NiuPt1-uSivGe1-v/Si0.72Ge0.28界面形貌的改善

针对锗硅在形成金属锗硅化物时存在部分应力释放、界面形貌特性变差的问题,提出了在Si0.72Ge0.28上分别外延薄硅(Si)覆盖层和锗硅(Si072Ge0.28)缓冲层的工艺方案.实验结果表明,通过两步快速热退火,两个方案的工艺条件都能形成低阻的NiuPt1-uSitGe1-v和改善NivPt1-uSitGe./Si0.72Ge0.28的界面形貌.但相比较而言,在Si0.72Ge0.28上外延10 nm Si覆盖层的方案能够形成更好的NiuPt1-uSivGe1-t/Si0.72Ge0.28界面形貌.与没有改进的方案相比,该方案形成的肖特基接触更具有更低的肖特基接触势垒高度,更易形成欧姆接触.     

分布式能源:天然气先行

随着国内天然气产业快速发展和装备制造水平提高,我国发展天然气分布式能源条件逐渐成熟。辨风看向国家能源局在近日召开的新闻发布会上表示,将研究制定《促进可再生能源发展的指导意见》、《关于发展     

交通灯的无线发射与车载接收系统研制

项目设计并研制了一款模拟十字路口交通灯的运行,并且将交通灯的运行情况通过无线传输到车载系统由LCD液晶显示屏显示出来。该装置操作简单,可用于对交通灯信号的接收,驾驶者据此可安全快速行驶,减少了路口的拥堵和交通事故的产生。     

接触电阻技术研究新进展

从肖特基势垒高度、有效掺杂浓度和有效质量的优化和控制等方面,对接触电阻的最新技术进行了详细的总结。首先,分析了插入界面层的金属-绝缘体-半导体接触结构、界面钝化、杂质分凝技术对于降低肖特基势垒高度的效果。其次,讨论了原位掺杂、固相外延、低温离子注入以及激光退火技术对于提高源/漏掺杂浓度的作用。然后,介绍了通过控制SiGe材料的有效质量来优化接触电阻的技术。最后,通过结合原位掺杂、激光退火和固相外延等先进技术,实现了与CMOS工艺兼容的接触电阻优化集成,满足7/5 nm技术节点的需要。     

含有端基和碳桥结构的OSG薄膜性能研究

研究了具有甲基末端和碳桥结构的多孔有机硅酸盐玻璃(OSG)薄膜的化学组成、孔结构和力学性能。对薄膜进行不同的固化处理,形成稳定的多孔薄膜结构。结果表明,在空气环境中固化时,由于氧气的存在,碳桥形成硅醇的过氧化物自由基被破坏,薄膜的机械性能降低。尽管氮气固化样品中保留了乙烯桥接基团,空气固化样品的力学性能仍优于氮气固化样品。原因是空气固化中微孔的坍塌增加了薄膜内部密度,为硅醇基团的缩合创造了更有利的条件。     

浅谈路局转型工程公司项目管理的探索

正在施工的贵广铁路GGTJ-7标段第一项目部是由齐齐哈尔铁路集团公司转型的工程公司负责施工项目现场管理,其管理理念和方法与中铁二十三局集团贵广铁路指挥部有所区别,因此为提高一项目部全面管理水平的方法进行探索.     

“O型”橡胶圈支承件动力学参数的频变特性研究

论述了化纤长丝卷绕机筒管夹头系统中"O型"橡胶圈支承件动力学参数的频变特性测试方法和原理,对"O型"橡胶圈支承件的动力学参数的频变特性进行了测试研究。根据试验所得的刚度系数-频率曲线以及阻尼系数-频率曲线变化规律,运用非线性最小二乘拟合出"O型"橡胶圈支承件的动力学参数频变特性方程,可为化纤长丝卷绕机筒管夹头支承系统的频变参数动力学分析设计提供重要支撑。     

薄壁筒形件内外齿旋挤复合成形

针对薄壁筒形件内外齿加工效率低、成本高、精度低等问题,采用筒形件作为坯料,开展了旋挤复合成形工艺研究。分析了旋挤复合成形工艺相关运动规律、材料流动特性;通过理论计算及数值模拟确定相关成形工艺参数;然后加工相关工装,成形出高精度薄壁内外齿筒形件,并对相关工艺参数及数值模拟模型进行了验证。研究结果表明,旋挤复合成形工艺可实现高精度薄壁内外齿零件的高效制造;且相关工艺参数合理可靠;建立的数值模拟模型可对成形中材料流动及回弹特性准确预测;所得成果为此类零件旋挤成形工艺的开发提供了相关依据。     

深圳前湾燃机电场平工程硐室大爆破

叙述了深圳前湾燃机电厂场平工程硐室大爆破施爆概况 ,提供了有关施爆参数 ,可供类似爆破工程参考。