对提高HgCdTe小片光刻图形分辨率的讨论

在ＨｇＣｄＴｅ焦平面器件制备过程中,由于受材料尺寸的限制,使得光刻图形的分辨率大大降低。改变涂胶条件和采用投影式曝光方式,可改善ＨｇＣｄＴｅ小片光刻图形的分辨率。     

用于纳米器件的电子束与光学混合光刻技术

成功开发出了一种可用于纳米结构及器件制作的电子束与光学光刻的混合光刻工艺。通过两步光刻工艺,在栅结构层上采用大小图形数据分离的方法,使用光学光刻形成大尺寸栅引出电极结构,利用电子束直写形成纳米尺寸栅结构,并通过图形转移工艺解决两次光刻定义的栅结构的叠加问题。此混合光刻工艺技术可以解决纳米电子束直写光刻技术效率较低的问题,同时避免了电子束进行大面积、高密度图形曝光时产生严重邻近效应影响的问题。这项工艺技术已经应用于先进MOS器件的研发,并且成功制备出具有良好电学特性、最小栅长为26 nm的器件。     

微电子文摘

迄今,光刻技术仍是集成电路生产中的主要工艺;今后,随着采用更短波长光源和更复杂的工艺技术,接触式光刻仍将保持其领地。采用双层光刻胶筹先进技术,接触式光刻技术可加工0.25μm条宽的图形。本文研究了光偏振的影响,对采用偏振光的接触式光刻工艺进行了模拟,得出了图象质量判据与光刻系统尺寸及光偏振方向的关系。研究得出,只要优化光刻工艺参数就能提高其分辨度。参9(卞一)     

用抗粘附表面转换技术来减少光刻图形缺陷

在对接触式光刻工艺进行了详尽评价之后,我们断定出光致抗蚀剂粘附到掩模版表面上是产生图形缺陷的主要原因,并研究出了一种预防性措施——抗粘附表面转换法(SURCAS),采用此种方法可使缺陷密度减少到常规接触光刻图形缺陷密度的四分之一。这种技术为改进目前大规模集成电路的生产开辟出了新的途径,而且在不久的将来还可用于线宽小至1微米的超微细图形光刻中。     

用MoSi薄膜制作高性能VLSI光掩模

<正> 1 引言在目前的VLSI生产中,图形的复印手段仍是以紫外(UV)光刻系统为主。随着准分子步进光刻的研制成功,可使光学光刻的分辨率达到0.5μm以下,因此,VLSI的器件特征尺寸可再缩小,集成密度可进一步提高。与此同     

电子束光刻中邻近效应的Monte Carlo模拟

电子束光刻不受衍射效应的限制，具有高分辨率和能产生特征尺寸在100nm以下图形的优点。目前，国际上正在将角度限制散射的投影电子束光刻技术作为21世纪100纳米以下器件大规模生产的主流光刻技术进行重点开发。     

X射线光刻技术的现状

X射线光刻技术(XRL)是刻制130nm,100nm和70nm最小尺寸图形的可行方案之一.其它候选技术还有193nmArF准分子激光光刻、电子束投影、电子束直接写入、极紫外(EUV)及离子束投影光刻等.然而,在各种技术之中,由于XRL具有良好的临界尺寸控制及可扩展到刻制70nm以下最小尺寸图形等优点而处于领先地位.虽然XRL所需要的设备和材料业已商品化,其它     

精细加工技术与高密度器件

精细加工技术与高密度乃是大规模集成电路之两大支柱。这里所讲的精细加工技术,可分为在光刻胶上形成图形的光刻技术、光刻用胶材料及其加工技术和以光刻胶图形作掩膜对薄膜和基板进行腐蚀的技术。由于性能提高、成本降低,器件的密度和容量差不多每年翻一番。图1示出了根据莫斯特克公司调查得到的研制和生产中使用的图形尺寸和每个芯片上的元件数的情况。到1980年,研究水平将达到条宽为0.6μ,密度是1兆位;生产水平将是3μ、16K位。     

纳米压印光刻技术--下一代批量生产的光刻技术

纳米压印光刻技术已被证实是纳米尺寸大面积结构复制的最有前途的下一代技术之一。这种速度快、成本低的方法成为生物化学、μ级流化学、μ-TAS和通信器件制造以及纳米尺寸范围内广泛应用的一种日渐重要的方法,如生物医学、纳米流体学、纳米光学应用、数据存储等领域。由于标准光刻系统的波长限制、巨大的开发工作量、以及高昂的工艺和设备成本,纳米压印光刻技术可能成为主流IC产业中一种真正富有竞争性方法。对细小到亚10nm范围内的极小复制结构,纳米压印技术没有物理极限。从几种纳米压印光刻技术中选择两种前景广阔的方法——热压印光刻(HEL)和紫外压印光刻(UV-NIL)技术给予介绍。两种技术对各种各样的材料以及全部作图的衬底大批量生产提供了快速印制。重点介绍了HEL和UV-NIL两种技术的结果。全片压印尺寸达200mm直径,图形分辨力高,拓展到纳米尺寸范围。     

拓展临近效应由纳米连接制备亚20nm金属Nanogaps

描述了一种拓展电子束光刻中的临近效应来制备特征尺寸在亚20nm的金属Nanogap的方法.结合图形转移过程(如去胶等),利用临近效应灵活有效地制备了金属(如Au或者Ag等)Nanogap结构及其阵列.采用GDSII软件设计图形,以电子束光刻为手段制备Nanogap的原始纳米连接图形,然后通过去胶过程获得金属的Nanogap.另外,通过控制电子束光刻的剂量,能够把Nanogap的尺寸降低到约10nm.     

拓展临近效应由纳米连接制备亚20nm金属Nanogaps

描述了一种拓展电子束光刻中的临近效应来制备特征尺寸在亚20nm的金属Nanogap的方法. 结合图形转移过程（如去胶等）,利用临近效应灵活有效地制备了金属（如Au或者Ag等）Nanogap结构及其阵列. 采用GDSII软件设计图形,以电子束光刻为手段制备Nanogap的原始纳米连接图形,然后通过去胶过程获得金属的Nanogap. 另外,通过控制电子束光刻的剂量,能够把Nanogap的尺寸降低到约10nm.     

各种光刻技术极限性能比较

本文介绍紫外线光刻、X射线光刻及电子束光刻的分辨率、套刻精度及象场尺寸的极限,但不涉及这些光刻方法的经济性比较及其在特殊薄膜器件应用方面的适用性问题。研究得出的部分结论如下:(1)在1μm线宽时,光字投影光刻的对比度可高于电子束光刻法;(2) 当线宽大于0.1μm时,X射线光刻可给出最高的对比度和抗蚀剂纵横比值,但在小于0.1μm的尺寸下,能获着最大纵横比值的则是电子束光刻技术;(3)用电子束对大面积样品曝光时,倘若抗蚀剂层很薄,则其在50nm线宽下所达到的对比度几乎和μm线宽时之值相同;(4)归根结底,在电子束光刻中,次级电子射程对分辨率的限制,完全同X射线光刻中光电子射程对分辨率所造成的限制一样。在这两种情况下,其密集图形的最小线宽和间距均约为20nm。     

由电子束技术制造的砷化镓微波场效应晶体管

一、引言近几年来砷化镓材料和器件工艺方面的改进,实现了截止频率进入微波领域的场效应晶体管。肖特基势垒栅器件取代了扩散栅器件,因而使工作频率大大提高。为进一步提高这些器件的工作频率,必须采用栅长非常短的结构,器件要在10千兆赫以上的频率工作,则需制作亚微米的栅长。这在工艺中将产生很大的问题:由于要确定的尺寸接近紫外线辐射曝光的波长,普通的接触光刻掩模技术就不适用了。已提出新的工艺来缩小普通光刻带来的局限性,     

电子束光刻技术的原理及其在微纳加工与纳米器件制备中的应用

电子束光刻是微电子技术领域重要的光刻技术之一,它可以制备特征尺寸10nm甚至更小的图形.随着电子束曝光机越来越多地进入科研领域,它在微纳加工、纳米结构的特性研究和纳米器件的制备等方面都呈现出重要的应用价值.本文以几种常见的电子束曝光机为例,说明电子束光刻的工作原理和关键技术,并给出一些它在纳米器件和微纳加工方面的应用实例.     

微光刻与微/纳米加工技术

介绍了微电子技术的关键工艺技术——微光刻与微/纳米加工技术,回顾了中国制版光刻与微/纳米加工技术的发展历程与现状,讨论了微光刻与微/纳米加工技术面临的挑战与需要解决的关键技术问题,并介绍了光学光刻分辨率增强技术、下一代光刻技术、可制造性设计技术、纳米结构图形加工技术与纳米CMOS器件研究等问题。近年来,中国科学院微电子研究所通过光学光刻系统的分辨率增强技术(RET),实现亚波长纳米结构图形的制造,并通过应用光学光刻系统和电子束光刻系统之间的匹配与混合光刻技术及纳米结构图形加工技术成功研制了20～50nm CMOS器件和100nm HEMT器件。     

微细加工中的激光光刻技术

本文评述了在常规的光学光刻范畴中,应用远紫外波长激光光源,制作亚微米超大规模集成电路图形方面的最新进展。从进入亚微米图形制作的远紫外激光光源的应用及适用于远紫外波长的新型抗蚀剂入手,着重概述了激光的特性和受激喇曼频移技术的原理、多层抗蚀剂工艺以及利用激光照射硅片,进行无抗蚀剂蚀刻制作微细图形的可行性。采用脉冲大功率激元激光器,并结合三层抗蚀剂工艺,分别以接触式和投影式制出了间隙为0.5微米,线宽为0.13微米的抗蚀剂图形。可以肯定,对于1～0.5微米线宽的超大规模集成电路图形的制作来说,经济实惠的光学光刻不仅是有布望的,而且也是完全可以胜任的。     

光刻胶斜坡对离子注入后图形特征尺寸的影响

分析了光刻图形侧墙斜坡对离子注入后图形特征尺寸的影响.采用工艺实验测定了斜坡处不同光刻胶厚度屏蔽离子注入的效率,并通过工艺监测确定g线光刻的图形侧墙斜坡角度.定量分析了g线光刻典型的斜坡角度下图形侧墙对离子注入后图形特征尺寸的影响.该研究结果可为CCD的设计和工艺制作提供参考.     

157nm光刻技术的进展

概述了作为下一代光刻技术之一的157nmF2准分子激光光刻技术的进展及各公司157nm曝光设备的开发现状。介绍了157nm光刻中各种制约因素,如CaF2材料的双折射现象、真空环境的排气及污染控制、保护薄膜的选择、折反射光学系统的选择与设计及新型抗蚀剂的开发等问题随着时间的推进已基本得到解决。最后讨论了157nm光刻技术在45nm及以下节点器件图形曝光引入的可能性和采用浸液式157nm光刻进入32nm技术节点器件图形曝光的潜力。     

国际半导体技术发展路线图(ITRS)2012版综述(3)

正3.10光刻将光刻技术向更小尺寸发展一直都很困难,今年也不例外。半导体行业需要在2012年年底之前为22 nm半节距DRAM和16 nm半节距闪存选择一种光刻方法,但目前为止仍没有明确的选择。氟化氩(ArF)浸入光刻技术并不能在40 nm及更小的半节距尺度有多大发展,而且使用二次图形的氟化氩浸入技术也不能满足这些节距的要求。下一步的发展可能要依靠三次甚至四次曝光,EUV光刻,或者其     

超微粒干版实用分辨率的实验分析

近几年来出现了从光刻掩模的制造到光致抗蚀剂的去除整个工艺程序中用电子束制版,离子技术去胶等一系列新技术,有可能取代用乳胶干版制造掩模的工艺。但是由于设备昂贵,某些器件的特殊要求完全取代至少在目前是不可能。新技术无疑是为人们欢迎的但距离普及使用还存在困难,因而掩模制造工艺在目前和一个相当长的时间内仍然会在微电子工业中,成为一项关键工艺而发挥它应有的作用。 乳胶干版尽管在光敏组份方面作了某些调整,但基本工艺差别并不十分明显,然而,在于版质量方面例如S度分辨率等则有一定的差异。因此,直接影响到器件和电路掩模版的制作,特别是做细图形的加工。几乎所有的器件、电路的制造者都希望能得到解相力高、图形清晰、无缺陷的光刻掩模。 本所在研制微波器件中,相当多地采用圆形点阵结构,因为在制版照相中圆点要比相同尺寸条件下的线条困难得多,我们曾试图采用电子束曝光机来制备。由于目前采用逐步逼进法扫描作图,制作圆形点阵则带来困难和极大的复杂性一时是不能实现的,因此也迫使我们对乳胶干版作一些工作,当务之急的是实现2微米(相当于1微米线条)直径的圆点,分辨率能否满足?为了避免不必要的重复,我们仅提出以下几方面共同讨论。 1.光晕、光渗对分辨率的影响