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相似文献
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1.
用于薄膜电致发光(EL)器件的 SrS:CeCl_3发光层的结晶性能直接受与其邻近的底层膜的影响。在一种以强立方(111)取向 ZnS 薄膜作为底层的 EL 薄膜器件中实现了明亮的蓝色发射,在5KHz 正弦电压激发下,器件的最大亮度力100nt。根据 x 射线衍射图和发光层的光致发光光谱讨论了 EL特性。  相似文献   

2.
有机电致发光器件发展近况   总被引:1,自引:0,他引:1  
简述目前正在研制开发中的有机薄膜电致发光器件,着重介绍器件所用的分子材料,包括大分子和小分子材料以及器件的单层和多层结构形式,在光发射稳定性进一步改进之后,该类型器件将有希望应用在大面积发光显示方向。  相似文献   

3.
提出一种新型结构的表面传导电子发射导电薄膜,该导电薄膜在中间位置向内有凹陷,基于电形成过程中焦耳热引起薄膜龟裂的原理,会在凹陷附近诱导纳米级裂缝形成,控制纳米裂缝形成位置。分析了此结构导电薄膜对裂缝产生位置的影响及2种不同电形成方法对裂缝形貌的影响,测试了电子发射性能,得到了发射电流特性曲线和发光图像。实验结果表明,这种新型导电薄膜能一定程度上控制纳米裂缝的形成位置,有利于改进表面传导电子发射的均匀性,在阳极高压2.0kV、阴极板电子发射单元施加的器件电压14V时,新型结构导电薄膜实现了均匀发光,发射电流最大为18μA。  相似文献   

4.
最近开发的高亮度多色薄膜电致发光(TFEL)器件采用了各种氧化物荧光粉,并用较厚的BaTiO_3陶瓷作绝缘体。例如,在5kHz驱动下Zn_2SiO_4∶MnTFEL器件不同颜色的发光亮度如下:绿色一4020cd/m~2,黄色一70cd/m~2,红色一0.8cd/m~2,这是通过控制薄膜发射层的制备条件而获得的。增高驱动电压,黄色和红色发光还可以被转变成绿色发光。  相似文献   

5.
SED(Surface-ConductonElectron-EmitterDisplay),是表面传导型电子发射器件的简称。作为场致发射型显示器件(FieldEmissionDisplay,FED)技术之一,SED的发展历史可以追朔到1986年,当时,法国的R.Meyer利用半导体及薄膜生长的精细加工电子源技术,在试制的Si基板上加工了尖形的微小发射极阵列,生成场致发光。1996年10月,Canon发表使用MOS结构场致发光部件\超微间距薄膜平面阴极FED的论文,并于1997年5月,试作出3.1英寸样品,实现了薄膜平面阴极的FED,这就是SED的雏型。  相似文献   

6.
聂海  唐先忠  陈祝  吴丽娟 《半导体学报》2008,29(8):1575-1580
在新型空穴传输聚合物聚TPD(PTPD)中掺杂电子传输有机小分子荧光染料Rubrene制成薄膜器件.考察了影响聚合物掺杂小分子薄膜器件发光性能的因素.实验表明,通过在器件中掺杂,可以控制器件所发光的颜色.研究了PTPD掺杂Rubrene分子薄膜的电致发光光谱和光致发光光谱.由实验可知.在光致发光中存在从PTPD向Rubrene的能量传递和电荷转移,而电致发光则存在从PTPD向Rubrene的能量传递和Rubrene分子对载流子的俘获.即掺杂器件的发射机制为载流子陷阱和Forster能量转换过程的共同作用.  相似文献   

7.
在新型空穴传输聚合物聚TPD(PTPD)中掺杂电子传输有机小分子荧光染料Rubrene制成薄膜器件.考察了影响聚合物掺杂小分子薄膜器件发光性能的因素.实验表明,通过在器件中掺杂,可以控制器件所发光的颜色.研究了PTPD掺杂Rubrene分子薄膜的电致发光光谱和光致发光光谱.由实验可知.在光致发光中存在从PTPD向Rubrene的能量传递和电荷转移,而电致发光则存在从PTPD向Rubrene的能量传递和Rubrene分子对载流子的俘获.即掺杂器件的发射机制为载流子陷阱和Forster能量转换过程的共同作用.  相似文献   

8.
采用喷涂技术制备了石墨烯/PEDOT:PSS复合透明导电薄膜,并在此基础上制备了柔性黄光OLED器件。通过设计DPVBi/Rubrene/DPVBi势阱结构,可以实现电荷的有效陷获,获得稳定明亮的黄光发射。实验结果表明,适当增加发光区的厚度,可以提升器件的发光效率和稳定性,在12 V时器件的效率为0.9 cd/A。该柔性黄光OLED器件在反复弯曲测试中表现出了良好的发光稳定性,发光效率没有产生明显变化。  相似文献   

9.
薄膜EL器件     
这是有关用作显示器件的薄膜 EL 器件的发明.近来,碱土类硫硒碲化合物为基质、Ce激活发光层的薄膜 EL 器件,由于它能得到较高亮度的蓝色发光而受到重视。这种薄膜EL 器件,通常是在 SrS 和 SrSe 碱土类硫硒碲化合物(用溅射方法或真空蒸发方法形成)中,把其中一种化合物作为基质,用 Ce 激活的薄膜用来做发光层。以 SrS 或 SrSe 为基质,用 Ce 激活的发光层作为薄膜 EL 器件,能够得到 ZnS 基质发光EL 器件所不可能达到的高亮度蓝色发光。  相似文献   

10.
引言为实现高质量全色显示,使用稀土掺杂的碱土硫化物作为发光层的薄膜EL器件一直是大量研究工作的主要课题。Eu掺杂的CaS作为高亮度红色EL荧光体一直为人们所关注,它可以取代常规的ZnS:Sm红色荧光体。本文论述了使用新开发的CaS_(1-x)Se_x:Eu发光层的发射红光EL器件,这种发光  相似文献   

11.
基于ZnS/SiO2量子点的EL器件及宽谱发射   总被引:3,自引:3,他引:0  
将ZnS/SiO2量子点与PVP在甲醇溶液中充分混合作为活性层材料,通过匀胶方法制备了ITO//ZnS/SiO2∶PVP//Al结构的电致发光(EL)薄膜器件。器件的EL光谱由510~560nm波段的绿光发射和相对较弱的蓝紫光(400nm左右)发射组成,通过对发光光谱的分析发现,上述两个区域的发射均来自ZnS的缺陷能级。其中,绿色发光峰来源于较低能态的缺陷能级;而高能区域的蓝色发光则是由于高能态的缺陷能级俘获电子的几率增大,在这过程中,PVP形成的能级阶梯有效增加了高能态缺陷能级俘获电子的几率,提升了高能波段的发光效率,相应地,器件的色坐标也随之从(0.37,0.42)变化到(0.30,0.34),趋于白光发射。  相似文献   

12.
引言目前,交流薄膜电致发光器件研究工作的重点是放在多色显示上。虽然 ZnS:Mn 的薄膜电致发光屏具有长寿命、高亮度,已进入实用阶段,但发光颜色只是单一的橙黄色。为得到多色显示,人们集中研究了 ZnS 掺杂各种稀土离子、发射波长覆盖很宽的材料,但结果不会令人满意,主要是亮度太低,不应用能来制作多色薄膜电致发光器件。  相似文献   

13.
一种新结构中ZnSe薄膜电致发光特性研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
用电子束蒸发的方法制备了一种新的ITO/SiO2/ZnSe/SiO2/Al薄膜电致(TFEL)发光器件。在交流电压驱动下,其有2个发光峰,分别位于466nm和560nm。通过研究器件(PL)激发(PLE)谱、光致发光、EL发光以及EL发光强度随驱动电压和频率的变化发现,器件的发光来源于ZnSe的带边发射和自激活发光中心。器件的发光机理与一般的无机电致发光有所不同。这里,SiO2作为电子加速层,ZnSe作为发光层,电子在SiO2层中的高电场作用下被加速到很高的能量,然后直接碰撞激发ZnSe分子使其发光。这种发光现象被称为固态类阴极发光。  相似文献   

14.
刘向  委福祥  刘惠 《半导体学报》2009,30(4):044007-4
摘要: 制做了具有微腔结构的蓝色和白色有机顶发射电致发光器件。利用TBADN:3%DSAPh和Alq3:DCJTB/TBADN:TBPe/Alq3:C545材料为发光层,在玻璃基片上,依次制备薄膜:Ag为阳极反射层, CuPc作为空穴注入层,NPB作为空穴传输层,ITO为光程调节层; Al/Ag作为半透明阴极,电极的透射率在30%左右。通过改变ITO层的厚度,TBADN:3%DSAPh器件获得了深蓝色发光光谱,色坐标为(0.141, 0.049),半高宽为17nm发光光谱,实现了窄带发射,Alq3:DCJTB/TBADN:TBPe/Alq3:C545器件得到了不同颜色(红、蓝、绿)的发光光谱,实现了对光谱的调节作用。文章对微腔顶发射器件的发射强度和发光光谱半高宽的结果进行了分析。  相似文献   

15.
具有多层薄膜结构,发射鲜蓝色光的有机电致发光(EL)器件已经制成并为选择蓝色发光材料制定了二个经验性指南。要获到具有高 EL 效率的 EL 器件,关键是发射层要有优异的成膜能力以及发射极与载流子输运材料的适当组合,避免形成激态复合物。在我们的有机电致发光器件中,有一个器件在电流密度为100mA/cm~2,直流驱动电压为10V 时,蓝光发射亮度达700cd/m~2。  相似文献   

16.
利用 Zn_2SiO_4:Mn 荧光粉薄膜和BaTiO_3绝缘陶瓷片制备出高亮度绿色发光TFEL 器件。当用频率为5kHz 的正弦电压驱动时,这种器件的亮度和发光效率分别为5600Cd/m~2和0.8m/W;当驱动频率为60Hz时,亮度高于200Cd/m~2.结果证明,具有 Zn_2SiO_4的绿光发射 ICTFEL 器件的 EL特性完全可以与 ZnS:Tb,F 器件相媲美。  相似文献   

17.
发射偏振光的聚合物发光二极管最近用聚合物基器件已首次从发光二极管获得偏振光。这种发光二极管由夹在玻璃衬底两薄膜电极之间的拉伸取代聚噻吩薄膜构成(见下图)。当电流通过聚合物薄膜时,聚合物材料便发光,产生偏振光输出。本研究在O,In-ganas指导下由瑞...  相似文献   

18.
提出了一种新型基于法布里-珀罗(F-P)微腔的发光器件结构.它采用PECVD方法制备的非晶硅/二氧化硅结构作为微腔中的布拉格反射腔,非晶碳化硅薄膜作为中间光发射层,通过对一维方向光子的限制,使发光层荧光强度增强,谱线变窄.通过调节发光层和反射腔膜厚及折射率,可以精确控制发光峰位.实验结果证明该结构可望实现全硅基材料的强室温可见光发射.  相似文献   

19.
近年来,为实现全色平板显示器,人们对薄膜电致发光器件进行了积极的研究。实际应用的最大障碍是缺少蓝色发光器件。作为一种蓝色发光的 EL 器件,人们对 Tm 掺杂的 ZnS 薄膜进行了研究,但是这类器件所能达到的最大发光亮度很低(10—12cd/m~2)其次,ZnS:Tm EL 器件的发光颜色也不合  相似文献   

20.
提出了一种新型基于法布里 -珀罗 (F- P)微腔的发光器件结构 .它采用 PECVD方法制备的非晶硅 /二氧化硅结构作为微腔中的布拉格反射腔 ,非晶碳化硅薄膜作为中间光发射层 ,通过对一维方向光子的限制 ,使发光层荧光强度增强 ,谱线变窄 .通过调节发光层和反射腔膜厚及折射率 ,可以精确控制发光峰位 .实验结果证明该结构可望实现全硅基材料的强室温可见光发射 .  相似文献   

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