超高速半导体激光器组件调制带宽的研讨

本文叙述了影响超高速半导体激光器组件调制带宽的各种因素:激光器芯片的驰豫振荡频率;芯片及组件的寄生参量以及激光器匹配驱动电路的频率特性。文中还讨论了超高速半导体激光器组件的最佳设计。最后,讨论了进一步提高组件调制带宽的可能性。     

一款用于LED驱动芯片的CMOS振荡器

研究一款适用于LED驱动芯片的CMOS振荡器电路.其工作原理是在环路振荡器中加入恒定电流源,以恒定电流对电容充电、MOS管对电容快速放电以产生锯齿波再经锁存器产生周期脉冲信号.与传统的环路振荡器相比,此电路的优点是振荡频率精确、波形稳定,振荡频率在一定的电源电压范围内对电源电压变化不敏感.此振荡器电路已经成功应用于一款LED驱动芯片中.     

一种新型LD驱动电源的设计

本文详细介绍了半导体激光器驱动电源的工作原理,分别对基于晶体管、场效应管和专用芯片的驱动电源进行分析,对三种驱动电源进行了比较,并设计了一种基于DC/DC转换芯片的可调式激光器驱动电源,该电源输出恒流范围为0-4A,工作性能可靠、稳定,具有较大的应用价值.     

一种应用于OLED显示驱动芯片的CMOS升压型PFM DC-DC转换器设计

由于DC-DC芯片工作模式的多样性,电源转换器的系统结构有多种不同选择。为了电源模块的安全可靠,往往需要多种保护电路模块。文中从系统的角度,阐述了适合于OLED显示驱动电路的PFM工作模式的升压DC-DC电源转换器的原理。在此基础上,设计了一种应用于OLED驱动电路芯片的升压DC-DC电路。当输入电压为2.4～4.2V时,输出电压可以达到15V,负载电流最大可以达到50mA,纹波电压小于200mV。这个设计可以与OLED驱动芯片集成在一起,实现OLED驱动芯片和电源管理芯片的集成。     

TFT-LCD驱动芯片内置电源电路IP核设计

为了进一步提高TFT-LCD驱动芯片内置电源电路设计的合理性,为薄膜晶体管液晶显示器提供更加优质的电路服务,文章通过对TFT-LCD电源电路模块的功能和结构进行分析,在结合其驱动电压要求的基础上,对其内置电源电路IP核展开了详细的设计和分析。研究结果表明,文章所设计的TFT-LCD驱动芯片内置电源电路的IP核,具有显示时间快和工作稳定等特点,能够较好地对内置电源电路进行驱动。     

新型自振荡电源转换器VK05CFL

1.技术概述 VK05CFL是一种用于驱动微型荧光灯的自振荡转换器,采用意法半导体的VIPower M3-3专利技术制造而成,允许在同一芯片上集成控制部分和电源级。电源级是一个“发射器开关”,其构成是在级联配置内放置一个双极高压复合晶体管和一个低压MOSFET,因此,在高击穿电     

斜坡补偿电路在峰值电流控制模式中的应用

介绍了电源驱动电路在峰值电流控制模式下的工作原理,分析了占空比D>50%时驱动电路产生振荡和不稳定的原因,从理论上论述了电感电流的斜率,占空比与系统稳定性之间的关系,运用斜坡补偿的方法实现电源驱动电路在峰值电流控制模式下的稳定,给出了斜坡补偿的基本原理,设计步骤以及补偿电路,最后给出以UC3842为控制芯片的反激式变化器斜坡补偿电路设计实例。仿真与实验结果表明,斜坡补偿电路能够实现峰值电流控制开关电源在占空比D>50%时稳定工作,保证了系统的稳定性和抗干扰能力。     

小功率高稳定半导体激光电源

半导体激光器是目前应用最为广泛的光学器件之一,其运行质量与驱动电源的性能密切相关。结合相关研究设计了一种小功率高稳定半导体驱动电源,该电源以恒流源驱动芯片HY6340为核心,结合半导体致冷器、温度控制芯片、数字温度传感器、过流过压保护电路对半导体激光器进行可设定温度的恒温控制。分析了主电路和控制电路的工作原理,给出了测试结果,与传统电路相比,电源具有结构简单、性能优异、使用元件少、价格低廉等特点。     

高稳定度和宽电源电压范围晶体振荡器芯片设计

基于0.6μm CMOS混合信号工艺设计了一款高稳定度、宽电源电压范围的晶体振荡器芯片。该芯片片内集成具有优异频率响应的振荡器电容和反馈电阻,只需外接石英晶体即可提供高稳定时钟源。测试结果表明:芯片最高工作频率可达40MHz;在振荡频率12MHz、负载电容15pF、电源电压从2.7V到5.5V变化时其频率随电源电压变化率小于1×10-6;电源电压为5V时芯片消耗总电流小于4mA。     

驱动芯片BCS1608及其在超声电机中的应用

超声电机的应用场合要求其驱动电源结构简单、功耗低、集成度高,且超声电机结构形式多样,要求驱动电源配套。BCS1608是一种3路电平转换电路,可将2.5-5.5 V的电源电压转换为36 V高电平的输出驱动信号。简要介绍其主要特性、内部结构和引脚功能,重点讨论逆变部分的电路结构,其两相三桥臂的结构提供了两相和三相2种电压输出模式。给出该芯片在微型超声电机BM730-A1中的应用方案,得到很好的驱动效果。仿真及实验结果表明,该芯片构成的驱动电源可靠性高,适合驱动多种结构微型超声电机。     

高功率因数电源设计

功率因数是开关电源设计的关键指标,提高功率因数是开关电源发展中一直重视的技术问题.这里设计的高功率因数开关电源应用PFC控制方式,引进TI公司新推出的UCC28019芯片,明显提高了功率因数.该电源由AC/DC变换电路、DC/IX;变换电路、PFC控制电路、功率因数检测电路、数字设定及测量显示电路、保护电路等6部分组成.其中,AC/DC变换电路采用桥式不控整流方式,DC/DC变换电路采用Boost拓扑结构,可实现30～36 V可调输出,并利用MSP430F247单片机实现数字设定、测量显示及功率因素检测等功能.该电源的主要优点是:功能直观、稳定性好、功率因数大幅度提高.     

大功率激光二极管高亮度、高功率密度光纤耦合

将条宽为 10 0μm ,有源区厚度为 1μm的大功率激光二极管 (L D)的输出光束高效地耦合到芯径是 5 0μm的多模光纤中 ,得到了高亮度、高功率密度的光纤输出 .功率密度高达 3.6× 10 4W/cm2 ,耦合效率为 70 % . L D输出光束的发散角较大并且存在较大的像散 ,因此耦合系统中需要结构复杂、性能可靠的微透镜 .采用在一个玻璃衬底上 ,具有两个不同曲率半径的双曲面透镜实现 L D与多模光纤的耦合 .     

大功率激光二极管高亮度、高功率密度光纤耦合

将条宽为100μm,有源区厚度为1μm的大功率激光二极管(LD)的输出光束高效地耦合到芯径是50μm的多模光纤中,得到了高亮度、高功率密度的光纤输出.功率密度高达3.6×104W/cm2,耦合效率为70%.LD输出光束的发散角较大并且存在较大的像散,因此耦合系统中需要结构复杂、性能可靠的微透镜.采用在一个玻璃衬底上,具有两个不同曲率半径的双曲面透镜实现LD与多模光纤的耦合.     

高功率解决方案

为了促进广大中国音频技术爱好者对音频产品及最新技术的应用和了解，以及使音频产品能日臻完美与设计创新，美国国家半导体公司与其在中国大陆的代理商之一的棋港电子公司联合举办面向中国音频爱好者的2004年音频技术应用设计大赛。本次大赛于2004年7月1日全面启动。作为本次大赛的配合媒体，本刊将选登美国国家半导体公司在音频方面的产品技术文章，以飨读者。     

大功率高速半导体激光峰值功率测试技术研究

介绍了一种基于脉冲展宽与峰值保持原理实现高速脉冲激光峰值功率测量的方法。它可直接应用于脉冲半导体激光峰值功率测试，数字显示，具有中间环节少、测量精度高（5％）、适用功率范围大（1～200w）、脉宽范围宽（〉50ns）以及具有波形临测接口等特点，     

谈大功率功放机功放管的功率均衡

在大型扩声系统中，功放机是经常损坏的设备，而且损坏的情况大部分是末级功率放大器件的烧坏。经过对正常工作的功放机仔细观察发现，末级并联使用的同型号大功率三极管（场效应管）工作时，往往有的温度高，有的温度低。其中造成上述情况的主要原因是并联使用的大功率三极管（场效应管）在装机时由于筛选时的疏忽或长期运行造成特性参数差异，引起负荷不均匀。负荷大者，工作电流大，发热也较大，容易先坏。负荷小者，工作电流小，发热也较小。但发热大的损坏后，发热小的也不堪重负，短时间内也会烧毁。因此，延长功放机使用寿命，末级功…     

GaAs高效率高线性大功率晶体管

介绍了一种GaAs高效率高线性大功率晶体管的设计、制作和性能,包括材料结构设计、电路的CAD优化设计、功率合成技术研究等。通过管芯的结构设计、材料优化,进行了GaAs微波大栅宽芯片的研制;通过内匹配技术对HPFET(high performance FET)管芯进行阻抗匹配,实现了器件的大功率输出;通过提高栅-漏击穿电压、降低饱和压降等手段提高器件的功率和附加效率;通过严格控制栅凹槽的宽度,实现了较好的线性特性。测试结果表明,器件在5.3~5.9GHz频段内,P1dB为45W,功率附加效率ηadd为41%,实现了预期的设计目标。     

基于双匹配的高效大功率Doherty功率放大器

针对Doherty功率放大器传统设计方法的不足,提出了一种双匹配设计技术,并给出了实现方法。基于LDMOS器件,用该方法设计了一款饱和功率为55 dBm的Doherty放大器。仿真结果显示,与未采用双匹配法相比,该Doherty放大器的效率改善更好。功率附加效率在6 dB回退点比平衡式放大器改善15%,在回退约8 dB的区间上,整体效率都在40%以上。实测结果表明,该放大器增益约12 dB,在输出回退6 dB的区间上,功率附加效率改善10%。     

高占空比大功率激光器阵列

设计并研制了1cm长折射率渐变分别限制单量子阱(GRIN—SCH—SQW)单条激光器阵列。占空比为20％，在70A工作电流下，输出功率达到61．8W，阈值电流密度为220A／cm^2，斜率效率为1．1W／A，激射波长为808．2nm。     

新型高功率单片高压开关TOP-GX系列稳压电源的研究

第三代单片高压开关TOP－GX系列比第二代单片高压开关TOP系列有了较大改进，它不仅使输出功率扩展到了250W，而且还增加了很多内置以及用户可配置的功能，从而使应用开发人员可灵活地最低的系统成本完成优化的电源设计。文中介绍了POWER INTEGRTION公司生产的TOP－GX系列开关的特点、功能和注意事项，并对其设计中应注意的问题和步骤作了详细描述。