论中压真空开关柜采用C—GIS

文章首先论述了真空开关柜发展的趋势及采用ＳＦ６气体绝缘的优越性。介绍世界各国开发ＳＦ６气体绝缘的真空开关柜的情况。最后提出我国今后发展ＳＦ６气体绝缘的真空开关柜具体措施的建议。     

硅橡胶材料在提升真空断路器绝缘性能中的应用

真空断路器的发展依据极柱绝缘的变化经历了空气绝缘一复合绝缘一固封绝缘三个发展阶段,形成三代真空断路器。这三个发展经历得益于真空断路器技术的进步。真空断路器技术的进步表现在大容量化、低过电压化、智能化和小型化。而这一进步又是由于真空技术、灭弧室技术的发展及采用新工艺、新材料及新操动技术的结果。但是真空断路器在使用中因绝缘问题导致的安全事故时有发生,确保真空断路器可靠运行的各种技术应运而生。究其原理及方法有多种多样;但解决绝缘问题的措施之一就是采用经济性、耐污性、绝缘性等综合指标较好的材料,硅橡胶无疑是首选。伴随新的技术挑战,硅橡胶材料必将为真空断路器的绝缘性能提升带来新的活力。     

真空断路器的固封极柱技术

真空断路器是极柱绝缘经历了空气绝缘一复合绝缘——固封绝缘。这就形成了三代真空断路器。在第一代空气断路器中，带电部分完全都裸露在空气中，它的绝缘水平随着空气中的温度、灰尘以及运输过程中的磕碰而变化，并易受小动物等影响。在第二代复合绝缘中，将灭弧室保护在环氧树脂绝缘筒内，但这种绝缘筒没有完全把高压带电部分包起来，     

新型72／84kVC—GIS用真空灭弧室的绝缘特性

本文描述了７２／８４ｋＶ新型柜式气体绝缘开关设备Ｃ－ＧＩＳ用真空灭弧室的绝缘技术。沿聊瓷内表面设计一个多腔屏蔽结构可大大提高绝缘性能,它使真空灭弧室的体积减小了４０％,配置这种真空灭弧室的Ｃ－ＧＩＳ设备的体积也减少４０％,本文讨论了表面绝缘的基本特征及多腔屏蔽结构对表面绝缘的影响以及它们在新型７２／８４ｋＶ Ｃ－ＧＩＳ设备中的应用。     

真空中均匀电场间隙发生介质击穿的概率

为了研究用真空作为绝缘介质的设备的绝缘可靠性,本文对真空间隙中击穿概率的分布进行了分析。并做了多次实验来研究试验方法、电极面积和电极材料对均匀电场间隙中击穿概率分布的影响。试验结果表明真空间隙的击穿概率分布可用一个临界参数通过维泊尔分布来阐明。而此参数表示临界击穿电压。为了能做出高可靠的真空绝缘设备,进行绝缘设计时要把刚才的位置参数这个重要因素考虑进去。位置参数与电极面积有关。这可能是由于微观隆起与微观粒子这些击穿弱点的存在概率与电极面积有关。     

真空灭弧室内部屏蔽罩间隙雷电冲击击穿特性的面积效应

随着真空灭弧室电压等级的提升，其内部屏蔽罩间隙的尺寸增加将产生击穿面积效应，这将成为制约真空灭弧室绝缘性能的关键因素之一。本文研究了真空屏蔽罩间隙在不同间距条件下雷电冲击击穿特性的面积效应，实验中采用了三种直径的典型屏蔽罩结构，直径分别为40、60和80 mm,电极材料为不锈钢。结果表明，在恒定间距条件下，随着有效面积的增加，真空屏蔽罩间隙的绝缘强度呈下降趋势，并且下降速度逐渐增大。当间距增大时，一方面任意有效面积下屏蔽罩间隙的击穿电压显著提升；另一方面，由于有效面积的增大对击穿电压的削弱作用逐渐降低。本文的研究结果不仅可以指导真空灭弧室内部屏蔽罩间隙的绝缘设计，也可以为具有不同电极结构真空间隙的绝缘评估提供理论依据。     

中压固体绝缘开关柜（SIS）

日本东芝公司最新研制出中压固体绝缘开关柜(SIS)。该柜具有三个特点：一、对真空灭弧空采用相柱固封技术；二、对真空断路器和真空隔离开关的可动件采用复合绝缘；三、作为操动机构，采用最新研制的永磁机构。     

动态信息

IBM开发出真空芯片生产技术国际商业机器公司(International Business Machines Corp.)开发了制造半导体芯片的新方法,使用这种方法不但可以减小芯片的尺寸,也能大大降低芯片的耗电量。IBM表示,这项技术利用不含空气的微小孔洞充当真空生产芯片。真空可以比用于绝缘的硅材料更好地隔离通过芯片中孔洞的导线。半导体中精密导线的绝缘问题至关重要,因为某根导线向其它导线漏电会产生错误信号。IBM称,减少漏电将节约能耗35%,而用真空替代硅可以降低导线尺寸、减小绝缘空间。IBM负责技术的高级副总裁约翰·凯利(John Kelly)说,这宣告了…     

真空灭弧室压力变化及真空寿命的判定

真空灭弧室是以真空作为绝缘和灭弧介质的。内部气体压力对灭弧室的性能起着决定性的作用，本文分析引起内部气体压力上升的气体源，简述了真空寿命的计算判定方法。     

高电压真空灭弧室陶瓷外壳的设计

高电压陶瓷外壳是真空灭弧室的重要组成部分,因此,陶瓷外壳的绝缘在设计中是必须考虑的,一只在运行中的真空灭弧室触头断开后,陶瓷外壳就会受到电源电压的影响.因此陶瓷外壳在设计时应考虑到下列三点:陶瓷外壳的长度,陶瓷外壳的爬电距离和真空灭弧室陶瓷外壳外面的绝缘介质.     

真空灭弧室的正确使用

讨论了真空灭弧室的使用环境、类别和参数选择的原则,提出了正确的安装和维护方法、使用寿命的判别依据,并推荐了使用真空灭弧室的电路保护措施.     

真空灭弧室内部电场分布的分析与仿真

真空灭弧室对于真空断路器的性能有具重要作用,为了了解真空灭弧室内部的电场分布情况,文中采用Ansoft Maxwell仿真软件搭建了真空灭弧室的电场数学模型,并利用有限元分析法进行分析,通过Ansoft Maxwell仿真软件得出的结果表明,有无屏蔽罩对真空灭弧室电场分布有着较大影响。     

生产过程中真空灭弧室零件的预除气和储存

真空灭弧室的真空度质量十分重要。本文就真空灭弧室的真空度质量与零件的预除气、储存等有关方面进行一些讨论；会对真空灭弧室的生产开发有所帮助。     

真空灭弧室的一次封排工艺

以真空灭弧室的一次封排工艺的真空度质量为主，对真空灭弧室有关的设计、工艺流程等方面进行讨论；这会对真空灭弧室的生产开发和电真空工艺有所帮助。     

避免漏气的真空灭弧室出厂的措施

简述了真空灭弧室的真空度要求，分析了漏气的真空灭弧室出厂的原因，提出了防止漏气的真空灭弧室出厂的措施。     

一种大容量低压真空开关管

从真空开关管的结构、触头材料的选用以及装配工艺等方面介绍了一种低压大容量真空开关管的设计特点和优点。     

真空灭弧室设计和制造工艺概述与发展方向

介绍了真空灭弧室的基本结构，触头设计，触头材料，高电压设计的要点和制造工艺等，指出了真空灭弧室设计正向着小型化和高电压方向发展。     

126 kV真空灭弧室的排气和老炼

介绍了126 kV真空灭弧室的排气和老炼的研究过程,并阐述了烘烤排气和老炼去气的方法以及吸气剂与钛泵的应用.     

真空灭弧室向高电压大容量发展的关键问题

讨论大开距下纵向磁场与真空电弧的相互作用，测试了高电压真空灭弧室的耐压特性，分析了长行程高速运动波纹管的运动特性，指出国内高电压大容量真空灭弧室生产工艺中的关键问题。     

浅谈Ansoft Maxwell软件在小型化真空灭弧室绝缘优化设计中的应用

利用计算机辅助设计技术已经越来越受到研究人员的重视,它可以实现快速有效的设计而且可以优化产品的结构与性能。随着真空灭弧室不断走向小型化,其内部绝缘的优化设计至关重要,本文介绍一种比较简便实用的有限元分析软件——Ansoft Maxwell,运用其强大的电场分析功能,对所设计的小型化真空灭弧室内部电场进行定性分析,进而实现对小型化真空灭弧室内部结构的优化设计,使其获得较高的绝缘水平。