳步增长的势头,半导体晶体与薄膜材料、集成电路设计与测试、半导体光电子器件申请项目数仍然比较集中,近两年来一直处于半导体学科前列。半导体光电子器件、半导体电子器件和新型信息器件申请项目数比2009年度有明显增长,而半导体物理申请项目数稍有下降。由于我们倡导大家关注器件制备和基础工艺中的关键科学问题,2010年针对这方面的研究有所提升,今后若干年内我们仍将引导大家加强这方面的研究,在评审过程和资助结果中也必将会有所体现。本文简述了2010年半导体科学领域基金申请与资助概况,分析近期动态及学科对策,并附2010年半导体科学领域资助的项目清单,供有关科技工作者参考。     

加强调控力度,促进学科均衡发展--国家自然科学基金2003年半导体科学领域申请项目概况分析

半导体科学经过几十年的迅猛发展,在基础研究和应用研究方面都取得了丰硕的成果.近年来在相关的基金申请项目中,涉及与其他学科相互交叉渗透的项目逐年增多,有关新材料、新器件的探索层出不穷.但各学科分支的发展极不平衡,今后几年将会逐步加强调控力度,促进学科均衡发展.文中简述了2003年半导体领域基金申请与资助概况,分析近期动态及学科对策,并附2003年半导体学科领域资助的面上项目清单,供有关科技工作者参考.     

加强调控力度,促进学科均衡发展——国家自然科学基金2003年半导体科学领域申请项目概况分析

半导体科学经过几十年的迅猛发展,在基础研究和应用研究方面都取得了丰硕的成果.近年来在相关的基金申请项目中,涉及与其他学科相互交叉渗透的项目逐年增多,有关新材料、新器件的探索层出不穷.但各学科分支的发展极不平衡,今后几年将会逐步加强调控力度,促进学科均衡发展.文中简述了2 0 0 3年半导体领域基金申请与资助概况,分析近期动态及学科对策,并附2 0 0 3年半导体学科领域资助的面上项目清单,供有关科技工作者参考.     

我国半导体科学领域基础研究迈入新阶段--国家自然科学基金半导体学科2004年申请概况分析

2004年国家自然科学基金委员会半导体学科受理的面上项目申请数终于有了突破,文中介绍了2004年半导体学科基金申请与资助概况,分析半导体学科受理申请的近期动态,介绍学科拟采取的对策,并附2004年半导体学科批准资助的面上项目及重点项目,供广大科研人员参考.     

练好基本功，加强高性能器件研究 — 国家自然科学基金2009 年半导体科学领域申请项目概况分析

2009年度半导体科学领域申请项目数维持了稳步增长的势头,但各学科分支的发展仍不平衡。虽然经过近几年的迅猛发展,半导体学科在基础研究和应用研究方面都取得了丰硕的成果,与其他学科相互交叉渗透的项目逐年增多,有关新材料、新器件的探索层出不穷,但在很多关键科学问题和基础工艺方面的进展尚很不尽如人意,制约了学科的进一步发展,也导致许多成果难以转化为可实用化的技术,形成生产力。这需要引起广大科研人员的注意,如何在申请和评审基金过程中很好地把握这一点,需要我们今后几年不断地思索和探究。本文将简述2009年半导体领域基金申请与资助概况,分析近期动态及学科对策,并附2009年半导体学科领域资助的项目清单,供有关科技工作者参考。     

国家自然科学基金2005年半导体科学学科申请概况分析

2005年国家自然科学基金委员会半导体学科受理的面上项目申请数继续大幅度上升,本文简介2005年半导体学科基金申请与资助概况,分析半导体学科受理申请的近期动态,介绍学科拟采取的对策,并附2005年半导体学科批准资助的面上项目及重点项目,供广大科研人员参考.     

"半导体科学与信息器件"领域2021年度国家自然科学基金项目申请与资助工作综述

为国内科技工作者了解国家自然科学基金2021年度“半导体科学与信息器件”领域基础研究队伍、主要研究方向及项目立项资助等情况,对本年度F04申请代码下的面上项目、青年科学基金项目、地区科学基金项目、重点项目、优秀青年科学基金项目和国家杰出青年科学基金项目等项目类型进行了统计与分析,给出了自然科学基金各类项目申请中涉及面最广的面上项目和青年科学基金项目申请与资助的依托单位、申请代码分布,介绍了本领域按科学问题属性分类的评审试点和“负责任、讲信誉、计贡献”评审机制试点工作,展望了领域若干发展动向。     

我国半导体科学领域基础研究迈入新阶段——国家自然科学基金半导体学科2004年申请概况分析

2004年国家自然科学基金委员会半导体学科受理的面上项目申请数终于有了突破，文中介绍了2004年半导体学科基金申请与资助概况，分析半导体学科受理申请的近期动态，介绍学科拟采取的对策，并附2004年半导体学科批准资助的面上项目及重点项目，供广大科研人员参考．     

电磁脉冲参数对二极管击穿特性的影响分析

为研究电磁脉冲作用下p-n-n+型二极管的击穿及损伤情况,文中结合Si基p-n-n+型二极管,采用漂移—扩散理论结合热流方程,建立了二极管的二维电热模型。仿真结果表明,电压信号的上升时间和幅值对二极管是否击穿有直接影响,上升时间越短、初始偏压越高,则二极管越容易击穿。损伤及烧毁阈值随电压幅度的增加而升高,随上升时间的增加而降低。     

基于PSASP程序的励磁系统PID控制的仿真与验证

励磁系统的PID参数对发电机组和电网稳定的可靠性和动态品质具有重要的作用。检验励磁系统PID参数准确性的方法主要是进行发电机空载阶跃响应试验。本文采用中国电力科学研究院研制的电力系统综合仿真程序PSASP对沧东电厂4号机励磁系统进行了5%机端电压阶跃仿真试验,然后根据仿真结果进行了现场试验,结果表明仿真结果对现场试验具有重要的指导意义,不仅节省了现场调试的时间,而且进一步提高了现场试验的安全性。     

On the Complexity of the Verification of the Costas Property

In this paper, we show that in order to ascertain whether a permutation has the Costas property, only a restricted subset among the totality of pairs of entries in the same row of the difference triangle needs to be checked, and we explicitly describe such a subset. This represents a further refinement on the definition of a Costas permutation. This observation can be used to speed up algorithms that exhaustively search for Costas permutations. Asymptotically, the savings approaches 43% for large orders when compared with the previous standard efficient method.     

灰色预测模型背景值赋值不合理性的证明及改进

文章根据灰色预测模型的建模机理,针对灰色预测模型中背景值的赋值过程,结合拉格朗日中值定理从数学上证明了灰色预测模型中背景值的赋值是不合理的。针对其不合理性,提出了一种模型改进的方法。并以重庆市农村用电量进行了实证分析,验证了模型改进的效果。     

池河节制闸门扇形浮体门门铰剪力计算

池河节制闸门采用扇形浮体门,门体由扇形框架和上下游面板组成;上游圆弧面板的圆心处用铰链固定在门室的后墙上,整个门体绕铰轴旋转升降;本次就浮体闸门的门铰剪力计算供大家参考。     

ECM的相位受振膜材料影响的讨论

着重讨论了驻极体电容传声器(ECM)的相位受振膜材料影响的问题,即振膜的基材在生产中,受生产过程影响而对振膜产生影响的分析,以及各种因素形成的应力对驻极体电容传声器(ECM)相位影响的分析.     

汽车发动机流水线控制系统的设计

根据汽车发动机装配流水线的要求,采用西门子S7-300系列PLC以及PROFIBUS-DP总线设计了汽车发动机装配线控制系统。在控制系统软件STEP7的编程环境下,通过在装配现场的调试,完成了设备层中变频器、拧紧枪的数据采集、通讯、控制等要求。实验结果表明,该控制系统稳定可靠。     

表面态对GaN HEMT电流崩塌效应影响的研究

针对GaN HEMT电流崩塌物理效应,测试了各种条件下器件I-V特性。发现在栅脉冲条件下器件最大漏输出电流减小了23.8%,且随着栅脉冲宽度减小或周期增大而下降,并且获得了其输出电流与脉冲宽度W和周期T的定量关系;在漏脉冲测试条件下,器件输出电流有所增大,并随着脉冲宽度减小而缓慢增大。实验结果,可用器件栅漏之间表面态充放电的原理来解释所观察到的测试现象和电流崩塌物理。     

物联网网关与传感器终端通信适配相关技术分析

物联网网关作为物联网体系架构中连接传感器网络和电信网的重要网元,其与传感器终端的通信适配是物联网研究的一个重要方向。文章对多种适配方式进行了分析,并基于上述分析列举了典型应用示例。最后对物联网网关通信适配技术的发展及其在行业中的应用给出了相应建议。     

Study on the validity of the formalism of norton to describe the propagation of electromagnetic waves on the surface of the body

In this paper, we focus on the study of electromagnetic waves that allow the communication between two antennas located on the surface of the human body. The link between the antennas leads to the appearance of space wave, whose level increases with height above the skin, and a surface wave which, on the contrary, decreases with the altitude. We use the wave propagation model of Norton with the notion of Somerfield’s attenuation. We give the limits of validity of this formalism in the area containing mainly surface waves. To generate this type of waves, the excitation sources used are small elementary electric dipoles with normal polarization.