晶格错合(Lattice Misfit)对在GaAs衬底上用原子层外延方法生长的ZnSe晶格参数和光致发光性质的影响

研究了晶格错合对在 GaAs 衬底上用原子层外延方法生长的 ZnSe 薄膜的品格参数和光致发光性质的影响。并观察到厚度小于0.17μm 的 ZnSe 外延层受到完全的四方畸变,而厚度大于0.17μm 的外延层所受到的错合应力则有所减轻。在假定外延层受到完全四方畸变的情况下,外延层中的剩余应力为1.84×10~9dyn/em~2。薄的外延层显示出自由激子辐射和深中心辐射,而厚的外延层则显示出一个主要的与施主相联系的束缚激子辐射和一个弱的深中心辐射。     

高分辨率发光屏

引言设计高分辨率,高亮度阴极射线管(CRT)的一般方法是考虑各种参数的影响,如具体的操作条件,管尺寸,电子枪几何形状以及在所需操作条件下发光屏的特性。操作条件和管尺寸通常受所需体系的限制。在这些条件限制下,为了获得最佳性能,电子枪尺寸和发光粉的参数必须优化。电子枪设计者利用一些基本技术和方程式进行这项工作,其中包括最大电流密度限制,峰值阴极负载,束截止电压及一个点像方程。     

在GaAs衬底上用MBE和MEE方法生长的ZnSe膜的对比研究

1.引言ZnSe是一种直接觉带隙半导体,它在制备蓝色发光器件方面有潜在的应用。人们已经利用MBE和MOCVD方法生长出结构完整的ZnSe薄膜。最近的研究工作表明,可以在这种材料中实现P型转换。这种P型材料已经被用来制备p-n结,在低温下已经观察到来自该结的蓝色带边发射。本文研究了用常规分子束外延(MBE)和扩散加强外延(MEE)方法在GaAs衬底上生长的ZnSe薄膜.我们的目的是去了解这两种方法制备的薄膜的区别以及检测生长     

用SiO_2/Ta_2O_5/SiO_2做绝缘层的高性能ZnS:Mn电致发光器件

1.引言在研制双绝缘层(绝缘层/EL有源层/绝缘层)薄膜电致发光器件过程中,人们对EL有源层花费了很大精力。然而,由于绝缘层在实现高稳定性和高可靠性方面所起的重要作用使人们不得不对此也给予较多的关注.可以毫不夸张地说,合适的绝缘层可以使TFEL器件作为信息显示屏而获得实际应用。对于TFEL所用绝缘材料的实验已有许多报道。然而除SiO_2,Si_3N_4,Al_2O_3和     

薄膜电致发光器件的激发机理

在一个比较短的延迟时间内测量并比较了 ZnS:TbF_3薄膜的电致发光和光致的时间分辨光谱。可以断定:Tb 中心的激发机理包含有来自于 ZnS 基质的能量传递过程——与 Tb 相联系的中心对于激发 Tb~(3 )离子的4f~8电子组态是一个有效的能源、除了 ZnS:TbF_3薄膜以外,一个相似的激发机理也存在于 ZnS:Mn 薄膜中。并指出:在 ZnS 薄膜中,TbF_3缔合中心和 Mn 的行为同等电子中心或深电子陷阱一样。     

SrS:CeCl_3薄膜的高亮度蓝色EL

用于薄膜电致发光(EL)器件的 SrS:CeCl_3发光层的结晶性能直接受与其邻近的底层膜的影响。在一种以强立方(111)取向 ZnS 薄膜作为底层的 EL 薄膜器件中实现了明亮的蓝色发射,在5KHz 正弦电压激发下,器件的最大亮度力100nt。根据 x 射线衍射图和发光层的光致发光光谱讨论了 EL特性。     

全颜色EL显示的进展

一引言发黄光的TFEL显示器的研制成功引起了人们对多色EL显示前景的极大兴趣。本文总结了在实现这个目标过程中所取得的进展。最初发现的EL磷光体是ZnS:Mn。在TFEL器件中,这种磷光体的效率已成为测量其他各种颜色磷光体效率的标准。在通常的具有60Hz快速率的矩阵寻址TFEL显示应用     

Comparison of Electron Acceleration Ability of SiO_2 and ZnS fromZnS∶Er Transient Electroluminescence

Thefirstcommerciallysuccessfulelectrolumi nescencedisplayofthethinfilmMISIMtype(metal in sulator semiconductor insulator metal)withS=ZnS∶Mn reiescompletelyonaspecialhighfieldelectronictrans portmodecalled“travellingspiketransport”.Optimum excitationefficiencyandavalanchinghavebeenachie vedwiththisballistic(loss freewithrespecttopho nons)accelerationprocess.Itsthresholdfieldstrength isabout106V·cm-1inZnS,andislowenoughforthe resultingelectricbreakdowntobemadereversiblevia chargecontrol,…     

温度对ZnS∶ErF_3薄膜ACEL特性的影响

本文研究了温度对 ZnS∶ErF_3薄膜 ACEL 特性的影响。通过测量不同温度下的 EL 光谱和 EL 衰减,讨论了 Er~(3+)离子间交叉弛豫过程对温度的依赖关系,初步探讨了~4S_(3/2)能级和~4F_(9/2)能级衰减时间随温度变化的原因。     

Tb~(3+)和Eu~(2+)掺杂的CaS薄膜的电致发光

引言最近的一些研究结果已经表明:稀土掺杂的碱土硫化物材料对于彩色薄膜电致发光器件是一种很有希望的材料。然而到目前为止,能象ZnS:Mn那样用于商品化平板显示器件的材料只有绿色的ZnS:TbF_x。对于红色发射的CaS:Eu~(2+)和蓝绿色发射的SrS:Ce~(3+),K薄膜,在1k Hz频率驱动下,其亮度分别为170和500cd/m~2。这一亮度对于实际应用来说还是很低的。与此相类似,CaS:Cc~(3+),Cl薄膜在5kHz频率驱动下,