GaAs MMIC抗静电能力研究

用人体静电放电模拟器对以ＧａＡｓ ＭＥＳＦＥＴ为主要有源器件的ＭＭＩＣ的静电敏感度进行研究,叙述了在ＭＭＩＣ设计、工艺制作等环节防静电和提高ＭＭＩＣ抗静电能力的措施,采用这些措施后,低噪声ＭＭＩＣ静电损伤阈值达到５００～８００ Ｖ。     

集成电路封装线系统性静电防护

文中分析了静电产生的原因、电路静电损伤机理及失效机制。制定了集成电路封装线系统性静电防护措施。其涉及到封装厂房环境静电防护、封装生产设备静电防护、工艺操作静电防护、电路包装和运输过程中的静电防护以及静电防护检测等多个环节。对这些环节的全面控制有利于消除静电对集成电路的损伤。     

MOS集成电路电过应力损伤模式和机理分析

电过应力是造成ＭＯＳ集成电路损伤的主要原因，本文结合静电放电的三种模型，详细分析了ＭＯＳ集成电路电过应力的损伤模式和机理。     

MOS集成电路生产过程中防静电的讨论

本文介绍了ＭＯＳ集成电路的静电击穿机理，提出了在ＭＯＳ集成电路生产过程中的一些防静电措施。     

接口电路LN4993失效机理分析

通过对接口电路ＬＮ４９９３几次现场失效及厂家筛选中失效电路的分析，并做了ＥＳＤ试验模拟试验，总结出ＬＮ４９９３几种失效模式，探讨其失效机理，发现这种ＭＮＯＳ电路ＥＳＤ损伤阈值为１５００Ｖ，电路失效多数是过电应力或静电损伤造成。     

中兴ZXG10—BTS的静电防护设计

对中兴ＺＸＧ１０－ＢＴＳ的静电防护措施进行了系统介绍。     

CMOS器件抗静电措施的研究

由于CMOS器件静电损伤90%是延迟失效,对整机应用的可靠性影响太大,因而有必要对CMOS器件进行抗静电措施。本文描述了CMOS器件受静电损伤的机理,从而对设计人员提出了几种在线路设计中如何抗静电,以保护CMOS器件不受损伤。     

陶瓷封装过程中的静电防护

半导体器件制造过程中的静电防护是十分重要的。文章从静电放电的模式出发,结合封装制造过程实际情况,列举了静电防护的各种措施。从材料、设备、设施等各方面提供有效的静电防护和安全的静电放电通道。随着半导体器件的高密度化以及为满足更多静电敏感器件的需要,传统的静电防护措施能力已经远远不够,还须对更多静电防护的细节进行改进提升。同时结合生产过程中的静电失效情况,在分析过程中找出失效源,进而在设备、材料上进一步提升整个静电防护系统的能力,为有效降低器件所受的静电损伤提供有力的保障。     

半导体器件生产中的静电与防护

绝大多数半导体器件都是静电敏感器件,而在生产过程中静电又是无处不在的,生产厂必须对静电防护措施给予充分的重视.生产厂应通过对器件采用防静电设计,并在生产过程中对静电采用泄漏、屏蔽和中和等控制原理,采取静电接地、穿戴防静电工作服、使用防静电台面、地面、工具及周转箱、防静电包装袋等措施,建立一个完整的静电防护体系.生产厂还应建立防静电系统的周期测试和监控制度,保证防静电设施起到有效的防护作用,避免和减少器件在生产过程中的静电损伤,交付用户高质量高可靠的产品.     

微波功率GaAs MESFET的可靠性

本文介绍了功率ＧａＡｓ ＭＥＳＦＥＴ的必要失效模式和失效机理，主要失效模式有突然烧毁致命失效，缓慢退化失效，击穿低漏电大失效，内外引线和热集中失效，器件性能的不稳定和可逆漂移，主要失效机理有结构设计不合理，材料和工艺缺陷，栅结，欧姆接触和材料退化。静电损伤等，提出了改进功率ＧａＡｓ ＭＥＳＦＥＴＳ可靠性的主要措施：全面质量管理，运用可靠性增长管理技术，合理的设计方案，先进的设备和工艺，优质的材料和     

静电损伤及其防护措施

本文提出了轻微静电损伤和严重静电损伤的概念,简述了静电放电模型,指出了提高器件抗静电放电能力的对策。     

电子封装净化间的静电防护及监控

随着电子产品集成度越来越高,器件对静电也越来越敏感,容易受静电放电导致损伤或损坏。文章介绍了静电的产生机理,阐述在生产制造过程中静电产生的来源以及危害。介绍了净化间内部抑制静电产生的三大措施:防止静电荷积聚,建立安全的静电泄放通路,以及采取静电监控设备进行静电监控。提出采用镀锡铜排环绕厂房内部的形式来消除静电防护死角,并重点描述了防静电门禁系统和静电在线监控系统的工作原理及功能实现,结合电子封装厂房结构特点,首次提出防静电门禁系统与风淋门联动控制,有效控制封装厂房的静电来源。     

半导体器件的静电放电损坏

一、ESD现象的严重性静电放电(ESD)是大家所熟知的现象,也是导致半导体器件失效的一个重要原因,仪器、设备出了毛病,工作不正常,一般都认为器件的质量不好,很少有人考虑到是否由于静电的影响而使器件失效,究其原因主要有三个方面的问题: 第一,人体所带的静电电压都在1～2KV以上,在这之下的放电,人们感觉不到,但它可使元器件受到损伤,所以静电对元器件的损伤是在人们不知不觉的过程中发生的。第二,失效分析工作比较复杂,元器件的静电损伤难与其它原因造成的损伤相区別,只能模拟静电放电情况来重复这种损伤,从而断定损伤是由于静电引起的。     

基于失效特征的静电损伤分析研究

静电放电损伤失效分析是电子制造企业分析产品质量问题和提高产品质量可靠性的难点和关键技术之一。总结梳理生产制造过程中常见的静电源和释放通路,研究元器件静电放电损伤的敏感结构,研究静电放电损伤的失效机理及其典型形貌特征,探讨静电损伤(ESD)、过电损伤(EOS)和缺陷诱发失效的鉴别方法。最后将这些方法应用在具体的失效案例中,为企业开展静电放电失效分析工作提供一种有效的鉴别分析方法。     

微电子器件静电损伤实验

在不同的静电放电模型下,通过实验研究了几种典型的半导体器件的静电敏感端对的静电放电情况和灵敏参数,由于外部环境、材料、结构和加工工艺不同,器件的静电损伤模式不同,其最大未损伤阈值和最小损伤阈值也不尽相同.实验结果表明,对于高频低噪声npn型硅三极管来说,反向CB结的静电敏感度要高于反向EB结的静电敏感度;ESD电流注入硅器件不同端对时,灵敏参数一般包括反向击穿电压、直流电流放大系数和反向漏电流,而极间电容和噪声系数对静电不敏感.     

静电对光纤接入网设备的危害及防护

阐述静电的成因以及静电放电对光纤接入网设备危害,介绍了光纤接入网设备用的芯片ＰＥＢ２２５４、ＰＥＢ２４６６（ＳＩＥＭＥＮＳ公司生产）,ＭＴ９０７９、ＭＨ８９７９３、Ｌ３０３７（意法－半导体公司）的静电防护原理,对光纤接入网的电气性能和传输参数经受静电放电后冲击的的变化进行了分析。建议对光纤接入网设备（包括ＯＬＴ端和ＯＮＵ端）进行系统的静电防护,对机房的工作台、椅子、地板、人体腕带进行静电接地,强调     

电子元器件静电放电模型及适用范围浅析

静电损伤在电子元器件失效中一直是一个重要的失效模式,近几十年人们对电子元器件的抗静电损伤的研究中也建立了各种模拟实际环境的静电放电模型,本文将着重介绍最基本的三种针对电子元器件的静电模型的特征及静电敏感度划分.这三种基本静电模型是:人体放电模型、带电器件放电模型、机器放电模型.     

ESD对微波组件的危害及其防护

在微波组件的生产过程中,静电放电(ESD)是导致产品失效的主要原因之一。介绍了ESD损伤的失效类型,分析了ESD对微波组件造成的危害特点,阐述了在微波组件设计和生产中静电防护的重要性,以及所采取的ESD防护管理方法和ESD防护的具体技术措施。     

国产静电模拟器的研制和使用

提高各种微电子器件的抗静电水平关系到军用电子整机的固有可靠性和应用可靠性，已到了刻不容缓的地步，我们在“七专”高可靠ＣＭＯＳ器件抗静电攻关中研制成功“静电模拟器”，基本上达到ＭＩＬ－ＳＴＤ－３０１５．３的要求，本文主要论述了静电测试的难点，静电损坏器件的情况，静电模拟器的设计要求和具体方案，继电器的抖动以及静电模拟器的实用情况等。     

SMT组装技术与ESD防护技术(待续)

分静电基础知识、ESD防护技术两部分，第一部分主要介绍静电特点、静电衰减与积累规律、人体静电的起电方式、静电损伤的失效模式；第二部分主要介绍静电防护的必要性、静电防护的目的与途径、静电防护的过程控制、静电防护系统的构成。